Memoria RAM magnetorresistiva

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Paquete / Cubierta
Tipo de interfaz
Tamaño de memoria
Organización
Ancho de bus de datos
Tiempo de acceso
Voltaje de alimentación - Mín.
Voltaje de alimentación - Máx.
Corriente de suministro operativa
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Serie
Empaquetado
Everspin Technologies Memoria RAM magnetorresistiva 256Kb 3.3V 35ns 32Kx8 Parallel Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
16En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

TSOP-II-44 Parallel 256 kbit 32 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 25 mA, 55 mA - 40 C + 85 C MR256A08B Tray
Everspin Technologies Memoria RAM magnetorresistiva 16Mb 3.3V 35ns 1Mx16 Parallel Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
5En existencias
324Se espera el 19-08-2026
Min.: 1
Mult.: 1

TSOP-II-54 Parallel 16 Mbit 1 M x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA - 40 C + 85 C MR4A16B Tray
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva Avalanche High Performance Serial P-SRAM 4Mb in WSON8 package with QSPI - 54MHz interface, 3V, -40 C to 85 C
Hoja de datos
31En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

WSON-8 QSPI 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 20 ns 2.7 V 3.6 V 23 mA - 40 C + 85 C AS3004204 Tray
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva Avalanche High Performance Serial P-SRAM 4Mb in WSON8 package with QSPI - 54MHz interface, 3V, -40 C to 105 C
Hoja de datos
26En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

WSON-8 QSPI 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 20 ns 2.7 V 3.6 V 23 mA - 40 C + 105 C AS3004204 Tray
Everspin Technologies Memoria RAM magnetorresistiva 3.3V 32Mb Memoria RAM magnetorresistiva with unlimited read & write endurance, currently MSL 6
Hoja de datos
3En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

BGA-48 Parallel 32 Mbit 2 M x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA 0 C + 70 C MR5A16A Tray
Everspin Technologies Memoria RAM magnetorresistiva 64Mb 133MHz 1.8V 24-BGA -40C to +125C. AEC-Q100 Automotive Temp Grade
Hoja de datos
100Se espera el 04-03-2026
Min.: 1
Mult.: 1

BGA-24 QSPI 64 Mbit 8 M x 8 1.7 V 2 V 48.5 mA - 40 C + 125 C Tray
Everspin Technologies Memoria RAM magnetorresistiva 64Mb 133MHz 1.8V 8-DFN -40C to +125C. AEC-Q100 Automotive Temp Grade
Hoja de datos
95Se espera el 04-03-2026
Min.: 1
Mult.: 1

DFN-8 QSPI 64 Mbit 8 M x 8 1.7 V 2 V 48.5 mA - 40 C + 125 C Tray
Everspin Technologies Memoria RAM magnetorresistiva 128Mb 133MHz 1.8V 24-BGA -40C to +125C. AEC-Q100 Automotive Temp Grade
Hoja de datos
100Se espera el 04-03-2026
Min.: 1
Mult.: 1

BGA-24 QSPI 128 Mbit 16 M x 9 1.7 V 2 V - 40 C + 125 C Tray
Everspin Technologies Memoria RAM magnetorresistiva IC RAM 128Mb Quad SPI in 8-DFN 133 MHz
Hoja de datos
470Se espera el 08-04-2026
Min.: 1
Mult.: 1
DFN-8 SPI 128 Mbit 16 M x 8 1.65 V 2 V 125 mA, 157 mA - 40 C + 105 C Tray
Everspin Technologies Memoria RAM magnetorresistiva 128Mb 133MHz 1.8V 8-DFN -40C to +125C. AEC-Q100 Automotive Temp Grade
Hoja de datos
90Se espera el 04-03-2026
Min.: 1
Mult.: 1

DFN-8 QSPI 128 Mbit 16 M x 9 1.7 V 2 V - 40 C + 125 C Tray
Everspin Technologies Memoria RAM magnetorresistiva 16Mb 3.3V 35ns 1Mx16 Parallel Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
996Se espera el 15-04-2026
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.000

TSOP-II-54 Parallel 16 Mbit 1 M x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA - 40 C + 85 C MR4A16B Reel, Cut Tape, MouseReel
Renesas Electronics M30044010035X0ISAR
Renesas Electronics Memoria RAM magnetorresistiva M3004401 4MB HIGH PERFORMANCE SPI 35MHZ Memoria RAM magnetorresistiva Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas
Min.: 2.000
Mult.: 2.000
Carrete: 2.000

SPI 4 Mbit M3004401 Reel
Renesas Electronics M30044010035X0ISAY
Renesas Electronics Memoria RAM magnetorresistiva M3004401 4MB HIGH PERFORMANCE SPI 35MHZ Memoria RAM magnetorresistiva Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas
Min.: 300
Mult.: 300

SPI 4 Mbit M3004401 Tray
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva Avalanche High Performance Serial P-SRAM 16Mb in WSON8 package with QSPI - 108MHz interface, 3V, -40 C to 105 C
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 4 Semanas
Min.: 1.365
Mult.: 455

WSON-8 QSPI 16 Mbit 2 M x 8 8 bit 10 ns 2.7 V 3.6 V 23 mA - 40 C + 105 C AS3016204 Tray
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 2.000
Mult.: 2.000
Carrete: 2.000
SOIC-8 QSPI 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 20 ns 1.71 V 2 V 21 mA - 40 C + 85 C AS1001204 Reel
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva Avalanche High Performance Serial P-SRAM 1Mb in SOIC8 package with QSPI - 54MHz interface, 1.8V, -40 C to 85 C
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1.200
Mult.: 300

SOIC-8 QSPI 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 20 ns 1.71 V 2 V 21 mA - 40 C + 85 C AS1001204 Tray
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 4.000
Mult.: 4.000
Carrete: 4.000
WSON-8 QSPI 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 20 ns 1.71 V 2 V 21 mA - 40 C + 85 C AS1001204 Reel
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva Avalanche High Performance Serial P-SRAM 1Mb in WSON8 package with QSPI - 54MHz interface, 1.8V, -40 C to 85 C
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1.365
Mult.: 455

WSON-8 QSPI 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 20 ns 1.71 V 2 V 21 mA - 40 C + 85 C AS1001204 Tray
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 2.000
Mult.: 2.000
Carrete: 2.000
SOIC-8 QSPI 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 20 ns 1.71 V 2 V 21 mA - 40 C + 105 C AS1001204 Reel
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva Avalanche High Performance Serial P-SRAM 1Mb in SOIC8 package with QSPI - 54MHz interface, 1.8V, -40 C to 105 C
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1.200
Mult.: 300

SOIC-8 QSPI 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 20 ns 1.71 V 2 V 21 mA - 40 C + 105 C AS1001204 Tray
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 4.000
Mult.: 4.000
Carrete: 4.000
WSON-8 QSPI 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 20 ns 1.71 V 2 V 21 mA - 40 C + 105 C AS1001204 Reel
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva Avalanche High Performance Serial P-SRAM 1Mb in WSON8 package with QSPI - 54MHz interface, 1.8V, -40 C to 105 C
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1.365
Mult.: 455

WSON-8 QSPI 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 20 ns 1.71 V 2 V 21 mA - 40 C + 105 C AS1001204 Tray
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 2.000
Mult.: 2.000
Carrete: 2.000
SOIC-8 QSPI 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 10 ns 1.71 V 2 V 21 mA - 40 C + 85 C AS1001204 Reel
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva Avalanche High Performance Serial P-SRAM 1Mb in SOIC8 package with QSPI - 108MHz interface, 1.8V, -40 C to 85 C
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1.200
Mult.: 300

SOIC-8 QSPI 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 10 ns 1.71 V 2 V 21 mA - 40 C + 85 C AS1001204 Tray
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 4.000
Mult.: 4.000
Carrete: 4.000
WSON-8 QSPI 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 10 ns 1.71 V 2 V 21 mA - 40 C + 85 C AS1001204 Reel