Trench6 N-Channel MV MOSFETs

onsemi Trench6 N-Channel MV MOSFETs are 30V, 40V, and 60V MOSFETs produced using an advanced Power Trench process that incorporates Shielded Gate technology. This process has been optimized to minimize on-state resistance and yet maintain superior switching performance with superior soft body diode. The Trench6 N-Channel MV MOSFETs from onsemi are available in a wide range of small-footprint packages for design flexibility.

Resultados: 448
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Calificación Nombre comercial Empaquetado
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL LFPAK 2.833En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT LFPAK-4 N-Channel 1 Channel 40 V 258 A 1.2 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 52 nC - 55 C + 175 C 134 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V DPAK EXP 1.888En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 40 V 83 A 4.2 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 32 nC - 55 C + 175 C 56 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V DPAK EXP 5.000En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 40 V 24 A 16 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 9.8 nC - 55 C + 175 C 18 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL S08FL DS 2.178En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.500

Si SMD/SMT SO-8FL-Dual-8 N-Channel 2 Channel 40 V 145 A 2.2 mOhms, 2.2 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 54 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 12 MOHM T6 S08FL SING 3.597En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 40 V 35 A 12 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 7.9 nC - 55 C + 175 C 28 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 3mOhm 133A Single N-Channel 5.825En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT LFPAK-4 N-Channel 1 Channel 60 V 133 A 3 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 40.7 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET U8FL 30V 71A 4.2MOHM 4.989En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 30 V 71 A 4.2 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 26 nC - 55 C + 175 C 37 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V HEFET 1.358En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.500
Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 40 V 378 A 570 uOhms - 20 V, 20 V 2 V 128 nC - 55 C + 175 C 3.9 W, 200 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40VNCH LL IN U8FL 3.665En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.500

Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 40 V 107 A 2.6 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 35 nC - 55 C + 175 C 68 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 14.5 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8 613En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.500

Si SMD/SMT SO-8FL-Dual-8 N-Channel 2 Channel 40 V 29 A 14.5 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 8.1 nC - 55 C + 175 C 23 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V HEFET 8En existencias
1.500Se espera el 11-09-2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.500

Si SMD/SMT SO-8FL N-Channel 1 Channel 40 V 330 A 650 uOhms - 20 V, 20 V 2 V 143 nC - 55 C + 175 C 167 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN SO8FL 1.144En existencias
3.000Se espera el 15-01-2027
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.500
Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 40 V 37 A 8.6 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 7.3 nC - 55 C + 175 C 28 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V S08FL SINGLE 120En existencias
3.000Se espera el 09-09-2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 60 V 36 A 15 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 9.7 nC - 55 C + 175 C 3.5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V SG NCH U8FL 943En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.500

Si WDFN-8 AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN SO8FL 16En existencias
6.000Se espera el 25-09-2026
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 602
: 1.500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 40 V 78 A 4.5 mOhms 20 V 2 V 23 nC - 55 C + 175 C 50 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 40V 126A 2.8MO 1.346En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.500
Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 40 V 130 A 2.5 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 50 nC - 55 C + 175 C 3.1 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V DPAK EXP 1.645En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 40 V 45 A 7.7 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 20 nC - 55 C + 175 C 30 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V SG 749En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 40 V 268 A 1.1 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 82 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 5.3 MOHM T6 S08FL SIN 1.521En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 40 V 71 A 5.3 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 16 nC - 55 C + 175 C 50 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 30V NCH U8FL 948En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.500

Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 30 V 162 A 2.25 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 20 nC - 55 C + 175 C 3.2 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 6 30V NCH 6.937En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1.500
: 1.500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 30 V 46 A 4.9 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 18.6 nC - 55 C + 150 C 23.6 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN SO8FL 1.652En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.500
Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 40 V 21 A, 78 A 3.7 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 23 nC - 55 C + 175 C 50 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V SG NCH U8FL 1.349En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.500

Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 40 V 69 A 5.6 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 16 nC - 55 C + 175 C 50 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 30V 38A 9.1MOH 3.099En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 30 V 38 A 9.1 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 15.2 nC - 55 C + 150 C 5.32 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AFSM T6 30V NCH U8FL 5.182En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.500
Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 30 V 170 A 1.9 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 20 nC - 55 C + 150 C 91 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel