Toshiba DTMOSIV Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 12A 500V 45W 1350pF 0.52
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251En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 12 A 520 mOhms - 30 V, 30 V 2 V 25 nC - 55 C + 150 C 45 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 11.5A 35W DTMOSIV 890pF 25nC
Hoja de datos
94En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 11.5 A 300 mOhms - 30 V, 30 V 2.7 V 25 nC - 55 C + 150 C 35 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 11.5A 110W FET 600V 890pF 25nC
Hoja de datos
78En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 11.5 A 300 mOhms - 30 V, 30 V 3.7 V 25 nC - 55 C + 150 C 110 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET NChannel 0.22ohm DTMOS
Hoja de datos
128En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 13.7 A 220 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 35 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement DTMOSIV Tube

Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET NChannel 0.22ohm DTMOS
Hoja de datos
31En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 13.7 A 220 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 35 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 15.8A 40W FET 600V 1350pF 43nC
Hoja de datos
156En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 600 V 15.8 A 190 mOhms - 30 V, 30 V 4.5 V 43 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 15.8A 40W DTMOSIV 1350pF 38nC
Hoja de datos
121En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si N-Channel 1 Channel DTMOSIV Tube
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO-3PN PD=130W 1MHz PWR MOSFET TRNS
Hoja de datos
79En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-3PN-3 N-Channel 1 Channel 600 V 15.8 A 190 mOhms - 30 V, 30 V 3.7 V 38 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement DTMOSIV Tray

Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DTMOSIV 600V 190mOhm 15.8A 130W 1350pF
Hoja de datos
19En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 15.8 A 160 mOhms - 30 V, 30 V 3.7 V 38 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO-220SIS PD=45W 1MHz PWR MOSFET TRNS
Hoja de datos
7En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 17.3 A 200 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 45 nC - 55 C + 150 C 45 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 2050pF 32nC 17A 45W
Hoja de datos
254En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 17 A 250 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 32 nC - 55 C + 150 C 45 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 2050pF 32nC 17A 180W
Hoja de datos
50En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 17 A 250 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 32 nC - 55 C + 150 C 180 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=40W F=1MHZ
Hoja de datos
150En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 18.5 A 190 mOhms - 30 V, 30 V 2.7 V 38 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET NChtrr100ns 0.25ohm DTMOS
Hoja de datos
92En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 150 mOhms - 30 V, 30 V 4.5 V 55 nC - 55 C + 150 C 45 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch DTMOSIV 600 V 165W 1680pF 20A
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147En existencias
100Se espera el 10-02-2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 130 mOhms - 30 V, 30 V 3.7 V 48 nC - 55 C + 150 C 45 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO-220 PD=165W 1MHz PWR MOSFET TRNS
Hoja de datos
100En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 175 mOhms - 30 V, 30 V 4.5 V 55 nC - 55 C + 150 C 165 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch DTMOSIV 600 V 165W 1680pF 20A
Hoja de datos
68En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 130 mOhms - 30 V, 30 V 3.7 V 48 nC - 55 C + 150 C 165 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO-3PN PD=165W 1MHz PWR MOSFET TRNS
Hoja de datos
50En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-3PN-3 N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 155 mOhms - 30 V, 30 V 3.7 V 48 nC - 55 C + 150 C 165 W Enhancement DTMOSIV Tray

Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET N-Channel
Hoja de datos
98En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 150 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 55 nC - 55 C + 150 C 165 W Enhancement DTMOSIV Tube

Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch DTMOSIV 600 V 165W 1680pF 20A
Hoja de datos
58En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 130 mOhms - 30 V, 30 V 3.7 V 48 nC - 55 C + 150 C 165 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET N-Channel
Hoja de datos
131En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 27.6 A 94 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 75 nC - 55 C + 150 C 45 W Enhancement DTMOSIV Tube

Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO-247(OS) PD=230W 1MHz PWR MOSFET TRNS
Hoja de datos
60En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 27.6 A 130 mOhms - 30 V, 30 V 4.5 V 90 nC - 55 C + 150 C 230 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30.8A 45W FET 600V 3000pF 86nC
Hoja de datos
43En existencias
50Se espera el 16-03-2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 30.8 A 73 mOhms - 30 V, 30 V 3.7 V 86 nC - 55 C + 150 C 45 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30.8A 290W FET 600V 3000pF 86nC
Hoja de datos
34En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 30.8 A 73 mOhms - 30 V, 30 V 3.7 V 86 nC - 55 C + 150 C 230 W Enhancement DTMOSIV Tube

Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET NChtrr135ns 0.082ohm DTMOS
Hoja de datos
3En existencias
30Se espera el 17-07-2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 30.8 A 82 mOhms - 30 V, 30 V 4.5 V 105 nC - 55 C + 150 C 230 W Enhancement DTMOSIV Tube