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Toshiba MOSFETs de SiC

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Resultados: 27

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Fabricante = Toshiba

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

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En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

MOSFETs de SiC G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 60mohm

TW060N120C,S1F
Toshiba
1: $25.715
374En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TW060N120C,S1F

N.º de artículo de Mouser
757-TW060N120CS1F

Toshiba

MOSFETs de SiC G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 60mohm

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374En existencias

$25.715

$16.296

$16.262

$15.680

Presupuesto

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Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

36 A

182 mOhms

- 10 V, + 25 V

5 V

46 nC

- 55 C

+ 175 C

170 W

Enhancement

MOSFETs de SiC G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 45mohm

TW045N120C,S1F
Toshiba
1: $31.651
131En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TW045N120C,S1F

N.º de artículo de Mouser
757-TW045N120CS1F

Toshiba

MOSFETs de SiC G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 45mohm

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131En existencias

$31.651

$19.902

$19.454

$19.365

Ver

Min.: 1
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Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

40 A

182 mOhms

- 10 V, + 25 V

5 V

57 nC

- 55 C

+ 175 C

182 W

Enhancement

MOSFETs de SiC G3 650V SiC-MOSFET TO-247 48mohm

TW048N65C,S1F
Toshiba
1: $22.053
83En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TW048N65C,S1F

N.º de artículo de Mouser
757-TW048N65CS1F

Toshiba

MOSFETs de SiC G3 650V SiC-MOSFET TO-247 48mohm

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83En existencias

$22.053

$13.362

$12.757

$12.746

$12.578

Min.: 1
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Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

40 A

65 mOhms

- 10 V, + 25 V

5 V

41 nC

- 55 C

+ 175 C

132 W

Enhancement

MOSFETs de SiC G3 650V SiC-MOSFET TO-247 27mohm

TW027N65C,S1F
Toshiba
1: $30.565
65En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TW027N65C,S1F

N.º de artículo de Mouser
757-TW027N65CS1F

Toshiba

MOSFETs de SiC G3 650V SiC-MOSFET TO-247 27mohm

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65En existencias

$30.565

$19.018

$18.536

$18.514

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TO-247-3

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1 Channel

650 V

58 A

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- 10 V, + 25 V

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65 nC

- 55 C

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156 W

Enhancement

MOSFETs de SiC N-ch SiC MOSFET, 650 V, 0.031 Ohma.18 V, DFN 8 x 8, 3rd Gen.

TW031V65C,LQ
Toshiba
1: $45.562
2.500En existencias
Nuevo producto

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TW031V65C,LQ

N.º de artículo de Mouser
757-TW031V65CLQ

Nuevo producto

Toshiba

MOSFETs de SiC N-ch SiC MOSFET, 650 V, 0.031 Ohma.18 V, DFN 8 x 8, 3rd Gen.

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2.500En existencias

Cinta cortada

$45.562

$39.581

$34.619

Envase tipo carrete

$34.619

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Carrete: 2.500

SMD/SMT

DFN-5

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1 Channel

650 V

53 A

45 mOhms

- 10 V, 25 V

5 V

65 nC

+ 175 C

156 W

Enhancement

MOSFETs de SiC N-ch SiC MOSFET, 650 V, 0.054 Ohma.18 V, DFN 8 x 8, 3rd Gen.

TW054V65C,LQ
Toshiba
1: $31.326
2.500En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
TW054V65C,LQ

N.º de artículo de Mouser
757-TW054V65CLQ

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Toshiba

MOSFETs de SiC N-ch SiC MOSFET, 650 V, 0.054 Ohma.18 V, DFN 8 x 8, 3rd Gen.

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2.500En existencias

Cinta cortada

$31.326

$26.186

$22.904

Envase tipo carrete

$22.904

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Carrete: 2.500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

650 V

36 A

81 mOhms

- 10 V, 25 V

5 V

41 nC

+ 175 C

132 W

Enhancement

MOSFETs de SiC N-ch SiC MOSFET, 650 V, 0.092 Ohma.18 V, DFN 8 x 8, 3rd Gen.

TW092V65C,LQ
Toshiba
1: $24.819
2.493En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
TW092V65C,LQ

N.º de artículo de Mouser
757-TW092V65CLQ

Nuevo producto

Toshiba

MOSFETs de SiC N-ch SiC MOSFET, 650 V, 0.092 Ohma.18 V, DFN 8 x 8, 3rd Gen.

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Cinta cortada

$24.819

$20.306

$17.931

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$17.931

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Carrete: 2.500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

650 V

27 A

136 mOhms

- 10 V, 25 V

5 V

28 nC

+ 175 C

111 W

Enhancement

MOSFETs de SiC N-ch SiC MOSFET, 650 V, 0.123 Ohma.18 V, DFN 8 x 8, 3rd Gen.

TW123V65C,LQ
Toshiba
1: $18.402
2.500En existencias
Nuevo producto

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TW123V65C,LQ

N.º de artículo de Mouser
757-TW123V65CLQ

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Toshiba

MOSFETs de SiC N-ch SiC MOSFET, 650 V, 0.123 Ohma.18 V, DFN 8 x 8, 3rd Gen.

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Cinta cortada

$18.402

$14.728

$12.734

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$12.734

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Carrete: 2.500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

650 V

18 A

183 mOhms

- 10 V, 25 V

5 V

21 nC

+ 175 C

76 W

Enhancement

MOSFETs de SiC G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 15mohm

TW015N120C,S1F
Toshiba
1: $86.666
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TW015N120C,S1F

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757-TW015N120CS1F

Toshiba

MOSFETs de SiC G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 15mohm

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31En existencias

$86.666

$70.582

$70.571

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TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

100 A

182 mOhms

- 10 V, + 25 V

5 V

158 nC

- 55 C

+ 175 C

431 W

Enhancement

MOSFETs de SiC G3 650V SiC-MOSFET TO-247 15mohm

TW015N65C,S1F
Toshiba
1: $66.752
49En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TW015N65C,S1F

N.º de artículo de Mouser
757-TW015N65CS1F

Toshiba

MOSFETs de SiC G3 650V SiC-MOSFET TO-247 15mohm

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49En existencias

$66.752

$51.408

$51.397

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

100 A

21 mOhms

- 10 V, + 25 V

5 V

128 nC

- 55 C

+ 175 C

342 W

Enhancement

MOSFETs de SiC G3 1200V SiC-MOSFET TO-247-4L 15mohm

TW015Z120C,S1F
Toshiba
1: $80.069
45En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TW015Z120C,S1F

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757-TW015Z120CS1F

Toshiba

MOSFETs de SiC G3 1200V SiC-MOSFET TO-247-4L 15mohm

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45En existencias

$80.069

$64.131

$64.120

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Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

100 A

15 mOhms

- 10 V, + 25 V

5 V

158 nC

+ 175 C

431 W

Enhancement

MOSFETs de SiC G3 650V SiC-MOSFET TO-247-4L 15mohm

TW015Z65C,S1F
Toshiba
1: $54.398
142En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TW015Z65C,S1F

N.º de artículo de Mouser
757-TW015Z65CS1F

Toshiba

MOSFETs de SiC G3 650V SiC-MOSFET TO-247-4L 15mohm

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142En existencias

$54.398

$47.051

$47.040

Presupuesto

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Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

100 A

15 mOhms

- 10 V, + 25 V

5 V

128 nC

+ 175 C

342 W

Enhancement

MOSFETs de SiC G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 30mohm

TW030N120C,S1F
Toshiba
1: $42.661
38En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TW030N120C,S1F

N.º de artículo de Mouser
757-TW030N120CS1F

Toshiba

MOSFETs de SiC G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 30mohm

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38En existencias

$42.661

$32.245

$32.234

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

40 mOhms

- 10 V, + 25 V

5 V

82 nC

- 55 C

+ 175 C

249 W

Enhancement

MOSFETs de SiC G3 1200V SiC-MOSFET TO-247-4L 30mohm

TW030Z120C,S1F
Toshiba
1: $43.366
50En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TW030Z120C,S1F

N.º de artículo de Mouser
757-TW030Z120CS1F

Toshiba

MOSFETs de SiC G3 1200V SiC-MOSFET TO-247-4L 30mohm

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Hoja de datos

50En existencias

$43.366

$35.448

$31.618

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Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

60 A

30 mOhms

- 10 V, + 25 V

5 V

82 nC

+ 175 C

249 W

Enhancement

MOSFETs de SiC G3 1200V SiC-MOSFET TO-247-4L 45mohm

TW045Z120C,S1F
Toshiba
1: $29.590
50En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TW045Z120C,S1F

N.º de artículo de Mouser
757-TW045Z120CS1F

Toshiba

MOSFETs de SiC G3 1200V SiC-MOSFET TO-247-4L 45mohm

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Hoja de datos

50En existencias

$29.590

$19.107

$18.726

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

40 A

45 mOhms

- 10 V, + 25 V

5 V

57 nC

+ 175 C

182 W

Enhancement

MOSFETs de SiC G3 650V SiC-MOSFET TO-247-4L 48mohm

TW048Z65C,S1F
Toshiba
1: $21.526
92En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TW048Z65C,S1F

N.º de artículo de Mouser
757-TW048Z65CS1F

Toshiba

MOSFETs de SiC G3 650V SiC-MOSFET TO-247-4L 48mohm

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92En existencias

$21.526

$15.299

$14.280

$14.056

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

40 A

48 mOhms

- 10 V, + 25 V

5 V

41 nC

+ 175 C

132 W

Enhancement

MOSFETs de SiC G3 1200V SiC-MOSFET TO-247-4L 60mohm

TW060Z120C,S1F
Toshiba
1: $24.360
36En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TW060Z120C,S1F

N.º de artículo de Mouser
757-TW060Z120CS1F

Toshiba

MOSFETs de SiC G3 1200V SiC-MOSFET TO-247-4L 60mohm

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Hoja de datos

36En existencias

$24.360

$15.456

$14.627

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

36 A

60 mOhms

- 10 V, + 25 V

5 V

46 nC

+ 175 C

170 W

Enhancement

MOSFETs de SiC G3 650V SiC-MOSFET TO-247 83mohm

TW083N65C,S1F
Toshiba
1: $18.872
25En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TW083N65C,S1F

N.º de artículo de Mouser
757-TW083N65CS1F

Toshiba

MOSFETs de SiC G3 650V SiC-MOSFET TO-247 83mohm

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Hoja de datos

25En existencias

$18.872

$14.538

$13.406

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

20 A

145 mOhms

- 10 V, + 25 V

5 V

21 nC

- 55 C

+ 175 C

76 W

Enhancement

MOSFETs de SiC G3 650V SiC-MOSFET TO-247-4L 83mohm

TW083Z65C,S1F
Toshiba
1: $18.189
25En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TW083Z65C,S1F

N.º de artículo de Mouser
757-TW083Z65CS1F

Toshiba

MOSFETs de SiC G3 650V SiC-MOSFET TO-247-4L 83mohm

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Hoja de datos

25En existencias

$18.189

$12.219

$11.222

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

30 A

83 mOhms

- 10 V, + 25 V

5 V

28 nC

+ 175 C

111 W

Enhancement

MOSFETs de SiC G3 650V SiC-MOSFET TO-247 107mohm

TW107N65C,S1F
Toshiba
1: $13.586
76En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TW107N65C,S1F

N.º de artículo de Mouser
757-TW107N65CS1F

Toshiba

MOSFETs de SiC G3 650V SiC-MOSFET TO-247 107mohm

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Hoja de datos

76En existencias

$13.586

$11.066

$9.621

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

20 A

113 mOhms

- 10 V, + 25 V

5 V

28 nC

- 55 C

+ 175 C

111 W

Enhancement

MOSFETs de SiC G3 650V SiC-MOSFET TO-247-4L 107mohm

TW107Z65C,S1F
Toshiba
1: $12.734
45En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TW107Z65C,S1F

N.º de artículo de Mouser
757-TW107Z65CS1F

Toshiba

MOSFETs de SiC G3 650V SiC-MOSFET TO-247-4L 107mohm

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Hoja de datos

45En existencias

$12.734

$7.638

$6.507

$6.339

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

20 A

107 mOhms

- 10 V, + 25 V

5 V

21 nC

+ 175 C

76 W

Enhancement

MOSFETs de SiC G3 1200V SiC-MOSFET TO-247-4L 140mohm

TW140Z120C,S1F
Toshiba
1: $14.336
65En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TW140Z120C,S1F

N.º de artículo de Mouser
757-TW140Z120CS1F

Toshiba

MOSFETs de SiC G3 1200V SiC-MOSFET TO-247-4L 140mohm

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Hoja de datos

65En existencias

$14.336

$8.512

$7.448

$7.403

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

20 A

140 mOhms

- 10 V, + 25 V

5 V

24 nC

+ 175 C

107 W

Enhancement

MOSFETs de SiC G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 140mohm

TW140N120C,S1F
Toshiba
1: $15.109
5En existencias
60En pedido

N.º de artículo del Fabricante
TW140N120C,S1F

N.º de artículo de Mouser
757-TW140N120CS1F

Toshiba

MOSFETs de SiC G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 140mohm

Obtenga más información

Hoja de datos

5En existencias

60En pedido

$15.109

$9.206

$7.918

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

20 A

182 mOhms

- 10 V, + 25 V

5 V

24 nC

- 55 C

+ 175 C

107 W

Enhancement

MOSFETs de SiC G3 650V SiC-MOSFET TO-247-4L 27mohm

TW027Z65C,S1F
Toshiba
1: $28.829
Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
TW027Z65C,S1F

N.º de artículo de Mouser
757-TW027Z65CS1F

Toshiba

MOSFETs de SiC G3 650V SiC-MOSFET TO-247-4L 27mohm

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas

$28.829

$18.570

$18.122

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

58 A

27 mOhms

- 10 V, + 25 V

5 V

65 nC

+ 175 C

156 W

Enhancement

MOSFETs de SiC N-ch SiC MOSFET, 650 V, 0.027 ohm(typ.)a.18 V, TOLL, 3rd Gen.

TW027U65C,RQ
Toshiba
2.000: $30.106
No en existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
TW027U65C,RQ

N.º de artículo de Mouser
757-TW027U65CRQ

Nuevo producto

Toshiba

MOSFETs de SiC N-ch SiC MOSFET, 650 V, 0.027 ohm(typ.)a.18 V, TOLL, 3rd Gen.

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Toshiba MOSFETs de SiC

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