.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

OptiMOS 2 Serie Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 10

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Serie = OptiMOS 2

Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

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.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 71A TDSON-8 OptiMOS 2

BSC118N10NS G
Infineon Technologies
1: $1.960
4.333En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
BSC118N10NS G

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726-BSC118N10NSG

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 71A TDSON-8 OptiMOS 2

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$1.960

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$585

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5.000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

100 V

11 A

11.8 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

56 nC

- 55 C

+ 150 C

114 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

IPD25CN10NGATMA1
Infineon Technologies
1: $1.713
15.387En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPD25CN10NGATMA1

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726-IPD25CN10NGATMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

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15.387En existencias

Cinta cortada

$1.713

$1.093

$730

$576

$526

Envase tipo carrete

$487

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2.500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

35 A

19 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

23 nC

- 55 C

+ 175 C

71 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 40A TDSON-8 OptiMOS 2

BSC252N10NSFGATMA1
Infineon Technologies
1: $1.674
24.303En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC252N10NSFGATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC252N10NSFGATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 40A TDSON-8 OptiMOS 2

Hoja de datos

24.303En existencias

Cinta cortada

$1.674

$1.073

$714

$563

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Envase tipo carrete

$475

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5.000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

100 V

40 A

19.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

17 nC

- 55 C

+ 150 C

78 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

IPD33CN10NGATMA1
Infineon Technologies
1: $1.526
2.144En existencias

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IPD33CN10NGATMA1

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726-IPD33CN10NGATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

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$1.526

$964

$643

$505

$461

Envase tipo carrete

$415

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2.500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

27 A

25 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

18 nC

- 55 C

+ 175 C

58 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 40A TDSON-8 OptiMOS 2

BSC265N10LSF G
Infineon Technologies
1: $1.477
2.155En existencias
NRND

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BSC265N10LSF G

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726-BSC265N10LSFG

NRND

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$1.477

$932

$618

$488

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Envase tipo carrete

$388

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5.000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

100 V

40 A

20 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

21 nC

- 55 C

+ 150 C

78 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 40A TDSON-8 OptiMOS 2

BSC265N10LSFGATMA1
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NRND

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BSC265N10LSFGATMA1

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726-BSC265N10LSFGATM

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 40A TDSON-8 OptiMOS 2

Hoja de datos

5.517En existencias

Cinta cortada

$1.448

$883

$612

$480

$418

Envase tipo carrete

$388

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5.000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

100 V

40 A

20 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

21 nC

- 55 C

+ 150 C

78 W

Enhancement

OptiMOS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 90A TDSON-8 OptiMOS 2

BSC100N10NSF G
Infineon Technologies
1: $2.580
10.695En existencias

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BSC100N10NSF G

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726-BSC100N10NSFG

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 90A TDSON-8 OptiMOS 2

Hoja de datos

10.695En existencias

Cinta cortada

$2.580

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$1.152

$922

$861

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$861

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5.000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

100 V

90 A

10 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

44 nC

- 55 C

+ 150 C

156 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

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BSC252N10NSF G
Infineon Technologies
1: $1.723
1.599En existencias

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BSC252N10NSF G

N.º de artículo de Mouser
726-BSC252N10NSFG

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 40A TDSON-8 OptiMOS 2

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1.599En existencias

Cinta cortada

$1.723

$1.093

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$597

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Carrete: 5.000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

100 V

40 A

19.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

17 nC

- 55 C

+ 150 C

78 W

Enhancement

OptiMOS

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IPD78CN10NGATMA1
Infineon Technologies
1: $1.152
6.959En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IPD78CN10NGATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD78CN10NGATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

Hoja de datos

6.959En pedido

Cinta cortada

$1.152

$720

$474

$370

Envase tipo carrete

$289

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Mult.: 1

Carrete: 2.500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

13 A

78 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

8 nC

- 55 C

+ 175 C

31 W

Enhancement

OptiMOS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 29A DPAK-2

IPD350N06L G
Infineon Technologies
1: $1.014
2.300Se espera el 09-04-2026
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPD350N06L G

N.º de artículo de Mouser
726-IPD350N06LG

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 29A DPAK-2

Hoja de datos

2.300Se espera el 09-04-2026

Cinta cortada

$1.014

$648

$434

$331

Envase tipo carrete

$273

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2.500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

29 A

35 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

10 nC

- 55 C

+ 175 C

68 W

Enhancement

OptiMOS

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