Tube Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF)

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Serie
Tipo de transistor
Tecnología
Polaridad del transistor
Frecuencia de trabajo
Colector DC/Ganancia Base hfe Mínima
Máx. voltaje VCEO colector-emisor
Voltaje VEBO emisor-base
Corriente continua del colector
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Configuración
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Empaquetado
Renesas / Intersil Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) W/ANNEAL TXARRAY 3X NPN 2XPNP16NSOIC MIL
Hoja de datos
2.256En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

HFA3096 Bipolar Si NPN/PNP 8 GHz, 5.5 GHz 12 V, - 15 V 6 V, - 5 V - 55 C + 125 C Dual SMD/SMT SOIC-Narrow-16 Tube

Renesas / Intersil Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) W/ANNEAL TXARRAY 3X NPN + NPN DIFF PAIR
Hoja de datos
1.387En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

HFA3046 Bipolar Si NPN 8 GHz 40 8 V 5.5 V 65 mA - 55 C + 125 C Quint SOIC-14 Tube
Analog Devices / Maxim Integrated Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) 3.6V, 1W RF Power Transistors for 900MHz
Hoja de datos
202En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MAX2601 Bipolar Power Si NPN 900 MHz 100 17 V 2.3 V 200 mA - 40 C + 85 C Single SMD/SMT SOIC-8 Tube
Analog Devices / Maxim Integrated Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) 3.6V, 1W RF Power Transistors for 900MHz
Hoja de datos
179En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MAX2602 Bipolar Power Si NPN 900 MHz 100 17 V 2.3 V 200 mA - 40 C + 85 C Single SMD/SMT SOIC-8 Tube
STMicroelectronics STGWT30HP65FB
STMicroelectronics Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) Trench gate field-stop 650 V, 30 A high speed HB series IGBT
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas
Min.: 600
Mult.: 300

STGWT30HP65FB Si Tube