Trench6 N-Channel MV MOSFETs

onsemi Trench6 N-Channel MV MOSFETs are 30V, 40V, and 60V MOSFETs produced using an advanced Power Trench process that incorporates Shielded Gate technology. This process has been optimized to minimize on-state resistance and yet maintain superior switching performance with superior soft body diode. The Trench6 N-Channel MV MOSFETs from onsemi are available in a wide range of small-footprint packages for design flexibility.

Resultados: 448
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Calificación Nombre comercial Empaquetado
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN SO8FL 729En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 40 V 150 A 1.6 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 50 nC - 55 C + 175 C 83 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AFSM T6 40V SG NCH 1.877En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000
Si SMD/SMT DFN-8 N-Channel 1 Channel 40 V 433 A 630 uOhms - 20 V, 20 V 1 V 205 nC - 55 C + 175 C 205 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60 V 3.0 mOhms 150 A 691En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 60 V 150 A 3 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 34 nC - 55 C + 175 C 110 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 5.3Ohm 68A Single N-Channel 2.970En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000
Si SMD/SMT LFPAK-4 N-Channel 1 Channel 40 V 71 A 5.3 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 16 nC - 55 C + 175 C 50 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN SO8 3.407En existencias
3.000Se espera el 07-09-2026
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 330
: 1.500

Si SMD/SMT SO-8FL N-Channel 1 Channel 40 V 78 A 7.2 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 23 nC - 55 C + 175 C 50 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 49A 8.1Ohm Single N-Channel 3.020En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT LFPAK-4 N-Channel 1 Channel 40 V 49 A 8.1 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 10 nC - 55 C + 175 C 38 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6-D3F 40V NFET 1.390En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.500

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 40 V 140 A 1.9 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 32 nC - 55 C + 175 C 83 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 0.9Ohm 322A Single N-Channel 2.990En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT LFPAK-4 N-Channel 1 Channel 40 V 35 A 12 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 7.9 nC - 55 C + 175 C 28 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 2.2 mOhm 142A Single N-Channel 919En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.500

Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 40 V 142 A 2.2 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 49 nC - 55 C + 175 C 85 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 8.1 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8 1.307En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.500

Si SMD/SMT SO-8FL-Dual-8 N-Channel 2 Channel 40 V 49 A 8.1 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 11 nC - 55 C + 175 C 38 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 7 MOHM T8 S08FL SINGL 1.746En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 40 V 52 A 7.3 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 16 nC - 55 C + 175 C 37 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 30V 138A 2.1MO 1.000En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.500
Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 30 V 159 A 1.4 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 45.2 nC - 55 C + 175 C 77 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 6 60V NFET 697En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 60 V 150 A 2 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 52 nC - 55 C + 175 C 110 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET U8FL 30V 71A 4.2MOHM 1.500En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.500

Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 30 V 71 A 4.2 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 26 nC - 55 C + 175 C 37 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 30V 305A 0.9MO 1.363En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.500
Si SMD/SMT SO-8FL AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 1.55 mOhm 185A Single N-Channel 2.965En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000
Si SMD/SMT LFPAK-8 N-Channel 1 Channel 40 V 200 A 1.4 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 70 nC - 55 C + 175 C 110 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 4.5 MOHM T6 S08FL SIN 1.474En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 40 V 80 A 4.5 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 18 nC - 55 C + 175 C 55 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 30V 116A 3.4MO 2.898En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.500

Si SMD/SMT SO-8FL N-Channel 1 Channel 30 V 116 A 3.4 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 30 nC - 55 C + 175 C 3.61 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO 1.485En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.500

Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 60 V 27 A 20.3 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 5.8 nC - 55 C + 175 C 31 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO 1.497En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.500

Si WDFN-8 Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PTNG 100V LL SO8FL DUAL 1.145En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 116
: 1.500

Si SMD/SMT DFN-8 N-Channel 2 Channel 100 V 28 A 26 mOhms 20 V 3 V 5.5 nC - 55 C + 175 C 46 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET U8FL 30V 40A 9.4MOHM 2.220En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 222
: 1.500

Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 30 V 14 A 9.4 mOhms 20 V 2.1 V 15.2 nC - 55 C + 175 C 26 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Single N-Channel Power MOSFET 30V, 55A, 5.9mohm 1.440En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.500

Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 30 V 55 A 5.9 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 18.2 nC - 55 C + 175 C 31 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V HEFET 5.000En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 500
: 5.000

Si SMD/SMT DFNW-5 N-Channel 1 Channel 40 V 370 A 670 uOhms 20 V 2 V 181 nC - 55 C + 175 C 200 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN SO8FL 2.986En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 148
: 1.500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 40 V 150 A 2 mOhms 20 V 2 V 50 nC - 55 C + 175 C 83 W Enhancement Reel, Cut Tape