MOSFET de potencia N-Ch R60/R65

Los MOSFET de potencia N-Ch R60/R65 de ROHM Semiconductor ofrecen una salida de un solo canal con voltaje de drenaje a fuente de 600 V o 650 V en un paquete TO-220FM-3. Los MOSFET R60/R65 cuentan con una temperatura en funcionamiento de -55° C a 150° C y opciones de disipación de potencia de 40 W, 46 W, 48 W, 53 W, 68 W, 74 W o 86 W. Los MOSFET de potencia N-Ch R60/R65 son ideales para aplicaciones de conmutación.

Resultados: 56
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Empaquetado
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 600V 22A, TO-220AB, Power MOSFET: R6022YNX3 is a power MOSFET with low on - resistance, suitable for switching. 1.869En existencias
$5.047
$2.586
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Si Through Hole TO-220AB-3 N-Channel 1 Channel 600 V 66 A 165 mOhms 30 V 6 V 33 nC - 55 C + 150 C 205 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 66A N-CH MOSFET 974En existencias
$6.163
$3.213
$2.928
$2.620
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Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 66 A 165 mOhms 30 V 6 V 33 nC - 55 C + 150 C 65 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 650V 258A N-CH MOSFET 487En existencias
$14.480
$8.157
$7.770
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Si Through Hole TO-247G-3 N-Channel 1 Channel 600 V 258 A 44 mOhms 30 V 6 V 110 nC - 55 C + 150 C 781 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 650V 183A N-CH MOSFET 584En existencias
$13.170
$7.348
$7.314
$7.257
$6.870
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Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 183 A 60 mOhms 30 V 6 V 76 nC - 55 C + 150 C 568 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 650V 42A N-CH MOSFET 4.934En existencias
Cinta cortada
$4.523
$2.290
$2.073
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Envase tipo carrete
$1.595
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: 2.500
Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 600 V 42 A 260 mOhms 30 V 6 V 20 nC - 55 C + 150 C 132 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 6A N-CH MOSFET 1.961En existencias
$3.931
$2.005
$1.811
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Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 6 A 830 mOhms 20 V 5 V 12 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 9A N-CH MOSFET 1.207En existencias
$4.375
$2.210
$2.005
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Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 9 A 535 mOhms 20 V 5 V 16.5 nC - 55 C + 150 C 48 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 15A N-CH MOSFET 3.933En existencias
$5.548
$2.860
$2.609
$2.142
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Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 650 V 15 A 315 mOhms 20 V 5 V 27.5 nC - 55 C + 150 C 60 W Enhancement Tube
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$4.079
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Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 7 A 620 mOhms 20 V 5 V 14.5 nC - 55 C + 150 C 46 W Enhancement Tube
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$4.375
$2.210
$2.005
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Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 650 V 9 A 585 mOhms 20 V 5 V 16.5 nC - 55 C + 150 C 48 W Enhancement Tube
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$8.510
$4.455
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Si Through Hole TO-247G-3 N-Channel 1 Channel 600 V 66 A 165 mOhms 30 V 6 V 33 nC - 55 C + 150 C 205 W Enhancement Tube
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$7.998
$4.500
$4.124
$3.714
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Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 30 A 130 mOhms 20 V 5 V 56 nC - 55 C + 150 C 86 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 20A N-CH MOSFET 676En existencias
$7.109
$3.748
$3.429
$2.962
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Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 650 V 20 A 205 mOhms 20 V 4 V 61 nC - 55 C + 150 C 68 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 11A N-CH MOSFET 8.034En existencias
$4.853
$2.518
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$1.937
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Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 11 A 390 mOhms 20 V 4 V 32 nC - 55 C + 155 C 53 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 15A N-CH MOSFET 2.894En existencias
$5.936
$3.885
$2.905
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Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 15 A 290 mOhms 20 V 5 V 27.5 nC - 55 C + 150 C 60 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 4A N-CH MOSFET 3.803En existencias
$3.771
$1.880
$1.698
$1.379
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Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 4 A 980 mOhms 20 V 4 V 15 nC - 55 C + 155 C 40 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 7A N-CH MOSFET 1.972En existencias
$2.404
$1.458
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Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 650 V 7 A 665 mOhms 20 V 4 V 20 nC - 55 C + 150 C 46 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 11A N-CH MOSFET 1.938En existencias
$4.956
$2.529
$2.290
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Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 650 V 11 A 400 mOhms 20 V 5 V 22 nC - 55 C + 150 C 53 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 650V 60A N-CH MOSFET 600En existencias
$8.294
$4.944
$4.215
$3.680
$3.589
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Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 60 A 185 mOhms 20 V 6 V 28 nC - 55 C + 150 C 182 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 4A N-CH MOSFET 1.959En existencias
$3.703
$1.880
$1.698
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Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 650 V 4 A 1.05 Ohms 20 V 5 V 10 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 20A N-CH MOSFET 1.608En existencias
$6.665
$3.498
$3.190
$2.723
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Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 650 V 20 A 205 mOhms 20 V 5 V 40 nC - 55 C + 150 C 68 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 4A N-CH MOSFET 1.986En existencias
$3.703
$1.880
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Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 650 V 4 A 1.05 Ohms 20 V 4 V 15 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 30A N-CH MOSFET 1.213En existencias
$8.408
$4.500
$4.124
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Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 140 mOhms 20 V 5 V 56 nC - 55 C + 150 C 86 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 24A N-CH MOSFET 1.992En existencias
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$3.896
$3.555
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Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 185 mOhms 20 V 4 V 70 nC - 55 C + 150 C 74 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 7A N-CH MOSFET 4.996En existencias
$4.204
$2.119
$1.914
$1.561
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Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 7 A 620 mOhms 20 V 4 V 20 nC - 55 C + 150 C 46 W Enhancement Tube