Automotive Brushless DC (BLDC) Motor Applications

Diodes Incorporated Automotive Brushless DC (BLDC) Motors offer improved performance, longer lifetime, reduced noise, and greater ease of use when compared to equivalent mechanical solutions. MOSFETs within the BLDC Motor Systems are typically configured in a three-phase bridge arrangement to drive the DC motor. The MOSFETs must be capable of handling start-up and stalled motor currents of up to six times the continuous current rating of the motor. The Diodes Incorporated BLDC Motors are extensively used in automotive applications such as fuel pumps, water pumps, and Anti-Lock Braking Systems (ABS), and provide additional torque for power steering systems.

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS

Diodes Incorporated Sensores magnéticos / de efecto Hall montados en placa Hall Unipolar Switch
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5.021En existencias
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Min.: 1
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: 3.000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch Enh Mode FET VDSS -20V -12VGSS
Hoja de datos
18.747En existencias
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Min.: 1
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Máx.: 480
: 3.000

Diodes Incorporated Rectificadores y diodos Schottky 20A TrechSBR 50Vrrm 20A 0.5Vf 0.5mA
Hoja de datos
17.858En existencias
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Min.: 1
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Máx.: 160
: 2.500

Diodes Incorporated Sensores magnéticos / de efecto Hall montados en placa Hall Unipolar Switch
Hoja de datos
6.900En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Diodes Incorporated Cristales Crystal Ceramic
Hoja de datos
3.575En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000
Diodes Incorporated Rectificadores y diodos Schottky 2.0A 100V Schottky 71Vr 40Ifsm 0.86Vf
Hoja de datos
23.473En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 280
: 3.000
Diodes Incorporated Rectificadores y diodos Schottky 3.0A Schotty Rect 40Vrrm 0.5Vr 0.5mA
Hoja de datos
19.113En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 600
: 3.000

Diodes Incorporated Cristales Crystal Ceramic SEAM5032 T&R 1K
Hoja de datos
315En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFETBVDSS: 41V-60V
Hoja de datos
88.756En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 850
: 2.500

Diodes Incorporated Cristales Crystal Ceramic
Hoja de datos
5.972En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 230
: 3.000

Diodes Incorporated Cristales Crystal Ceramic
Hoja de datos
12.537En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 370
: 3.000

Diodes Incorporated Cristales Crystal Ceramic
Hoja de datos
4.008En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 580
: 3.000

Diodes Incorporated Cristales Crystal Ceramic
Hoja de datos
3.508En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 250
: 3.000

Diodes Incorporated Cristales Crystal Ceramic
Hoja de datos
4.683En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 280
: 3.000
Diodes Incorporated Rectificadores y diodos Schottky 1.0A SBR 40Vrrm 28Vr 0.5Vf 0.5mA 30A
Hoja de datos
36.118En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1.310
: 5.000

Diodes Incorporated Rectificadores y diodos Schottky 5.0A Schottky Rec 40V 0.55V 0.5A
Hoja de datos
8.897En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 400
: 3.000
Diodes Incorporated Rectificadores y diodos Schottky Schottky Rectifier
Hoja de datos
54.723En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 690
: 3.000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS:
Hoja de datos
137.625En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3.000
: 3.000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V P-Ch Enh FET 250mOhm -10V -2.3A
Hoja de datos
10.009En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 270
: 2.500


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFETBVDSS: -30V
Hoja de datos
49.072En existencias
51.000Se espera el 23-11-2026
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Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3.000
: 3.000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS:
Hoja de datos
2.936En existencias
2.500Se espera el 21-04-2027
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Min.: 1
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Máx.: 260
: 2.500


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -40V 11mOhm 25Vgss 1.45W -10.1A
Hoja de datos
3.510En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 140
: 2.500

Diodes Incorporated Rectificadores y diodos Schottky 200V SBR 10A 180Ifsm 0.88Vf 100uA
Hoja de datos
2.746En existencias
5.000Se espera el 31-07-2026
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Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 170
: 5.000
Diodes Incorporated Sensores magnéticos / de efecto Hall montados en placa Hall Unipolar Switch
Hoja de datos
768En existencias
1.000Se espera el 31-07-2026
Min.: 1
Mult.: 1

Diodes Incorporated Sensores magnéticos / de efecto Hall montados en placa HV Hall Effect Latch 3 to 28V 8kV 3mA
Hoja de datos
980En existencias
Min.: 1
Mult.: 1