Tube Transistores de RF

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Tipo de producto
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Tipo de transistor
Tecnología
Frecuencia de trabajo
Potencia de salida
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Ganancia
Empaquetado
Analog Devices / Maxim Integrated Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) 3.6V, 1W RF Power Transistors for 900MHz
Hoja de datos
179En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

RF Bipolar Transistors SMD/SMT SOIC-8 Bipolar Power Si 900 MHz 1 W - 40 C + 85 C Tube
NXP Semiconductors Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 100 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V
Hoja de datos
253En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
No
RF MOSFET Transistors Through Hole TO-220-3 Si 1.8 MHz to 250 MHz 115 W - 40 C + 150 C 21.1 dB Tube
Microchip Technology ARF461BG
Microchip Technology Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 1000 V 150 W 65 MHz TO-247 Common Source
Hoja de datos
54En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

RF MOSFET Transistors Through Hole Si 65 MHz 150 W - 55 C + 150 C 13 dB Tube
NXP Semiconductors MHT1803B
NXP Semiconductors Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 300W 200MHZ TO-247-3L 341En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
RF MOSFET Transistors Through Hole TO-247-3 Si 1.8 MHz to 50 MHz 300 W + 150 C 28.2 dB Tube

Microchip Technology Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 500 V 100 W 100 MHz TO-247 Common Source
Hoja de datos
37En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

RF MOSFET Transistors Through Hole TO-247-3 Si 100 MHz 100 W - 55 C + 150 C 15 dB Tube

Microchip Technology Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 500 V 100 W 100 MHz TO-247 Common Source
Hoja de datos
5En existencias
540En pedido
Min.: 1
Mult.: 1

RF MOSFET Transistors Through Hole TO-247-3 Si 100 MHz 100 W - 55 C + 150 C 15 dB Tube
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER RF Transistor
Hoja de datos
323En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

RF MOSFET Transistors SMD/SMT PowerSO-10RF-Straight-4 Si 1 GHz 15 W - 65 C + 150 C 14 dB Tube


STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) HF/VHF/UHF RF N-Ch 300W 15dB 175MHz 36En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

RF MOSFET Transistors Screw Mount Si 250 MHz 300 W + 200 C 15 dB Tube
Microchip Technology ARF463BP1G
Microchip Technology Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 500 V 100 W 100 MHz TO-247 Common Source
Hoja de datos
22En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

RF MOSFET Transistors Through Hole Si 100 MHz 100 W - 55 C + 150 C 15 dB Tube

Microchip Technology Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 1000 V 300 W 45 MHz TO-264
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
Min.: 25
Mult.: 1

RF MOSFET Transistors Through Hole TO-247-3 Si Tube

Microchip Technology Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 1000 V 300 W 45 MHz TO-264
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
Min.: 25
Mult.: 1

RF MOSFET Transistors Through Hole TO-247-3 Si 45 MHz 300 W - 55 C + 150 C 16 dB Tube
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER R.F.
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas
Min.: 400
Mult.: 400

RF MOSFET Transistors SMD/SMT PowerSO-10RF-Straight-4 Si 1 GHz 30 W - 65 C + 150 C 14 dB Tube
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas
Min.: 400
Mult.: 400

RF MOSFET Transistors SMD/SMT PowerSO-10RF-Formed-4 Si 1 GHz 45 W - 65 C + 150 C 13 dB Tube
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic Fam
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas
Min.: 400
Mult.: 400

RF MOSFET Transistors SMD/SMT PowerSO-10RF-Straight-4 Si 1 GHz 60 W - 65 C + 150 C 14.3 dB Tube
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER R.F. N-Ch Trans
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas
Min.: 400
Mult.: 400

RF MOSFET Transistors SMD/SMT PowerSO-10RF-Straight-4 Si 1 GHz 35 W - 65 C + 150 C 14.9 dB Tube
NXP Semiconductors Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Power LDMOS Transistor for Consumer and Commercial Cooking, 1.8-50 MHz, 300 W CW, 50 V Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 240
Mult.: 240
RF MOSFET Transistors Through Hole TO-247-3 Si 1.8 MHz to 50 MHz 330 W + 150 C 28.2 dB Tube
NXP Semiconductors Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Power LDMOS Transistor, 300 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 240
Mult.: 240

RF MOSFET Transistors Through Hole TO-247-3 Si 1.8 MHz to 250 MHz 330 W - 40 C + 150 C 20.4 dB Tube
Microchip Technology ARF463BG
Microchip Technology Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 500 V 100 W 100 MHz TO-247 Common Source
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
Min.: 30
Mult.: 1

RF MOSFET Transistors Si Tube
Microchip Technology ARF468BG
Microchip Technology Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 500 V 270 W 45 MHz TO-264
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
Min.: 25
Mult.: 1

RF MOSFET Transistors Through Hole Si 45 MHz 300 W - 55 C + 150 C 15 dB Tube
Microchip Technology ARF469AG
Microchip Technology Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 500 V 350 W 45 MHz TO-264
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
Min.: 25
Mult.: 1

RF MOSFET Transistors Si Tube
Microchip Technology ARF469BG
Microchip Technology Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 500 V 350 W 45 MHz TO-264
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
Min.: 25
Mult.: 1

RF MOSFET Transistors Si Tube
STMicroelectronics STGWT30HP65FB
STMicroelectronics Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) Trench gate field-stop 650 V, 30 A high speed HB series IGBT
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas
Min.: 600
Mult.: 300

RF Bipolar Transistors Si Tube
ZiLOG Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) IXZR16N60 16A 600V N Channel ZMOS Switch MOSFET ISO Plus 247
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 30
Mult.: 30

RF MOSFET Transistors Through Hole TO-247-3 Si 350 W - 55 C + 175 C Tube
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER R.F.
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas
Min.: 400
Mult.: 400

RF MOSFET Transistors SMD/SMT PowerSO-10 Si 1 GHz 8 W - 65 C + 150 C 17 dB Tube