Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET DFN8 60V 17A 39MOHM
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NVMFD5877NLWFT1G-UM
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET DFN8 60V 17A 39MOHM
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Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN MULTI-CHIP
NSVT5551DW1T1G
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Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN MULTI-CHIP
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Rectificadores THYR / DIODE MODULE DK
DD600N16KXPSA1
Infineon Technologies
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Infineon Technologies
Rectificadores THYR / DIODE MODULE DK
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Rectificadores y diodos Schottky Automotive 60V, Schottky, 10A
MBR1060DC-AU_R2_006A1
Panjit
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N.º de artículo de Mouser 241-MBR1060DCAUR26A1
Panjit
Rectificadores y diodos Schottky Automotive 60V, Schottky, 10A
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL DEPLETION MODE
DN2625DK6-G
Microchip Technology
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N.º de artículo de Mouser 689-DN2625DK6-G
Microchip Technology
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL DEPLETION MODE
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Asymmetric N ch 30V/30V 55A/85A P
XP3832CMT
YAGEO XSemi
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YAGEO XSemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Asymmetric N ch 30V/30V 55A/85A P
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Asymmetric Dual N-Channel Pwr Trench
FDMS3669S
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Asymmetric Dual N-Channel Pwr Trench
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Diodos de Conmutación de Señal Baja 85V 150mW
BAV199T-7-F
Diodes Incorporated
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N.º de artículo de Mouser 621-BAV199T-F
Diodes Incorporated
Diodos de Conmutación de Señal Baja 85V 150mW
320.295 En existencias
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 30Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
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SQ1539EH-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 30Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -20Vds 8Vgs AEC-Q101 Qualified
SQ3985EV-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -20Vds 8Vgs AEC-Q101 Qualified
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual P-Chnl 30-V D-S AEC-Q101 Qualified
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SQ4949EY-T1_GE3
Vishay Semiconductors
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual P-Chnl 30-V D-S AEC-Q101 Qualified
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch P Ch 100/-100V AEC-Q101 Qualified
SQJ570EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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N.º de artículo de Mouser 78-SQJ570EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch P Ch 100/-100V AEC-Q101 Qualified
32.060 En existencias
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 8A 34W AEC-Q101 Qualified
SQJ960EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1:
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77.311 En existencias
N.º de artículo de Mouser 78-SQJ960EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 8A 34W AEC-Q101 Qualified
77.311 En existencias
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Controladores de puerta con aislamiento galvánico 5 kVRMS Isolated Dual Channel 4.5/9 A Gate Driver
NCP51560BBDWR2G
onsemi
1:
$3.975
1.242 En existencias
N.º de artículo de Mouser 863-NCP51560BBDWR2G
onsemi
Controladores de puerta con aislamiento galvánico 5 kVRMS Isolated Dual Channel 4.5/9 A Gate Driver
1.242 En existencias
1
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Módulos IGBT IGBT Module 200A 1700V
FF200R17KE4
Infineon Technologies
1:
$183.941
14 En existencias
20 Se espera el 17-11-2026
N.º de artículo de Mouser 641-FF200R17KE4
Infineon Technologies
Módulos IGBT IGBT Module 200A 1700V
14 En existencias
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Diodos de Conmutación de Señal Baja 120V 200mA
BAS31
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BAS31
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Diodos de Conmutación de Señal Baja 120V 200mA
401.065 En existencias
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$484
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V N-Ch Dual Cool PowerTrench MOSFET
FDMS86300DC
onsemi
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N.º de artículo de Mouser 512-FDMS86300DC
onsemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V N-Ch Dual Cool PowerTrench MOSFET
35.235 En existencias
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3.000
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 25V Vds 12V Vgs SO-8
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SI4228DY-T1-GE3
Vishay Semiconductors
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 25V Vds 12V Vgs SO-8
48.627 En existencias
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual P-Channel 60V AEC-Q101 Qualified
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SQ4961EY-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1:
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24.707 En existencias
N.º de artículo de Mouser 78-SQ4961EY-T1_GE3
Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual P-Channel 60V AEC-Q101 Qualified
24.707 En existencias
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$2.461
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$730
25.000
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Carrete :2.500
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Rectificadores 600V 30A TO-263 HexFred
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VS-HFA30TA60CS-M3
Vishay Semiconductors
1:
$6.794
8.225 En existencias
N.º de artículo de Mouser 78-VS-HFA30TA60CS-M3
Vishay Semiconductors
Rectificadores 600V 30A TO-263 HexFred
8.225 En existencias
Embalaje alternativo
1
$6.794
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$2.661
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Diodos de Conmutación de Señal Baja 100V,Diodos de Conmutación de Señal Baja,SOT-23,4A
BAV99_R1_00001
Panjit
1:
$189
968.321 En existencias
N.º de artículo de Mouser 241-BAV99_R1_00001
Panjit
Diodos de Conmutación de Señal Baja 100V,Diodos de Conmutación de Señal Baja,SOT-23,4A
968.321 En existencias
1
$189
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$49,4
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$30,5
24.000
$24,2
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Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :3.000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 6A 29OHM DUAL NCH LOGIC
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FDS8949
onsemi
1:
$1.620
58.993 En existencias
N.º de artículo del Fabricante
FDS8949
N.º de artículo de Mouser 512-FDS8949
onsemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 6A 29OHM DUAL NCH LOGIC
58.993 En existencias
1
$1.620
10
$765
100
$680
500
$533
2.500
$533
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Máx.: 1.250
Carrete :2.500
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -60V Vds 20V Vgs SO-8
+2 imágenes
SI4948BEY-T1-E3
Vishay Semiconductors
1:
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74.388 En existencias
N.º de artículo de Mouser 781-SI4948BEY-T1-E3
Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -60V Vds 20V Vgs SO-8
74.388 En existencias
1
$1.840
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$859
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$710
1.000
$675
2.500
$571
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Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :2.500
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SuperSOT-3
FDC6318P
onsemi
1:
$1.294
55.011 En existencias
N.º de artículo de Mouser 512-FDC6318P
onsemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SuperSOT-3
55.011 En existencias
1
$1.294
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$366
3.000
$366
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Máx.: 1.500
Carrete :3.000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V/-20V N/P
FDC6420C
onsemi
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340.823 En existencias
36.000 Se espera el 15-12-2026
N.º de artículo de Mouser 512-FDC6420C
onsemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V/-20V N/P
340.823 En existencias
36.000 Se espera el 15-12-2026
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$270
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Min.: 1 Mult.: 1
Máx.: 3.000
Carrete :3.000
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