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Tube MOSFETs de SiC

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Resultados: 585

Filtros aplicados:

Empaquetado = Tube

Fabricante

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

Nombre comercial

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En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with .XT interconnection technology

IMZC120R007M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: $36.986
187En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMZC120R007M2HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMZC120R007M2HXK

Nuevo producto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with .XT interconnection technology

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187En existencias

$36.986

$29.670

$27.818

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

PG-TO247-4-U07

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

201 A

20 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

176 nC

- 55 C

+ 175 C

711 W

CoolSiC

MOSFETs de SiC 650V 50mR, TO-247-4L, Automotive Grade

AAR050V065H2
APC-E
1: $7.218
270En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
AAR050V065H2

N.º de artículo de Mouser
896-AAR050V065H2

Nuevo producto

APC-E

MOSFETs de SiC 650V 50mR, TO-247-4L, Automotive Grade

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270En existencias

$7.218

$5.101

$4.234

$3.781

$3.525

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4L

N-Channel

1 Channel

650 V

44 A

65 mOhms

- 10 V, 25 V

4.2 V

45 nC

- 55 C

+ 175 C

198 W

Enhancement

MOSFETs de SiC 1200V 75mR, TO-247-4L, Industrial Grade

AMR075V120H2
APC-E
1: $6.863
268En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
AMR075V120H2

N.º de artículo de Mouser
896-AMR075V120H2

Nuevo producto

APC-E

MOSFETs de SiC 1200V 75mR, TO-247-4L, Industrial Grade

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268En existencias

$6.863

$5.032

$4.057

$3.604

$3.190

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4L

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

27 A

98 mOhms

- 10 V, 25 V

4.2 V

40 nC

- 55 C

+ 175 C

151 W

Enhancement

MOSFETs de SiC 1200V 75mR, TO-247-4L, Automotive Grade

AAR075V120H2
APC-E
1: $7.120
290En existencias
Nuevo producto

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AAR075V120H2

N.º de artículo de Mouser
896-AAR075V120H2

Nuevo producto

APC-E

MOSFETs de SiC 1200V 75mR, TO-247-4L, Automotive Grade

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290En existencias

$7.120

$5.317

$4.293

$3.811

$3.368

Min.: 1
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Through Hole

TO-247-4L

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

27 A

98 mOhms

- 10 V, 25 V

4.2 V

40 nC

- 55 C

+ 175 C

151 W

Enhancement

MOSFETs de SiC 650V 50mR, TO-247-4L, Industrial Grade

AMR050V065H2
APC-E
1: $7.129
288En existencias
Nuevo producto

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AMR050V065H2

N.º de artículo de Mouser
896-AMR050V065H2

Nuevo producto

APC-E

MOSFETs de SiC 650V 50mR, TO-247-4L, Industrial Grade

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288En existencias

$7.129

$5.268

$4.254

$3.781

$3.348

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4L

N-Channel

1 Channel

650 V

44 A

65 mOhms

- 10 V, 25 V

4.2 V

45 nC

- 55 C

+ 175 C

198 W

Enhancement

MOSFETs de SiC 1700V Through-Hole MOSFET N-Channel SiC

CDMS24740-170 SL PBFREE
Central Semiconductor
1: $38.946
27En existencias
Nuevo producto

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CDMS24740-170 SL PBFREE

N.º de artículo de Mouser
610-CDMS24740-170SL

Nuevo producto

Central Semiconductor

MOSFETs de SiC 1700V Through-Hole MOSFET N-Channel SiC

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$38.946

$31.865

$28.153

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.7 kV

26 A

40 mOhms

20 V

2.4 V

- 55 C

+ 175 C

28 W

Depletion

MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-3L 650V

NTHL025N065SC1
onsemi
1: $17.892
1.292En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTHL025N065SC1

N.º de artículo de Mouser
863-NTHL025N065SC1

onsemi

MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-3L 650V

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1.292En existencias

$17.892

$14.249

$13.146

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

99 A

28.5 mOhms

- 8 V, + 22 V

4.3 V

164 nC

- 55 C

+ 175 C

348 W

Enhancement

EliteSiC

MOSFETs de SiC SIC_DISCRETE

AIMW120R060M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: $23.948
799En existencias

N.º de artículo del Fabricante
AIMW120R060M1HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-W120R060M1HXKSA1

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SIC_DISCRETE

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799En existencias

$23.948

$20.039

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

36 A

60 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.7 V

31 nC

- 55 C

+ 175 C

150 mW

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-4L 650V

NVH4L025N065SC1
onsemi
1: $24.963
428En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVH4L025N065SC1

N.º de artículo de Mouser
863-NVH4L025N065SC1

onsemi

MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-4L 650V

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428En existencias

$24.963

$20.246

$19.606

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

99 A

28.5 mOhms

- 8 V, + 22 V

4.3 V

164 nC

- 55 C

+ 175 C

348 W

Enhancement

EliteSiC

MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-3L 160MOHM 1200V

NVHL160N120SC1
onsemi
1: $12.181
2.424En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVHL160N120SC1

N.º de artículo de Mouser
863-NVHL160N120SC1

onsemi

MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-3L 160MOHM 1200V

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2.424En existencias

$12.181

$7.533

$7.060

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

17 A

224 mOhms

- 15 V, + 25 V

4.3 V

34 nC

- 55 C

+ 175 C

119 W

Enhancement

EliteSiC

MOSFETs de SiC SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO263-7 TUBE 50PCS

DMWSH120H90SCT7Q
Diodes Incorporated
1: $11.442
35En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
DMWSH120H90SCT7Q

N.º de artículo de Mouser
621-DMWSH120H90SCT7Q

Nuevo producto

Diodes Incorporated

MOSFETs de SiC SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO263-7 TUBE 50PCS

Hoja de datos

35En existencias

$11.442

$7.661

$6.460

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

38.2 A

90 mOhms

- 4 V, + 15 V

3.5 V

54.6 nC

- 55 C

+ 175 C

197 W

Enhancement

MOSFETs de SiC SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO263-7 TUBE 50PCS

DMWSH120H90SCT7
Diodes Incorporated
1: $9.453
50En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
DMWSH120H90SCT7

N.º de artículo de Mouser
621-DMWSH120H90SCT7

Nuevo producto

Diodes Incorporated

MOSFETs de SiC SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO263-7 TUBE 50PCS

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50En existencias

$9.453

$6.145

$5.111

$4.973

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

38.2 A

90 mOhms

- 4 V, + 15 V

3.5 V

54.6 nC

- 55 C

+ 175 C

197 W

Enhancement

MOSFETs de SiC 1200V SIC Mosfet 20mOHm 200C Temp TO247-4 AEC-Q101

TM3B0020120A
Coherent
1: $41.210
139En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TM3B0020120A

N.º de artículo de Mouser
508-TM3B0020120

Coherent

MOSFETs de SiC 1200V SIC Mosfet 20mOHm 200C Temp TO247-4 AEC-Q101

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139En existencias

$41.210

$35.804

$31.314

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

115 A

24.3 mOhms

- 20 V, + 20 V

2.8 V

172 nC

- 55 C

+ 200 C

660 W

Enhancement

MOSFETs de SiC SIC_DISCRETE

AIMW120R035M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: $33.165
274En existencias

N.º de artículo del Fabricante
AIMW120R035M1HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-W120R035M1HXKSA1

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SIC_DISCRETE

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274En existencias

$33.165

$25.534

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

52 A

35 mOhms

- 7 V, + 23 V

4.5 V

59 nC

- 55 C

+ 175 C

228 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC SIC_DISCRETE

AIMW120R080M1XKSA1
Infineon Technologies
1: $13.481
192En existencias

N.º de artículo del Fabricante
AIMW120R080M1XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-W120R080M1XKSA1

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SIC_DISCRETE

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Hoja de datos

192En existencias

$13.481

$9.631

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

33 A

80 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.7 V

28 nC

- 55 C

+ 175 C

150 mW

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC TO247 750V 105A N-CH SIC

SCT4013DRC15
ROHM Semiconductor
1: $34.229
402En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SCT4013DRC15

N.º de artículo de Mouser
755-SCT4013DRC15

ROHM Semiconductor

MOSFETs de SiC TO247 750V 105A N-CH SIC

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402En existencias

$34.229

$27.090

$25.337

$25.327

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

750 V

105 A

16.9 mOhms

- 4 V, + 21 V

4.8 V

170 nC

+ 175 C

312 W

Enhancement

MOSFETs de SiC SIC MOSFET 900V TO247-4L

NTH4L020N090SC1
onsemi
1: $26.912
2.250En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTH4L020N090SC1

N.º de artículo de Mouser
863-NTH4L020N090SC1

onsemi

MOSFETs de SiC SIC MOSFET 900V TO247-4L

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2.250En existencias

$26.912

$19.694

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

900 V

118 A

28 mOhms

- 8 V, + 22 V

4.3 V

196 nC

- 55 C

+ 175 C

484 W

Enhancement

EliteSiC

MOSFETs de SiC SIC_DISCRETE

AIMW120R045M1XKSA1
Infineon Technologies
1: $21.181
837En existencias

N.º de artículo del Fabricante
AIMW120R045M1XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-AIMW120R045M1XKS

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SIC_DISCRETE

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Hoja de datos

837En existencias

$21.181

$15.854

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

52 A

59 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.7 V

57 nC

- 55 C

+ 175 C

228 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC TO247 750V 56A N-CH SIC

SCT4026DEC11
ROHM Semiconductor
1: $19.507
635En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SCT4026DEC11

N.º de artículo de Mouser
755-SCT4026DEC11

ROHM Semiconductor

MOSFETs de SiC TO247 750V 56A N-CH SIC

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635En existencias

$19.507

$12.279

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247N-3

N-Channel

1 Channel

750 V

56 A

26 mOhms

- 4 V, + 21 V

4.8 V

94 nC

+ 175 C

176 W

Enhancement

MOSFETs de SiC G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 45mohm

TW045N120C,S1F
Toshiba
1: $27.828
131En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TW045N120C,S1F

N.º de artículo de Mouser
757-TW045N120CS1F

Toshiba

MOSFETs de SiC G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 45mohm

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Hoja de datos

131En existencias

$27.828

$20.492

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

40 A

182 mOhms

- 10 V, + 25 V

5 V

57 nC

- 55 C

+ 175 C

182 W

Enhancement

MOSFETs de SiC G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 60mohm

TW060N120C,S1F
Toshiba
1: $22.609
364En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TW060N120C,S1F

N.º de artículo de Mouser
757-TW060N120CS1F

Toshiba

MOSFETs de SiC G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 60mohm

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364En existencias

$22.609

$15.765

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

36 A

182 mOhms

- 10 V, + 25 V

5 V

46 nC

- 55 C

+ 175 C

170 W

Enhancement

MOSFETs de SiC TO247 1.2KV 26A N-CH SIC

SCT4062KEC11
ROHM Semiconductor
1: $9.128
833En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SCT4062KEC11

N.º de artículo de Mouser
755-SCT4062KEC11

ROHM Semiconductor

MOSFETs de SiC TO247 1.2KV 26A N-CH SIC

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Hoja de datos

833En existencias

$9.128

$7.710

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247N-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

26 A

81 mOhms

- 4 V, + 21 V

4.8 V

64 nC

+ 175 C

115 W

Enhancement

MOSFETs de SiC 1200V 80mOhm SiC MOSFET

LSIC1MO120E0080
IXYS
1: $18.710
4.196En existencias

N.º de artículo del Fabricante
LSIC1MO120E0080

N.º de artículo de Mouser
576-LSICMO120E0080

IXYS

MOSFETs de SiC 1200V 80mOhm SiC MOSFET

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Hoja de datos

4.196En existencias

$18.710

$15.086

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

39 A

80 mOhms

- 5 V, + 20 V

2.8 V

95 nC

- 55 C

+ 150 C

179 W

Enhancement

MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-4L 40MOHM 1

NTH4L040N120SC1
onsemi
1: $19.576
1.491En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTH4L040N120SC1

N.º de artículo de Mouser
863-NTH4L040N120SC1

onsemi

MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-4L 40MOHM 1

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Hoja de datos

1.491En existencias

$19.576

$14.485

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

58 A

56 mOhms

- 15 V, + 25 V

4.3 V

106 nC

- 55 C

+ 175 C

319 W

Enhancement

EliteSiC

MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-4L 650V

NTH4L060N065SC1
onsemi
1: $9.424
430En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTH4L060N065SC1

N.º de artículo de Mouser
863-NTH4L060N065SC1

onsemi

MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-4L 650V

Obtenga más información

Hoja de datos

430En existencias

$9.424

$7.100

$6.548

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

33 A

70 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.3 V

74 nC

- 55 C

+ 175 C

88 W

Enhancement

EliteSiC

Tube MOSFETs de SiC

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

APM-16
D2PAK-7 (TO-263-7)
D3PAK-3
D3PAK-3 (TO-268-3)
HiP247-3
HiP-247-3
HIP247-4
HiP247-4
Hip247-4
HiP-247-4
ISO247-4
PG-TO-247-4
PG-TO247-4-U02
PG-TO247-4-U07
SMPD-B
STPAK-4
TO-220-3
TO-247-3
To-247-3
TO-247-3L

3.7 A
4.4 A
4.7 A
5 A
5.4 A
6 A
6.2 A
6.4 A
6.8 A
7 A
7.2 A
7.5 A
7.6 A
10 A
11 A
12 A
13 A
14 A
16 A
17 A

10.5 nC
5.9 mOhms
7 mOhms
8.5 mOhms
8.7 mOhms
9 mOhms
9.9 mOhms
11 mOhms
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13.1 mOhms
14 mOhms
15 mOhms
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16 mOhms
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17 mOhms
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18 mOhms

- 25 V, + 25 V
- 20 V, + 20 V
- 18 V, + 18 V
- 15 V, + 25 V
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- 10 V, 22.6 V
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-10 V, 22 V
- 8 V, + 19 V
- 8 V, + 22 C
- 8 V, + 22 V
- 7 V, + 20 V
- 7 V, + 23 V

1.6 V
1.7 V
1.8 V
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2 V
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3 V
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5.3 nC
5.5 nC
8.1 nC
8.5 nC
11 nC
11.7 nC
13 nC
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25.7 nC
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28 nC

150 mW
28 W
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50 W
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90 W