Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Designing Power Systems

Infineon Power MOSFETs are designed to bring more efficiency and power density to designers' products. The full range of OptiMOS™ and StrongIRFET™ N-channel Power MOSFETs enable innovation and performance in applications such as switch mode power supplies (SMPS), motor control and drives, inverters, and computing. The OptiMOS™ and StrongIRFET™ families cover the 20V to 300V range of Power MOSFET products. Infineon offers the OptiMOS™ and StrongIRFET™ product families. These are two highly innovative families that consistently meet the highest quality and performance demands in key specifications for power system design. OptiMOS™ is the market leader in highly efficient solutions for power generation, power supply, and power consumption.

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Resultados: 111

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

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Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Nombre comercial	Empaquetado
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3 IPB027N10N3 G Infineon Technologies 1: $7.861 3.473En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPB027N10N3 G N.º de artículo de Mouser 726-IPB027N10N3G	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon nchannel optimos	Hoja de datos	3.473En existencias	Cinta cortada $7.861 $5.150 $3.794 $3.372 Envase tipo carrete $3.019 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1.000	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	100 V	120 A	2.3 mOhms	20 V	2 V	206 nC	- 55 C	+ 175 C	300 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 120A D2PAK-2 IPB017N08N5ATMA1 Infineon Technologies 1: $6.984 1.818En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPB017N08N5ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPB017N08N5ATMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 120A D2PAK-2 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	1.818En existencias	Cinta cortada $6.984 $3.680 $3.361 $3.076 Envase tipo carrete $2.905 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1.000	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	80 V	120 A	1.5 mOhms	20 V	2.2 V	223 nC	- 55 C	+ 175 C	375 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 81A TDSON-8 OptiMOS 3 BSC054N04NS G Infineon Technologies 1: $1.379 114.947En existencias Fin de vida útil	N.º de artículo del Fabricante BSC054N04NS G N.º de artículo de Mouser 726-BSC054N04NSG Fin de vida útil	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 81A TDSON-8 OptiMOS 3	Hoja de datos	114.947En existencias	Cinta cortada $1.379 $977 $608 $419 Envase tipo carrete $270 Ver $353 $317 $252 $229 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5.000	Si	SMD/SMT	TDSON-8	N-Channel	1 Channel	40 V	81 A	5.4 mOhms	20 V	2 V	26 nC	- 55 C	+ 150 C	57 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V ISC015N04NM5ATMA1 Infineon Technologies 1: $2.051 8.192En existencias	N.º de artículo del Fabricante ISC015N04NM5ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-ISC015N04NM5ATMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	8.192En existencias	Cinta cortada $2.051 $977 $873 $688 Envase tipo carrete $515 Ver $638 $583 $473 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5.000	Si	SMD/SMT	TDSON-FL-8	N-Channel	1 Channel	40 V	206 A	1.5 mOhms	20 V	2.2 V	51 nC	- 55 C	+ 175 C	115 W	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 40A TDSON-8 OptiMOS BSZ018NE2LS Infineon Technologies 1: $2.336 5.900En existencias	N.º de artículo del Fabricante BSZ018NE2LS N.º de artículo de Mouser 726-BSZ018NE2LS	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 40A TDSON-8 OptiMOS Obtenga más información sobre Infineon Technologies OptiMOS	Hoja de datos	5.900En existencias	Cinta cortada $2.336 $1.123 $990 $797 Ver Envase tipo carrete $655 $763 $719 $655 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5.000	Si	SMD/SMT	TSDSON-8	N-Channel	1 Channel	25 V	153 A	1.9 mOhms	20 V	2 V	39 nC	- 55 C	+ 150 C	69 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS BSZ0904NSI Infineon Technologies 1: $1.914 4.784En existencias	N.º de artículo del Fabricante BSZ0904NSI N.º de artículo de Mouser 726-BSZ0904NSI	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS Obtenga más información sobre Infineon Technologies OptiMOS	Hoja de datos	4.784En existencias	Cinta cortada $1.914 $1.185 $778 $612 Envase tipo carrete $409 Ver $523 $483 $406 $357 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5.000	Si	SMD/SMT	TSDSON-8	N-Channel	1 Channel	30 V	40 A	4.6 mOhms	20 V	2 V	17 nC	- 55 C	+ 150 C	37 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS BSZ0902NS Infineon Technologies 1: $2.028 15.133En existencias	N.º de artículo del Fabricante BSZ0902NS N.º de artículo de Mouser 726-BSZ0902NS	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS Obtenga más información sobre Infineon Technologies OptiMOS	Hoja de datos	15.133En existencias	Cinta cortada $2.028 $963 $859 $677 Ver Envase tipo carrete $530 $649 $619 $530 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5.000	Si	SMD/SMT	TSDSON-8	N-Channel	1 Channel	30 V	106 A	2.8 mOhms	20 V	2 V	26 nC	- 55 C	+ 150 C	48 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N CH 60V 195A D2PAK IRFS7534TRLPBF Infineon Technologies 1: $5.275 1.238En existencias	N.º de artículo del Fabricante IRFS7534TRLPBF N.º de artículo de Mouser 942-IRFS7534TRLPBF	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N CH 60V 195A D2PAK Obtenga más información sobre Infineon Technologies ir strongirfet	Hoja de datos	1.238En existencias	Cinta cortada $5.275 $2.711 $2.461 $1.982 Envase tipo carrete $1.982 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 800	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	60 V	195 A	2 mOhms	20 V	3.7 V	186 nC	- 55 C	+ 175 C	294 W	Enhancement	StrongIRFET	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 33A TDSON-8 OptiMOS 3 BSC360N15NS3 G Infineon Technologies 1: $2.848 4.889En existencias 5.000En pedido	N.º de artículo del Fabricante BSC360N15NS3 G N.º de artículo de Mouser 726-BSC360N15NS3G	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 33A TDSON-8 OptiMOS 3 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon ir power mosfets	Hoja de datos	4.889En existencias 5.000En pedido	Cinta cortada $2.848 $1.823 $1.242 $1.053 Ver Envase tipo carrete $836 $932 $918 $836 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5.000	Si	SMD/SMT	TDSON-8	N-Channel	1 Channel	150 V	33 A	36 mOhms	20 V	3 V	12 nC	- 55 C	+ 150 C	74 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3M BSC030N03MS G Infineon Technologies 1: $1.698 4.995En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante BSC030N03MS G N.º de artículo de Mouser 726-BSC030N03MSG NRND	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3M	Hoja de datos	4.995En existencias	Cinta cortada $1.698 $1.041 $686 $540 Envase tipo carrete $370 Ver $461 $418 $358 $351 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5.000	Si	SMD/SMT	TDSON-8	N-Channel	1 Channel	30 V	100 A	2.5 mOhms	20 V	1 V	73 nC	- 55 C	+ 150 C	69 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 71A TDSON-8 OptiMOS 2 BSC118N10NS G Infineon Technologies 1: $3.008 4.291En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante BSC118N10NS G N.º de artículo de Mouser 726-BSC118N10NSG NRND	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 71A TDSON-8 OptiMOS 2 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon ir power mosfets	Hoja de datos	4.291En existencias	Cinta cortada $3.008 $1.470 $1.322 $1.060 Ver Envase tipo carrete $924 $1.016 $960 $924 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5.000	Si	SMD/SMT	TDSON-8	N-Channel	1 Channel	100 V	11 A	11.8 mOhms	20 V	4 V	56 nC	- 55 C	+ 150 C	114 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 90A D2PAK-2 OptiMOS 3 IPB037N06N3 G Infineon Technologies 1: $3.942 821En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPB037N06N3 G N.º de artículo de Mouser 726-IPB037N06N3G	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 90A D2PAK-2 OptiMOS 3 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon nchannel optimos	Hoja de datos	821En existencias	Cinta cortada $3.942 $2.552 $1.766 $1.481 Envase tipo carrete $1.356 $1.287 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1.000	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	60 V	90 A	3 mOhms	20 V	2 V	98 nC	- 55 C	+ 175 C	188 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 40A TDSON-8 OptiMOS BSZ060NE2LS Infineon Technologies 1: $1.515 4.700En existencias	N.º de artículo del Fabricante BSZ060NE2LS N.º de artículo de Mouser 726-BSZ060NE2LS	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 40A TDSON-8 OptiMOS Obtenga más información sobre Infineon Technologies OptiMOS	Hoja de datos	4.700En existencias	Cinta cortada $1.515 $936 $616 $484 Envase tipo carrete $335 Ver $425 $375 $321 $314 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5.000	Si	SMD/SMT	TSDSON-8	N-Channel	1 Channel	25 V	40 A	6.5 mOhms	20 V	2 V	9.1 nC	- 55 C	+ 150 C	26 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 84A TDSON-8 OptiMOS BSC032NE2LS Infineon Technologies 1: $1.424 3.013En existencias	N.º de artículo del Fabricante BSC032NE2LS N.º de artículo de Mouser 726-BSC032NE2LS	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 84A TDSON-8 OptiMOS Obtenga más información sobre Infineon Technologies OptiMOS	Hoja de datos	3.013En existencias	Cinta cortada $1.424 $880 $578 $455 Envase tipo carrete $314 Ver $399 $352 $301 $295 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5.000	Si	SMD/SMT	TDSON-8	N-Channel	1 Channel	25 V	84 A	2.7 mOhms	20 V	1.2 V	21 nC	- 55 C	+ 150 C	37 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V SINGLE N-CH 4.1mOhms 14nC IRFH8324TRPBF Infineon Technologies 1: $1.230 3.241En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante IRFH8324TRPBF N.º de artículo de Mouser 942-IRFH8324TRPBF NRND	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V SINGLE N-CH 4.1mOhms 14nC	Hoja de datos	3.241En existencias	Cinta cortada $1.230 $477 $301 $267 Envase tipo carrete $267 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 4.000	Si	SMD/SMT	PQFN-8	N-Channel	1 Channel	30 V	90 A	6.3 mOhms	20 V	1.8 V	31 nC	- 55 C	+ 150 C	54 W	Enhancement	StrongIRFET	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N CH 60V 95A TO-220AB IRFB7545PBF Infineon Technologies 1: $2.529 47.166En existencias	N.º de artículo del Fabricante IRFB7545PBF N.º de artículo de Mouser 942-IRFB7545PBF	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N CH 60V 95A TO-220AB Obtenga más información sobre Infineon Technologies ir strongirfet	Hoja de datos	47.166En existencias	$2.529 $1.230 $1.093 $869 Ver $792 $785 $778	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	60 V	95 A	4.9 mOhms	20 V	3.7 V	75 nC	- 55 C	+ 175 C	125 W	Enhancement	StrongIRFET	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 150V 85A 12mOhm 110nC Qg IRFS4321TRLPBF Infineon Technologies 1: $6.380 11.831En existencias 8.000Se espera el 03-06-2027	N.º de artículo del Fabricante IRFS4321TRLPBF N.º de artículo de Mouser 942-IRFS4321TRLPBF	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 150V 85A 12mOhm 110nC Qg Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon nchannel optimos	Hoja de datos	11.831En existencias 8.000Se espera el 03-06-2027	Cinta cortada $6.380 $3.327 $3.042 $2.404 Envase tipo carrete $2.392 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 800	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	150 V	85 A	12 mOhms	30 V	5 V	110 nC	- 55 C	+ 175 C	350 W	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 44A TDSON-8 OptiMOS BSC0909NS Infineon Technologies 1: $1.151 8.190En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante BSC0909NS N.º de artículo de Mouser 726-BSC0909NS NRND	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 44A TDSON-8 OptiMOS	Hoja de datos	8.190En existencias	Cinta cortada $1.151 $566 $488 $352 Envase tipo carrete $240 Ver $324 $291 $207 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5.000	Si	SMD/SMT	TDSON-8	N-Channel	1 Channel	34 V	44 A	7.7 mOhms	20 V	2 V	9.6 nC	- 55 C	+ 150 C	2.5 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3 BSZ050N03LS G Infineon Technologies 1: $1.698 5.341En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante BSZ050N03LS G N.º de artículo de Mouser 726-BSZ050N03LSG NRND	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3	Hoja de datos	5.341En existencias	Cinta cortada $1.698 $1.048 $690 $542 Envase tipo carrete $363 Ver $464 $428 $349 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5.000	Si	SMD/SMT	TSDSON-8	N-Channel	1 Channel	30 V	40 A	6.2 mOhms	20 V	2.2 V	26 nC	- 55 C	+ 150 C	50 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 50A D2PAK-2 OptiMOS 3 IPB090N06N3 G Infineon Technologies 1: $2.848 3.013En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPB090N06N3 G N.º de artículo de Mouser 726-IPB090N06N3G	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 50A D2PAK-2 OptiMOS 3 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon nchannel optimos	Hoja de datos	3.013En existencias	Cinta cortada $2.848 $1.572 $1.219 $985 Envase tipo carrete $882 Ver $811 $793 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1.000	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	60 V	50 A	9 mOhms	20 V	3 V	36 nC	- 55 C	+ 175 C	71 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 34A D2PAK-2 OptiMOS 3 IPB320N20N3 G Infineon Technologies 1: $4.671 5.441En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPB320N20N3 G N.º de artículo de Mouser 726-IPB320N20N3GXT	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 34A D2PAK-2 OptiMOS 3 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon nchannel optimos	Hoja de datos	5.441En existencias	Cinta cortada $4.671 $3.053 $2.222 $1.937 Envase tipo carrete $1.629 $1.606 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1.000	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	200 V	34 A	28 mOhms	20 V	2 V	29 nC	- 55 C	+ 175 C	136 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 75V Single N-Channel HEXFET Power IRFB7730PBF Infineon Technologies 1: $4.865 5.119En existencias	N.º de artículo del Fabricante IRFB7730PBF N.º de artículo de Mouser 942-IRFB7730PBF	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 75V Single N-Channel HEXFET Power Obtenga más información sobre Infineon Technologies ir strongirfet	Hoja de datos	5.119En existencias	$4.865 $2.484 $2.256 $1.960	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	75 V	195 A	2.6 mOhms	20 V	3.7 V	271 nC	- 55 C	+ 175 C	375 W	Enhancement	StrongIRFET	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET UP TO 60V IRFB3306PBFXKMA1 Infineon Technologies 1: $2.837 1.447En existencias	N.º de artículo del Fabricante IRFB3306PBFXKMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IRFB3306PBFXKMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET UP TO 60V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon ir power mosfets	Hoja de datos	1.447En existencias	$2.837 $1.390 $1.242 $1.058 Ver $1.011 $870 $817 Presupuesto	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220AB-3	N-Channel	1 Channel	60 V	16 A	4.2 mOhms	20 V	4 V	120 nC	- 55 C	+ 175 C	230 W	Enhancement		Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LV POWER MOS BSC009NE2LS5ATMA1 Infineon Technologies 1: $2.620 14.291En existencias	N.º de artículo del Fabricante BSC009NE2LS5ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-BSC009NE2LS5ATMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LV POWER MOS Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	14.291En existencias	Cinta cortada $2.620 $1.276 $1.139 $908 Ver Envase tipo carrete $797 $877 $797 $797 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 3.000 : 5.000	Si	SMD/SMT	TDSON-8	N-Channel	1 Channel	25 V	100 A	1.25 mOhms	16 V	1.2 V	20 nC	- 55 C	+ 150 C	74 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 100A TDSON-8 BSC026N08NS5ATMA1 Infineon Technologies 1: $4.067 6.990En existencias	N.º de artículo del Fabricante BSC026N08NS5ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-BSC026N08NS5ATMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 100A TDSON-8 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	6.990En existencias	Cinta cortada $4.067 $2.051 $1.846 $1.595 $1.538 Envase tipo carrete $1.538 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 1.000 : 5.000	Si	SMD/SMT	TDSON-8	N-Channel	1 Channel	80 V	100 A	3.9 mOhms	20 V	2.2 V	74 nC	- 55 C	+ 150 C	156 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel