OptiMOS P Serie Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Nombre comercial
Empaquetado
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -30V 50A DPAK-4 OptiMOS P
Hoja de datos
2.439En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 30 V 50 A 5.7 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 126 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement AEC-Q100 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -20V -14.9A DSO-8 OptiMOS P
Hoja de datos
3.645En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2.500

Si SMD/SMT SOIC-8 P-Channel 1 Channel 20 V 14.9 A 10.3 mOhms - 12 V, 12 V 900 mV 66 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -30V -14.9A DSO-8 OptiMOS P
Hoja de datos
1.752En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2.500

Si SMD/SMT SOIC-8 P-Channel 1 Channel 30 V 14.9 A 8.8 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 102 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -30V -14.9A DSO-8 OptiMOS P
Hoja de datos
3.032En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2.500

Si SMD/SMT SOIC-8 P-Channel 1 Channel 30 V 14.9 A 6.7 mOhms - 25 V, 25 V 1.5 V 102 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -20V -4.7A TSOP-6 OptiMOS P
Hoja de datos
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Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas
Min.: 3.000
Mult.: 3.000
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT TSOP-6 P-Channel 1 Channel 20 V 4.7 A 94 mOhms - 12 V, 12 V 900 mV 8.3 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement OptiMOS Reel