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STMicroelectronics PowerMESH Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 12

Filtros aplicados:

Fabricante = STMicroelectronics Nombre comercial = PowerMESH

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Dp - Disipación de potencia

Empaquetado

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En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 53 Amp

STE53NC50
STMicroelectronics
1: $38.630
199En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STE53NC50

N.º de artículo de Mouser
511-STE53NC50

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 53 Amp

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Hoja de datos

199En existencias

$38.630

$30.585

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

ISOTOP-4

N-Channel

1 Channel

500 V

53 A

80 mOhms

- 30 V, 30 V

2 V

434 nC

- 65 C

+ 150 C

460 W

Enhancement

PowerMESH

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1500V 6Ohm 2.5A N-Channel

STP3N150
STMicroelectronics
1: $5.130
1.156En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP3N150

N.º de artículo de Mouser
511-STP3N150

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1500V 6Ohm 2.5A N-Channel

Hoja de datos

1.156En existencias

$5.130

$2.885

$2.629

$2.393

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

1.5 kV

2.5 A

9 Ohms

- 30 V, 30 V

5 V

29.3 nC

- 50 C

+ 150 C

140 W

Enhancement

PowerMESH

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 40 Amp

STE40NC60
STMicroelectronics
1: $40.039
146En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STE40NC60

N.º de artículo de Mouser
511-STE40NC60

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 40 Amp

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Hoja de datos

146En existencias

$40.039

$32.407

$29.719

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

ISOTOP-4

N-Channel

1 Channel

600 V

40 A

130 mOhms

- 30 V, 30 V

2 V

430 nC

- 65 C

+ 150 C

460 W

Enhancement

PowerMESH

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1500 V 2.5 A PowerMESH

STFW3N150
STMicroelectronics
1: $4.441
1.625En existencias
900Se espera el 18-03-2026

N.º de artículo del Fabricante
STFW3N150

N.º de artículo de Mouser
511-STFW3N150

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1500 V 2.5 A PowerMESH

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1.625En existencias

900Se espera el 18-03-2026

$4.441

$2.895

$2.029

$1.832

$1.753

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-3PF-3

N-Channel

1 Channel

1.5 kV

2.5 A

9 Ohms

- 20 V, 20 V

3 V

29.3 nC

- 55 C

+ 150 C

63 W

Enhancement

PowerMESH

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1700 V, 7 Ohm typ., 2.6 A, PowerMESH Power MOSFET in TO-3PF package

STFW3N170
STMicroelectronics
1: $6.017
565En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STFW3N170

N.º de artículo de Mouser
511-STFW3N170

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1700 V, 7 Ohm typ., 2.6 A, PowerMESH Power MOSFET in TO-3PF package

Hoja de datos

565En existencias

$6.017

$3.535

$2.954

$2.944

$2.816

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-3PF-3

N-Channel

1 Channel

1.7 kV

2.6 A

7 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

44 nC

- 55 C

+ 150 C

63 W

Enhancement

PowerMESH

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 1500V 6Ohm 2.5A PowerMESH

STH3N150-2
STMicroelectronics
1: $5.928
795En existencias
3.000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
STH3N150-2

N.º de artículo de Mouser
511-STH3N150-2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 1500V 6Ohm 2.5A PowerMESH

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795En existencias

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Cinta cortada

$5.928

$3.978

$2.866

$2.836

Envase tipo carrete

$2.649

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1.000

SMD/SMT

H2PAK-2

N-Channel

1 Channel

1.5 kV

2.5 A

9 Ohms

- 20 V, 20 V

3 V

29.3 nC

- 55 C

+ 150 C

140 W

Enhancement

PowerMESH

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PowerMESH MOSFET

STP4N150
STMicroelectronics
1: $5.761
1.487En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP4N150

N.º de artículo de Mouser
511-STP4N150

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PowerMESH MOSFET

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Hoja de datos

1.487En existencias

$5.761

$3.043

$2.777

$2.550

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

1.5 kV

4 A

5 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

50 nC

- 55 C

+ 150 C

160 W

Enhancement

PowerMESH

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1500V 6Ohm 2.5A N-Channel

STW3N150
STMicroelectronics
1: $5.121
3.396En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW3N150

N.º de artículo de Mouser
511-STW3N150

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1500V 6Ohm 2.5A N-Channel

Hoja de datos

3.396En existencias

$5.121

$2.875

$2.383

$2.363

$2.176

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.5 kV

2.5 A

9 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

29.3 nC

- 55 C

+ 150 C

140 W

Enhancement

PowerMESH

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1700 V, 7 Ohm typ., 2.6 A, PowerMESH Power MOSFET in TO-247 package

STW3N170
STMicroelectronics
1: $5.938
1.190En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW3N170

N.º de artículo de Mouser
511-STW3N170

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1700 V, 7 Ohm typ., 2.6 A, PowerMESH Power MOSFET in TO-247 package

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Hoja de datos

1.190En existencias

$5.938

$3.496

$2.915

$2.777

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-3PF-3

N-Channel

1 Channel

1.7 kV

2.6 A

13 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

44 nC

- 55 C

+ 150 C

63 W

Enhancement

PowerMESH

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1500 V PowerMesh

STW4N150
STMicroelectronics
1: $7.120
472En existencias
600Se espera el 13-04-2026

N.º de artículo del Fabricante
STW4N150

N.º de artículo de Mouser
511-STW4N150

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1500 V PowerMesh

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Hoja de datos

472En existencias

600Se espera el 13-04-2026

$7.120

$4.106

$3.447

$3.378

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.5 kV

4 A

7 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

30 nC

- 55 C

+ 150 C

160 W

Enhancement

PowerMESH

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 1500V HI-VOLT PWRMESH PWR MOSFET

STW9N150
STMicroelectronics
1: $9.335
589En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW9N150

N.º de artículo de Mouser
511-STW9N150

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 1500V HI-VOLT PWRMESH PWR MOSFET

Hoja de datos

589En existencias

$9.335

$5.505

$4.835

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.5 kV

8 A

2.5 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

89.3 nC

- 55 C

+ 150 C

320 W

Enhancement

PowerMESH

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1500 V 4 A PowerMESH

STFW4N150
STMicroelectronics
1: $6.460
232En existencias
600Se espera el 27-07-2026

N.º de artículo del Fabricante
STFW4N150

N.º de artículo de Mouser
511-STFW4N150

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1500 V 4 A PowerMESH

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Hoja de datos

232En existencias

600Se espera el 27-07-2026

$6.460

$3.811

$3.181

$3.082

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-3PF-3

N-Channel

1 Channel

1.5 kV

4 A

7 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

50 nC

- 55 C

+ 150 C

63 W

Enhancement

PowerMESH

Tube

STMicroelectronics PowerMESH Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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