Resultados: 5.105
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS
IXYS Rectificadores 8 Amps 800V 351En existencias
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: 800



IXYS Módulos MOSFET SiC MOSFET phaseleg 25mO SMPD-B 26En existencias
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ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Nch+Nch Power MOSFET 6.013En existencias
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: 2.500

Linear Integrated Systems Transistor de unión de efecto de campo (JFET) Low Noise, Low Capacitance, Monolithic Dual, N-Channel JFET 249En existencias
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Infineon Technologies DD1200S45KL3_B5
Infineon Technologies Módulos IGBT IHV IHM T 2En existencias
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IXYS DSP8-12AS-TRL
IXYS Rectificadores RECT 1.2KV 8A SM STD RCOVR 1.527En existencias
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: 800
Central Semiconductor Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) Dual - NPN/NPN Enhanced 21.366En existencias
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: 3.000


Infineon Technologies Diodos Schottky de SiC SIC DIODES 132En existencias
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Vishay Semiconductors Rectificadores 100V 4A SlimDPAK Planar STD. 4.450En existencias
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: 4.500

Vishay Semiconductors Rectificadores SOT-227 - GEN5 FRED IN PARALLE 89En existencias
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onsemi NXH450B100H4Q2F2PG
onsemi Módulos IGBT 1000V75A FSIII IGBT MID SPEED WITH RUGGED ANTI-PARALLEL DIODES IN PRESS FIT PINS 36En existencias
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Infineon Technologies FF650R17IE4P
Infineon Technologies Módulos IGBT 1700 V, 650 A dual IGBT module 3En existencias
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IXYS DSP8-08AS-TRL
IXYS Rectificadores RECT 800V 8A SM STD RCOVR 394En existencias
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: 800
Infineon Technologies FF1200R12IE5PBPSA1
Infineon Technologies Módulos IGBT 1200 V, 1200 A dual IGBT module 2En existencias
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IXYS DPG30C300PC-TRL
IXYS Diodos de Conmutación de Señal Baja PWR DISC-FRED 347En existencias
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: 800

Infineon Technologies FF450R07ME4B11BPSA1
Infineon Technologies Módulos IGBT 650 V, 450 A dual IGBT module 9En existencias
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Infineon Technologies FF900R17ME7B11BPSA1
Infineon Technologies Módulos IGBT 1700 V, 900 A dual IGBT module 6En existencias
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Allegro MicroSystems Controladores de puerta con aislamiento galvánico SECONDARY QFN OF SIC HV ISOLATED GATE DRIVER CHIPSET COMBO 18V 8.800En existencias
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: 1.500

Infineon Technologies Módulos MOSFET CoolSiC MOSFET half-bridge module 2300 V
4En existencias
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Infineon Technologies Módulos IGBT XHP2 module with TRENCHSTOPIGBT7 and emitter controlled 7 diode and NTC
6En existencias
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Infineon Technologies Módulos IGBT XHP2 module with TRENCHSTOPIGBT7 and emitter controlled 7 diode and NTC / pre-applied thermalinterface material
6En existencias
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Infineon Technologies Módulos IGBT 4500 V, 1200 A single switch IGBT module
2En existencias
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Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40 V, N-Ch, 2.34 m?, Automotive Power MOSFET, SSO8 HB (5x6), OptiMOS-7 2.606En existencias
5.000Se espera el 08-10-2026
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: 5.000

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40 V, N-Ch, 2.56 m?, Automotive Power MOSFET, SSO8 HB (5x6), OptiMOS-7 5.880En existencias
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: 5.000

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DUAL P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET 4.850En existencias
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