TT Electronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Empaquetado
Optek / TT Electronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel Enhncmnt Mode Trans
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 32 Semanas
Min.: 100
Mult.: 100

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 60 V 200 mA 5 Ohms - 40 V, 40 V 800 mV - 55 C + 150 C 300 mW Enhancement Waffle
Optek / TT Electronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan Transistor
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
Min.: 160
Mult.: 160

Si N-Channel 1 Channel Enhancement Waffle