Toshiba DTMOSIV Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET N-Channel
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5En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 35 A 80 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 115 nC - 55 C + 150 C 50 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET NChannel 068ohm DTMOS
Hoja de datos
50En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 650 V 35 A 68 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 100 nC - 55 C + 150 C 50 W Enhancement DTMOSIV Tube

Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET NChtrr130ns 0.08ohm DTMOS
Hoja de datos
9En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 35 A 80 mOhms - 30 V, 30 V 4.5 V 115 nC - 55 C + 150 C 270 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch DTMOSIV 600 V 50W 4100pF 38.8A
Hoja de datos
85En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 600 V 38.8 A 55 mOhms - 30 V, 30 V 3.7 V 110 nC - 55 C + 150 C 50 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 38.8A 270W FET 600V 4100pF 135nC
Hoja de datos
13En existencias
50Se espera el 16-03-2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-3PN-3 N-Channel 1 Channel 600 V 38.8 A 55 mOhms - 30 V, 30 V 3.7 V 110 nC - 55 C + 150 C 270 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 38.8A 270W FET 600V 4100pF 110nC
Hoja de datos
25En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-3PN-3 N-Channel 1 Channel 600 V 38.8 A 65 mOhms - 30 V, 30 V 2.7 V 110 nC - 55 C + 150 C 270 W Enhancement DTMOSIV Tube

Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DTMOSIV 600V 65mOhm 38.8A 270W 4100pF
Hoja de datos
40En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 38.8 A 55 mOhms - 30 V, 30 V 3.7 V 110 nC - 55 C + 150 C 270 W Enhancement DTMOSIV Tube

Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247(OS) PD=400W 1MHz PWR MOSFET TRNS
Hoja de datos
30En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 49.2 A 57 mOhms - 30 V, 30 V 4.5 V 185 nC - 55 C + 150 C 400 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 61.8A 400W FET 600V 3500pF 180nC
Hoja de datos
25En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-3PN-3 N-Channel 1 Channel 600 V 61.8 A 33 mOhms - 30 V, 30 V 3.7 V 180 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement DTMOSIV Tube

Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DTMOSIV 600V 45mOhm 61.8A 400W 6500pF
Hoja de datos
104En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 61.8 A 36 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 205 nC - 55 C + 150 C 400 W Enhancement DTMOSIV Tube

Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DTMOSIV 600V 40mOhm 61.8A 400W 6500pF
Hoja de datos
10En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 61.8 A 33 mOhms - 30 V, 30 V 3.7 V 180 nC - 55 C + 150 C 400 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 6.2A 30W FET 600V 390pF 12nC
Hoja de datos
169En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 6.2 A 680 mOhms - 30 V, 30 V 3.7 V 12 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DTMOSIV 600V 820mOhm 6.2A 60W 390pF 12nC
Hoja de datos
197En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 600 V 6.2 A 680 mOhms - 30 V, 30 V 3.7 V 12 nC - 55 C + 150 C 60 W DTMOSIV Tube
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET N-Channel
Hoja de datos
86En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 7 A 540 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 16 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 7A 30W FET 600V 490pF 15nC
Hoja de datos
44En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 7 A 600 mOhms - 30 V, 30 V 2.7 V 15 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET N-Channel
Hoja de datos
114En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 6.8 A 640 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 15 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 7A 60W FET 600V 490pF 15nC
Hoja de datos
719En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2.000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 7 A 500 mOhms - 30 V, 30 V 3.7 V 15 nC - 55 C + 150 C 60 W Enhancement DTMOSIV Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET N-Channel
Hoja de datos
446En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2.000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 650 V 6.8 A 660 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 15 nC - 55 C + 150 C 60 W Enhancement DTMOSIV Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch DTMOSIV 600 V 60W 490pF 15nC 7A
Hoja de datos
144En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 600 V 7 A 500 mOhms - 30 V, 30 V 3.7 V 15 nC - 55 C + 150 C 60 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 15.8A 130W FET 600V 1350pF 38nC
Hoja de datos
89Se espera el 15-06-2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 15.8 A 160 mOhms - 30 V, 30 V 3.7 V 30 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement DTMOSIV Tube

Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DTMOSIV 600V 88mOhm 30.8A 230W 3000pF
Hoja de datos
30Se espera el 20-02-2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 30.8 A 73 mOhms - 30 V, 30 V 3.7 V 86 nC - 55 C + 150 C 230 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO-220SIS PD=30W 1MHz PWR MOSFET TRNS
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 32 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 9.7 A 380 mOhms - 30 V, 30 V 2.7 V 20 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch DTMOSIV 600 V 88.3W 700pF 9.7A
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
Carrete: 2.500

Si SMD/SMT DFN8x8-5 N-Channel 1 Channel 600 V 9.7 A 380 mOhms - 30 V, 30 V 2.7 V 20 nC - 55 C + 150 C 88.3 W Enhancement DTMOSIV Reel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET N-Channel
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Min.: 2.000
Mult.: 2.000
Carrete: 2.000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 650 V 11.1 A 350 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 25 nC - 55 C + 150 C 100 W Enhancement DTMOSIV Reel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=35W F=1MHZ
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 32 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 11.5 A 300 mOhms - 30 V, 30 V 2.7 V 25 nC - 55 C + 150 C 35 W Enhancement DTMOSIV Tube