Mostrar más 
Resultados: 5.104
Seleccionar Imagen N.° de pieza
 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS
Linear Integrated Systems Diodos de Conmutación de Señal Baja Low Leakage, Monolithic Dual, Pico-Amp Diode
Hoja de datos
370En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

ams OSRAM Luces LED blancas OSLON Submount PL
Hoja de datos
1.992En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.000

ams OSRAM Luces LED blancas OSLON Submount PL
Hoja de datos
1.949En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.000

Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 29A, Dual N-Channel Power MOSFET
Hoja de datos
2.011En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop, 1200 V, 50 A, low-loss M series IGBT ACEPACK SMIT
Hoja de datos
400En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 200

Texas Instruments Transistor de unión de efecto de campo (JFET) Dual ultra-low nois e low-gate-current
Hoja de datos
2.748En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1.001
: 3.000

Infineon Technologies Módulos MOSFET EconoDUAL 3 CoolSiC MOSFET 1200 V module
Hoja de datos
5En existencias
20Se espera el 13-05-2027
Min.: 1
Mult.: 1

Infineon Technologies Módulos IGBT MEDIUM POWER ECONO
Hoja de datos
6En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Infineon Technologies Módulos IGBT EconoDUAL3 module with TRENCHSTOPIGBT7 and emitter controlled 8 diode and NTC
Hoja de datos
30En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Infineon Technologies Módulos IGBT IHV IHM T
Hoja de datos
2En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor
Hoja de datos
5.289En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 5.000

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor
Hoja de datos
6.153En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 5.000

Infineon Technologies GaN FETs Two 140 mohm / 650 V GaN transistors in half-bridge configuration
Hoja de datos
2.970En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS Dual power MOSFET 40V
Hoja de datos
3.842En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 4.000

ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) WLCSP 2NCH 30V 20A
Hoja de datos
2.837En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSOP8 150V DUAL 18.5A
Hoja de datos
2.457En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 2NCH 40V 8A
Hoja de datos
2.780En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMTR 100V 6.5A N CHAN MOS
Hoja de datos
3.000En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 100V 12.5A N CHAN
Hoja de datos
2.972En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 150V DUAL 7.A
Hoja de datos
3.000En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 NPCH 40V 12A
Hoja de datos
2.990En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 NPCH 60V 10A
Hoja de datos
2.892En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 NPCH 80V 3.5A
Hoja de datos
2.990En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000
ROHM Semiconductor Módulos MOSFET 1200V, 106A, Half-bridge, SiC Power Module
Hoja de datos
223En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PTNG 100V LL SO8FL DUAL
Hoja de datos
1.500En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 150
: 1.500