CFD7 CoolMOS™ MOSFETs

Infineon Technologies CFD7 CoolMOS™ MOSFETs are ideal for resonant high power topologies and feature high voltage superjunction MOSFET technology. The MOSFETs have an integrated fast body diode and completes the CoolMOS 7 series. Typical high power switch-mode power supply (SMPS) applications include server, telecom, and EV charging stations.

Resultados: 70
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Calificación Nombre comercial Empaquetado
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW 3.216En existencias
Cinta cortada
$12.111
$6.722
$6.369
$6.015
Envase tipo carrete
$6.015
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.000
Si CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW 752En existencias
Cinta cortada
$14.811
$10.310
$9.764
Envase tipo carrete
$9.764
Min.: 1
Mult.: 1
: 750
Si SMD/SMT HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 650 V 90 A 25 mOhms - 20 V, 30 V 4.5 V 141 nC - 55 C + 150 C 446 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW 718En existencias
Cinta cortada
$8.431
$4.512
$4.136
$3.725
Envase tipo carrete
$3.725
Min.: 1
Mult.: 1
: 750
Si SMD/SMT HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 650 V 34 A 75 mOhms 20 V 4.5 V 51 nC - 55 C + 150 C 219 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW 3.440En existencias
Cinta cortada
$9.160
$4.944
$4.546
$4.409
$4.158
Envase tipo carrete
$4.158
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000
Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 600 V 40 A 60 mOhms 20 V 3.5 V 79 nC - 40 C + 150 C 219 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW 552En existencias
Cinta cortada
$22.489
$14.218
$13.455
Envase tipo carrete
$13.455
Min.: 1
Mult.: 1
: 750
Si 20 V CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS 786En existencias
Cinta cortada
$6.847
$3.600
$2.825
Envase tipo carrete
$2.825
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 21 A 115 mOhms 20 V 4 V 41 nC - 40 C + 150 C 114 W Enhancement AEC-Q101 CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW 1.321En existencias
Cinta cortada
$5.913
$3.065
$2.791
$2.552
$2.461
Envase tipo carrete
$2.313
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.000
Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 105 mOhms 20 V 4 V 36 nC - 55 C + 150 C 140 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW 719En existencias
Cinta cortada
$15.585
$8.864
$8.852
$8.374
Envase tipo carrete
$8.374
Min.: 1
Mult.: 1
: 750
Si 20 V CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW 2.695En existencias
Cinta cortada
$4.842
$2.860
$2.336
$1.948
$1.880
Envase tipo carrete
$1.766
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000
Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 600 V 16 A 160 mOhms 20 V 3.5 V 31 nC - 40 C + 150 C 95 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW 518En existencias
Cinta cortada
$8.613
$4.625
$4.238
$4.067
$3.839
Envase tipo carrete
$3.839
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000
Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 600 V 33 A 66 mOhms 20 V 3.5 V 67 nC - 40 C + 150 C 189 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW 816En existencias
Cinta cortada
$8.465
$4.534
$4.158
$3.965
Envase tipo carrete
$3.748
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 31 A 70 mOhms 20 V 4.5 V 67 nC - 55 C + 150 C 156 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW 3.336En existencias
Cinta cortada
$4.079
$2.210
$1.834
$1.595
$1.538
Envase tipo carrete
$1.538
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000
Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 600 V 14 A 153 mOhms 20 V 3.5 V 28 nC - 40 C + 150 C 85 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW 697En existencias
$12.008
$6.517
$5.958
$5.879
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 50 A 40 mOhms 20 V 3.5 V 109 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW 1.225En existencias
Cinta cortada
$4.990
$2.552
$2.313
$1.960
$1.846
Envase tipo carrete
$1.846
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.700
Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 145 mOhms 20 V 4.5 V 28 nC - 55 C + 150 C 160 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW 2.492En existencias
Cinta cortada
$8.818
$4.739
$4.352
$4.181
$3.953
Envase tipo carrete
$3.953
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.000
Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 600 V 44 A 55 mOhms 20 V 4 V 67 nC - 55 C + 150 C 236 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS 1.114En existencias
$13.056
$7.143
$6.653
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 45 A 50 mOhms 20 V 4 V 102 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement AEC-Q101 CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW 1.980En existencias
Cinta cortada
$8.339
$4.466
$4.090
$3.885
$3.668
Envase tipo carrete
$3.668
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.000
Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 650 V 33 A 75 mOhms 20 V 4 V 51 nC - 55 C + 150 C 188 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW 1.924En existencias
Cinta cortada
$5.753
$2.985
$2.711
$2.370
$2.336
Envase tipo carrete
$2.233
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.000
Si CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW 678En existencias
$5.856
$3.030
$2.757
$2.415
$2.267
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 11 A 125 mOhms 20 V 3.5 V 36 nC - 55 C + 150 C 32 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW 712En existencias
$3.851
$1.925
$1.743
$1.401
$1.333
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 9 A 237 mOhms 20 V 3.5 V 18 nC - 55 C + 150 C 52 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW 577En existencias
Cinta cortada
$11.712
$6.482
$6.095
$6.084
$5.765
Envase tipo carrete
$5.765
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.000
Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 600 V 52 A 45 mOhms 20 V 4 V 79 nC - 55 C + 150 C 270 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW 2.007En existencias
Cinta cortada
$5.320
$2.734
$2.484
$2.130
Envase tipo carrete
$1.994
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000
Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 650 V 17 A 160 mOhms 20 V 4.5 V 28 nC - 40 C + 150 C 98 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW 2.939En existencias
Cinta cortada
$5.343
$3.520
$3.213
$2.746
Envase tipo carrete
$2.746
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000
Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 95 mOhms 20 V 3.5 V 51 nC - 40 C + 150 C 147 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW 420En existencias
Cinta cortada
$5.958
$3.087
$2.814
$2.484
Envase tipo carrete
$2.336
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000
Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 600 V 22 A 115 mOhms 20 V 3.5 V 42 nC - 40 C + 150 C 124 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW 4.378En existencias
3.000Se espera el 12-11-2026
Cinta cortada
$11.005
$6.163
$5.731
$5.639
Envase tipo carrete
$5.343
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 50 A 40 mOhms 20 V 4 V 107 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel