.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

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Fabricante = Toshiba

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Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

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Modo canal

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.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=2A VDSS=100V

SSM6N815R,LF
Toshiba
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SSM6N815R,LF

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757-SSM6N815RLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=2A VDSS=100V

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SMD/SMT

TSOP-6

N-Channel

2 Channel

100 V

2 A

84 mOhms, 84 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

3.1 nC

- 55 C

+ 150 C

1.4 W

Enhancement

U-MOSVIII-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOS8 SOP-ADV(N) RDSon=0.9mohm(max)

TPHR9003NL1,LQ
Toshiba
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TPHR9003NL1,LQ

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757-TPHR9003NL1LQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOS8 SOP-ADV(N) RDSon=0.9mohm(max)

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$922

$896

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SMD/SMT

SOP-8

N-Channel

1 Channel

30 V

320 A

770 uOhms

- 20 V, 20 V

2.3 V

74 nC

+ 150 C

170 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET N-Channel

TK20V60W5,LVQ
Toshiba
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TK20V60W5,LVQ

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757-TK20V60W5LVQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET N-Channel

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Mult.: 1

Carrete: 2.500

SMD/SMT

DFN8x8-5

N-Channel

1 Channel

600 V

20 A

156 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

55 nC

- 55 C

+ 150 C

156 W

Enhancement

DTMOSIV

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOSVIII 100V 6.5m max(VGS=10V) DPAK

TK55S10N1,LQ
Toshiba
1: $4.088
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TK55S10N1,LQ

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757-TK55S10N1LQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOSVIII 100V 6.5m max(VGS=10V) DPAK

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SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

55 A

5.5 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

49 nC

- 55 C

+ 175 C

100 W

Enhancement

AEC-Q101

U-MOSVIII-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET N-Channel

TK6P65W,RQ
Toshiba
1: $1.568
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TK6P65W,RQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK6P65WRQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET N-Channel

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$877

$860

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$744

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SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

650 V

5.8 A

890 mOhms

- 30 V, 30 V

2.5 V

11 nC

- 55 C

+ 150 C

60 W

Enhancement

DTMOSIV

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 42A 48W UMOSVIII 1440pF 22nC

TPH1400ANH,L1Q
Toshiba
1: $2.274
5.953En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TPH1400ANH,L1Q

N.º de artículo de Mouser
757-TPH1400ANHL1Q

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 42A 48W UMOSVIII 1440pF 22nC

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$2.274

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$981

$781

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N-Channel

1 Channel

U-MOSVIII-H

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR PD=170W

TPH1R005PL,L1Q
Toshiba
1: $1.725
2.372En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TPH1R005PL,L1Q

N.º de artículo de Mouser
757-TPH1R005PLL1Q

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR PD=170W

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$1.725

$1.366

$1.198

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$905

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SMD/SMT

SOP-8

N-Channel

1 Channel

45 V

150 A

1.7 mOhms

- 20 V, 20 V

1.4 V

99 nC

- 55 C

+ 175 C

170 W

Enhancement

U-MOSIX-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) U-MOSVIII-H 60V 130A 72nC MOSFET

TPH2R306NH,L1Q
Toshiba
1: $2.800
6.778En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TPH2R306NH,L1Q

N.º de artículo de Mouser
757-TPH2R306NHL1Q

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) U-MOSVIII-H 60V 130A 72nC MOSFET

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$2.800

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$1.243

$990

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N-Channel

1 Channel

U-MOSVIII-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

XPH3R206NC,L1XHQ
Toshiba
1: $2.778
7.568En existencias

N.º de artículo del Fabricante
XPH3R206NC,L1XHQ

N.º de artículo de Mouser
757-XPH3R206NCL1XHQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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$791

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SMD/SMT

SOP-8

N-Channel

1 Channel

60 V

70 A

2.6 mOhms

- 10 V, 10 V

1.5 V

65 nC

- 55 C

+ 175 C

132 mW

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR DSOP Advance(WF)M PD=170W F=1MHZ

XPW4R10ANB,L1XHQ
Toshiba
1: $3.416
4.754En existencias

N.º de artículo del Fabricante
XPW4R10ANB,L1XHQ

N.º de artículo de Mouser
757-XPW4R10ANBL1XHQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR DSOP Advance(WF)M PD=170W F=1MHZ

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$3.416

$2.218

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$1.047

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SMD/SMT

DSOP-8

N-Channel

1 Channel

100 V

70 A

4.1 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

75 nC

- 55 C

+ 175 C

170 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) WSON10 N-CH 26V .003A

TPD7107F,BXH
Toshiba
1: $1.366
1.772En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TPD7107F,BXH

N.º de artículo de Mouser
757-TPD7107FBXH

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) WSON10 N-CH 26V .003A

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$1.366

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SMD/SMT

WSON-10

N-Channel

1 Channel

- 40 C

+ 125 C

1.84 W

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TCSPAC N-CH 12V 13.5A

SSM10N954L,EFF
Toshiba
1: $1.098
9.007En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM10N954L,EFF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM10N954LEFF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TCSPAC N-CH 12V 13.5A

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$1.098

$818

$685

$673

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$560

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SMD/SMT

TCSPAC-153001-10

N-Channel

1 Channel

12 V

13.5 A

- 8 V, 8 V

1.4 V

25 nC

+ 150 C

1.4 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -40A -40V 68W 4140pF 0.0091

TJ40S04M3L(T6L1,NQ
Toshiba
1: $1.691
4.317En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TJ40S04M3L(T6L1,NQ

N.º de artículo de Mouser
757-TJ40S04M3LT6L1NQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -40A -40V 68W 4140pF 0.0091

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$1.691

$1.400

$1.001

$849

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$719

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SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

P-Channel

1 Channel

40 V

40 A

9.1 mOhms

- 20 V, 10 V

3 V

83 nC

- 55 C

+ 175 C

68 W

Enhancement

AEC-Q100

U-MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) X35PBF Power MOSFET Trans VGS4.5VVDS30V

TPH1R403NL,L1Q
Toshiba
1: $1.792
7.127En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TPH1R403NL,L1Q

N.º de artículo de Mouser
757-TPH1R403NLL1Q

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) X35PBF Power MOSFET Trans VGS4.5VVDS30V

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Cinta cortada

$1.792

$1.198

$808

$768

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$651

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SMD/SMT

SOP-8

N-Channel

1 Channel

30 V

60 A

1.4 mOhms

- 20 V, 20 V

2.3 V

46 nC

- 55 C

+ 150 C

64 W

Enhancement

U-MOSVIII-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH Mosfet 30V 150A 8DSOP

TPWR8503NL,L1Q
Toshiba
1: $3.875
4.929En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TPWR8503NL,L1Q

N.º de artículo de Mouser
757-TPWR8503NLL1Q

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH Mosfet 30V 150A 8DSOP

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$3.875

$2.531

$1.770

$1.534

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$1.243

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SMD/SMT

DSOP-8

N-Channel

1 Channel

30 V

150 A

1 mOhms

- 20 V, 20 V

1.3 V

74 nC

- 55 C

+ 150 C

142 W

Enhancement

U-MOSVIII-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PD=132W F=1MHZ AEC-Q101

XPH6R30ANB,L1XHQ
Toshiba
1: $2.206
12.012En existencias

N.º de artículo del Fabricante
XPH6R30ANB,L1XHQ

N.º de artículo de Mouser
757-XPH6R30ANBL1XHQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PD=132W F=1MHZ AEC-Q101

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$2.206

$1.411

$948

$753

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$575

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SMD/SMT

SOP-Advance-8

N-Channel

1 Channel

100 V

45 A

6.3 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

52 nC

- 55 C

+ 175 C

132 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100W 1MHz Automotive; AEC-Q101

XPN3R804NC,L1XHQ
Toshiba
1: $650
7.119En existencias

N.º de artículo del Fabricante
XPN3R804NC,L1XHQ

N.º de artículo de Mouser
757-XPN3R804NC,L1XHQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100W 1MHz Automotive; AEC-Q101

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$650

$500

$483

$480

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$414

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SMD/SMT

TSON-Advance-8

N-Channel

1 Channel

40 V

40 A

3.8 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

35 nC

- 55 C

+ 175 C

100 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SM Sig N-CH MOS 30V 6A 20V VGSS

SSM3K333R,LF
Toshiba
1: $504
72.941En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM3K333R,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K333RLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SM Sig N-CH MOS 30V 6A 20V VGSS

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$504

$312

$198

$148

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$108

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N-Channel

1 Channel

AEC-Q100

U-MOSVII-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=.25A VDSS=20V

SSM3K35AMFV,L3F
Toshiba
1: $213
304.777En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM3K35AMFV,L3F

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K35AMFVL3F

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=.25A VDSS=20V

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304.777En existencias

Cinta cortada

$213

$121

$50,4

$39,2

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$28

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SMD/SMT

VESM-3

N-Channel

1 Channel

20 V

250 mA

1.1 Ohms

- 10 V, 10 V

1 V

340 pC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

U-MOSIII

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS 1100 pF 29W PD -15A -40V

TJ15P04M3,RQ(S
Toshiba
1: $1.702
3.978En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TJ15P04M3,RQ(S

N.º de artículo de Mouser
757-TJ15P04M3RQS

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS 1100 pF 29W PD -15A -40V

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3.978En existencias

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$1.702

$1.101

$756

$603

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$455

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Carrete: 2.000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

P-Channel

1 Channel

40 V

15 A

48 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

26 nC

- 55 C

+ 150 C

29 W

Enhancement

U-MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=230W F=1MHZ

TK090U65Z,RQ
Toshiba
1: $3.584
1.058En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK090U65Z,RQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK090U65ZRQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=230W F=1MHZ

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1.058En existencias

Cinta cortada

$3.584

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$3.438

$3.349

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SMD/SMT

2-10AF1A-9

N-Channel

1 Channel

650 V

30 A

70 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

47 nC

- 55 C

+ 150 C

230 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPAK(OS) MOQ=2000 PD=80W F=1MHZ

TK3P80E,RQ
Toshiba
1: $1.658
3.371En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK3P80E,RQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK3P80ERQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPAK(OS) MOQ=2000 PD=80W F=1MHZ

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$1.658

$1.142

$769

$728

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$627

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Carrete: 2.000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

800 V

3 A

4.9 Ohms

- 30 V, 30 V

2.5 V

12 nC

- 55 C

+ 150 C

80 W

Enhancement

MOSVIII

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 9.7A 100W FET 600V 700pF 20nC

TK6P60W,RVQ
Toshiba
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TK6P60W,RVQ

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757-TK6P60WRVQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 9.7A 100W FET 600V 700pF 20nC

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Envase tipo carrete

$1.165

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Presupuesto

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2.000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

6.2 A

820 mOhms

- 30 V, 30 V

2.7 V

12 nC

- 55 C

+ 150 C

60 W

Enhancement

DTMOSIV

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PD=375W F=1MHZ AEC-Q101

TKR74F04PB,LXGQ
Toshiba
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TKR74F04PB,LXGQ

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757-TKR74F04PBLXGQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PD=375W F=1MHZ AEC-Q101

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$3.909

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$2.800

Envase tipo carrete

$2.274

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1.000

SMD/SMT

TO-220SM-3

N-Channel

1 Channel

40 V

250 A

740 uOhms

- 20 V, 20 V

3 V

227 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR

TPH4R803PL,LQ
Toshiba
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TPH4R803PL,LQ

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757-TPH4R803PLLQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR

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26.398En existencias

Cinta cortada

$840

$688

$475

$422

Envase tipo carrete

$357

$351

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3.000

SMD/SMT

SOP-8

N-Channel

1 Channel

30 V

90 A

4.8 mOhms

- 20 V, 20 V

1.1 V

22 nC

- 55 C

+ 175 C

69 W

Enhancement

U-MOSIX-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

2-10AF1A-9
2-10AG1A
CST-3
CST3-3
CST3C-3
D2PAK-3 (TO-263-3)
DFN2020B-6
DFN-5
DFN-6
DFN-8
DFN8x8-5
DPAK-2 (TO-252-2)
DPAK-3 (TO-252-3)
DSOP-8
DSOP-Advance-8
ES-6
ES6-6
L-TOGL-9
PS-8
PW-Mold2-3

12 V
20 V
20 V, 30 V
30 V
30 V, 20 V
34 V
38 V
40 V
45 V
50 V
60 V
60 V, 80 V
75 V
80 V
100 V
120 V
150 V
200 V
250 V
300 V

80 mA, 720 mA
100 mA
150 mA
170 mA
180 mA
180 mA, 100 mA
200 mA
250 mA
300 mA
330 mA
400 mA
400 mA, 200 mA
500 mA
500 mA, 330 mA
650 mA
700 mA
720 mA
800 mA
1 A
1.1 A

410 uOhms
470 uOhms
530 uOhms
610 uOhms
740 uOhms
770 uOhms
790 uOhms
800 uOhms
830 uOhms
840 uOhms
850 uOhms
890 uOhms
900 uOhms
1 mOhms
1.03 mOhms
1.1 mOhms
1.14 mOhms
1.2 mOhms
1.29 mOhms
1.3 mOhms

- 30 V, 30 V
- 25 V, 20 V
- 20 V, 10 V
- 20 V, 20 V
- 12 V, - 8 V, 6 V, 12 V
- 12 V, - 8 V, 8 V, 12 V
- 12 V, 12 V
- 12 V, 20 V
- 12 V, 6 V
- 10 V, - 8 V, 8 V, 10 V
- 10 V, 10 V
- 10 V, 20 V
- 8 V, 12 V
- 8 V, 6 V
- 8 V, 8 V
- 7 V, 7 V
- 6 V, 6 V
- 5 V, 5 V
8 V
20 V

300 mV
350 mV
350 mV, 1 V
350 mV, 300 mV
400 mV
400 mV, 500 mV
500 mV
500 mV, 1.1 V
600 mV
700 mV
800 mV
850 mV
900 mV
1
1 V
1 V, 2 V
1.1 V
1.2 V
1.2 V, 1 V
1.3 V

270 pC
340 pC
350 pC
390 pC
600 pC
1 nC
1 nC, 1.6 nC
1.1 nC
1.2 nC
1.23 nC
1.23 nC, 1.2 nC
1.5 nC
1.6 nC
1.7 nC
1.76 nC
1.8 nC
1.9 nC
2 nC
2 nC, 1.76 nC
2.2 nC

100 mW
132 mW
150 mW
200 mW
250 mW
285 mW
300 mW
500 mW
600 mW
700 mW
800 mW
900 mW
1 W
1.2 W
1.25 W
1.33 W
1.4 W
1.5 W
1.51 W
1.6 W

DTMOSIV
DTMOSIV-H
DTMOSV
DTMOSVI
MOSIII
MOSIX
MOSV
MOSVI
MOSVII
MOSVIII
U-MOSII
U-MOSIII
U-MOSIII / U-MOSV
U-MOSIV
U-MOSIV / U-MOSVI
U-MOSIX-H
U-MOSV
U-MOSVI
U-MOSVI-H
U-MOSVII