OptiMOS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Nombre comercial
Empaquetado
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 120A D2PAK-2
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1.386En existencias
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Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 80 V 120 A 2.7 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 87 nC - 55 C + 175 C 167 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
Hoja de datos
20.650En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 100 V 59 A 12.2 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 26 nC - 55 C + 175 C 94 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2
Hoja de datos
9.352En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 5.000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 2 Channel 40 V 20 A 7.6 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 36 nC - 55 C + 175 C 65 W Enhancement AEC-Q100 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2
Hoja de datos
11.952En existencias
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Min.: 1
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Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 2 Channel 40 V 20 A 11.6 mOhms - 16 V, 16 V 1.7 V 26 nC - 55 C + 175 C 41 W Enhancement AEC-Q100 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 55V 20A TDSON-8 OptiMOS
Hoja de datos
4.279En existencias
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Min.: 1
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Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 2 Channel 55 V 20 A 35 mOhms - 20 V, 20 V 1.6 V 23 nC - 55 C + 175 C 65 W Enhancement AEC-Q100 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V
Hoja de datos
14.065En existencias
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Carrete: 5.000

Si SMD/SMT TSON-8-4 N-Channel 1 Channel 25 V 298 A 650 uOhms - 16 V, 16 V 2 V 28.5 nC - 55 C + 150 C 89 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 57A TDSON-8 OptiMOS
Hoja de datos
9.404En existencias
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Min.: 1
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Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 30 V 57 A 5.2 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 12 nC - 55 C + 150 C 28 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3
Hoja de datos
181.869En existencias
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Si SMD/SMT TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 40 A 14.2 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 18 nC - 55 C + 150 C 35 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 40A TSDSON-8
Hoja de datos
18.951En existencias
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Si SMD/SMT TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 100 V 40 A 13 mOhms - 20 V, 20 V 1.1 V 35 nC - 55 C + 150 C 63 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
Hoja de datos
1.205En existencias
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Carrete: 1.800

Si SMD/SMT HSOG-8 N-Channel 1 Channel 80 V 200 A 3.7 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 110 nC - 55 C + 175 C 200 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60VAUTO GRADE 1 N-CH HEXFET 36mOhms
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4.790En existencias
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Carrete: 4.800

Si SMD/SMT DirectFET-SB N-Channel 1 Channel 60 V 21 A 36 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 11 nC - 55 C + 175 C 30 W Enhancement AEC-Q100 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
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9.900En existencias
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Carrete: 5.000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 1.5 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 150 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS
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5.150En existencias
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Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 25 V 100 A 1.8 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 19 nC - 55 C + 150 C 69 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
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26.564En existencias
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Si SMD/SMT TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 40 A 9.9 mOhms - 20 V, 20 V 1.1 V 6.9 nC - 55 C + 150 C 36 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 120V 120A TO220-3 OptiMOS 3
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1.106En existencias
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 120 V 120 A 3.5 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 211 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement OptiMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 71A TDSON-8 OptiMOS 2
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4.333En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 5.000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 100 V 11 A 11.8 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 56 nC - 55 C + 150 C 114 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3
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1.973En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 1.000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 75 V 120 A 2 mOhms - 20 V, 20 V 2.3 V 155 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
Hoja de datos
15.553En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 100 V 35 A 19 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 23 nC - 55 C + 175 C 71 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V)
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5.875En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 5.000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 2 Channel 60 V 20 A 13.7 mOhms - 16 V, 16 V 1.7 V 39 nC - 55 C + 175 C 50 W Enhancement AEC-Q101 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS
Hoja de datos
27.480En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5.000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 1 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 95 nC - 55 C + 150 C 139 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 40A TDSON-8 OptiMOS
Hoja de datos
6.489En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5.000

Si SMD/SMT TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 25 V 153 A 1.9 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 39 nC - 55 C + 150 C 69 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
Hoja de datos
10.335En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 5.000

Si SMD/SMT TSDSON-FL-8 N-Channel 1 Channel 40 V 40 A 2.4 mOhms - 20 V, 20 V 2.3 V 31 nC - 55 C + 175 C 83 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3M
Hoja de datos
7.158En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5.000

Si SMD/SMT TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 30 V 80 A 4.6 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 34 nC - 55 C + 150 C 48 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 40A TSDSON-8
Hoja de datos
10.772En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5.000

Si SMD/SMT TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 40 A 11.9 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 20 nC - 55 C + 150 C 63 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V 15.2A PG-TSDSON-8 OptiMOS 3
Hoja de datos
16.837En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 5.000

Si SMD/SMT TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 200 V 15.2 A 90 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 8.7 nC - 55 C + 150 C 62.5 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel