.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Vishay IRFBC Serie Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 19

Filtros aplicados:

Fabricante = Vishay Serie = IRFBC

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Empaquetado

Restablecer todos

Buscar dentro de los resultados

En existencias

Normalmente en existencia

Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 6.2A N-CH MOSFET

IRFBC40APBF-BE3
Vishay / Siliconix
1: $3.618
1.518En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRFBC40APBF-BE3

N.º de artículo de Mouser
78-IRFBC40APBF-BE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 6.2A N-CH MOSFET

Hoja de datos

Comentarios de Producto

1.518En existencias

$3.618

$1.893

$1.635

$1.333

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

6.2 A

1.2 Ohms

- 30 V, 30 V

4 V

42 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 6.2A N-CH MOSFET

IRFBC40PBF-BE3
Vishay / Siliconix
1: $3.237
1.895En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRFBC40PBF-BE3

N.º de artículo de Mouser
78-IRFBC40PBF-BE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 6.2A N-CH MOSFET

Hoja de datos

Comentarios de Producto

1.895En existencias

$3.237

$1.288

$1.221

$1.100

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

6.2 A

1.2 Ohms

- 20 V, 20 V

4 V

60 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 6.2A N-CH MOSFET

IRFBC40LCPBF
Vishay Semiconductors
1: $5.320
1.920En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRFBC40LCPBF

N.º de artículo de Mouser
844-IRFBC40LCPBF

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 6.2A N-CH MOSFET

Hoja de datos

Comentarios de Producto

1.920En existencias

$5.320

$2.307

$2.296

$2.206

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

6.2 A

1.2 Ohms

- 30 V, 30 V

4 V

39 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 600V 6.2 Amp

IRFBC40ASTRLPBF
Vishay Semiconductors
1: $5.981
546En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRFBC40ASTRLPBF

N.º de artículo de Mouser
844-IRFBC40ASTRLPBF

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 600V 6.2 Amp

Hoja de datos

546En existencias

Cinta cortada

$5.981

$3.987

$2.856

$2.397

Envase tipo carrete

$2.229

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 800

SMD/SMT

TO-263-3

N-Channel

1 Channel

600 V

6.2 A

1.2 Ohms

- 30 V, 30 V

2 V

42 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 6.2A N-CH MOSFET

IRFBC40APBF
Vishay Semiconductors
1: $2.531
1.053En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRFBC40APBF

N.º de artículo de Mouser
844-IRFBC40APBF

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 6.2A N-CH MOSFET

Hoja de datos

Comentarios de Producto

1.053En existencias

$2.531

$1.411

$1.344

$1.198

$1.110

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

6.2 A

1.2 Ohms

- 30 V, 30 V

4 V

42 nC

- 55 C

+ 150 C

96 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 600V 2.2A N-CH MOSFET

IRFBC20STRLPBF
Vishay Semiconductors
1: $3.315
256En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRFBC20STRLPBF

N.º de artículo de Mouser
844-IRFBC20STRLPBF

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 600V 2.2A N-CH MOSFET

Hoja de datos

256En existencias

Cinta cortada

$3.315

$2.990

$2.946

$2.408

Envase tipo carrete

$1.624

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 800

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

2.2 A

4.4 Ohms

- 20 V, 20 V

2 V

18 nC

- 55 C

+ 150 C

50 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 600V 3.6 Amp

IRFBC30ASPBF
Vishay Semiconductors
1: $3.102
846En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRFBC30ASPBF

N.º de artículo de Mouser
844-IRFBC30ASPBF

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 600V 3.6 Amp

Hoja de datos

846En existencias

$3.102

$1.602

$1.478

$1.322

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

3.6 A

2.2 Ohms

- 30 V, 30 V

2 V

23 nC

- 55 C

+ 150 C

74 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 600V 6.2 Amp

IRFBC40SPBF
Vishay Semiconductors
1: $5.992
502En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRFBC40SPBF

N.º de artículo de Mouser
844-IRFBC40SPBF

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 600V 6.2 Amp

Hoja de datos

502En existencias

$5.992

$3.998

$2.867

$2.408

$2.229

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

6.2 A

1.2 Ohms

- 30 V, 30 V

2 V

60 nC

- 55 C

+ 150 C

130 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 600V 6.2 Amp

IRFBC40ASPBF
Vishay Semiconductors
1: $5.981
787En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRFBC40ASPBF

N.º de artículo de Mouser
844-IRFBC40ASPBF

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 600V 6.2 Amp

Hoja de datos

787En existencias

$5.981

$2.419

$2.330

$2.229

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

6.2 A

1.2 Ohms

- 30 V, 30 V

2 V

42 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 6.2A N-CH MOSFET

IRFBC40PBF
Vishay Semiconductors
1: $2.856
1.361En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRFBC40PBF

N.º de artículo de Mouser
844-IRFBC40PBF

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 6.2A N-CH MOSFET

Hoja de datos

Comentarios de Producto

1.361En existencias

$2.856

$1.299

$1.221

$1.019

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

6.2 A

1.2 Ohms

- 20 V, 20 V

4 V

60 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 600V 6.2 Amp

IRFBC40STRLPBF
Vishay Semiconductors
1: $5.981
453En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRFBC40STRLPBF

N.º de artículo de Mouser
844-IRFBC40STRLPBF

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 600V 6.2 Amp

Hoja de datos

453En existencias

Cinta cortada

$5.981

$3.987

$2.856

$2.330

Envase tipo carrete

$2.229

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 800

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

6.2 A

1.2 Ohms

- 30 V, 30 V

2 V

60 nC

- 55 C

+ 150 C

130 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 2.2A N-CH

IRFBC20PBF
Vishay Semiconductors
1: $2.061
1.944En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRFBC20PBF

N.º de artículo de Mouser
844-IRFBC20PBF

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 2.2A N-CH

Hoja de datos

Comentarios de Producto

1.944En existencias

$2.061

$1.501

$1.001

$821

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

2.2 A

4.4 Ohms

- 20 V, 20 V

4 V

18 nC

- 55 C

+ 150 C

50 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 3.6A N-CH

IRFBC30APBF
Vishay Semiconductors
1: $2.744
821En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRFBC30APBF

N.º de artículo de Mouser
844-IRFBC30APBF

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 3.6A N-CH

Hoja de datos

Comentarios de Producto

821En existencias

$2.744

$1.904

$1.624

$1.266

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

3.6 A

2.2 Ohms

- 30 V, 30 V

4.5 V

23 nC

- 55 C

+ 150 C

74 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CHANNEL 600V

IRFBC30ALPBF
Vishay Semiconductors
1: $2.072
437En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRFBC30ALPBF

N.º de artículo de Mouser
844-IRFBC30ALPBF

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CHANNEL 600V

Hoja de datos

437En existencias

$2.072

$1.870

$1.758

$1.501

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-262-3

N-Channel

1 Channel

600 V

3.6 A

2.2 Ohms

- 30 V, 30 V

2 V

23 nC

- 55 C

+ 150 C

74 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 6.2A N-CH MOSFET

IRFBC40LCPBF-BE3
Vishay / Siliconix
1.000: $2.206
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRFBC40LCPBF-BE3

N.º de artículo de Mouser
78-IRFBC40LCPBF-BE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 6.2A N-CH MOSFET

Hoja de datos

Comentarios de Producto

No en existencias

$2.206

Min.: 1.000
Mult.: 1.000

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

6.2 A

1.2 Ohms

- 30 V, 30 V

4 V

39 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 600V 2.2A N-CH MOSFET

IRFBC20SPBF
Vishay Semiconductors
1: $4.032
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRFBC20SPBF

N.º de artículo de Mouser
844-IRFBC20SPBF

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 600V 2.2A N-CH MOSFET

Hoja de datos

No en existencias

$4.032

$1.411

$1.400

$1.389

$1.310

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

2.2 A

4.4 Ohms

- 20 V, 20 V

2 V

18 nC

- 55 C

+ 150 C

50 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 600V 3.6A N-CH MOSFET

IRFBC30ASTRLPBF
Vishay Semiconductors
800: $1.501
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRFBC30ASTRLPBF

N.º de artículo de Mouser
844-IRFBC30ASTRLPBF

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 600V 3.6A N-CH MOSFET

Hoja de datos

No en existencias

Envase tipo carrete

$1.501

$1.254

$1.243

$1.232

Min.: 800
Mult.: 800

Carrete: 800

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 600V 6.2 Amp

IRFBC40ASTRRPBF
Vishay Semiconductors
800: $2.229
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRFBC40ASTRRPBF

N.º de artículo de Mouser
844-IRFBC40ASTRRPBF

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 600V 6.2 Amp

Hoja de datos

No en existencias

Envase tipo carrete

$2.229

Min.: 800
Mult.: 800

Carrete: 800

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CHANNEL 600V

IRFBC40LPBF
Vishay Semiconductors
1.000: $2.229
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRFBC40LPBF

N.º de artículo de Mouser
844-IRFBC40LPBF

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CHANNEL 600V

Hoja de datos

No en existencias

$2.229

Min.: 1.000
Mult.: 1.000

Through Hole

TO-262-3

Tube

Vishay IRFBC Serie Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte