STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Nombre comercial
Empaquetado
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 14 Amp Zener SuperMESH
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1.536En existencias
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 14 A 340 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 106 nC - 55 C + 150 C 160 W Enhancement Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 400V -.23 Zener SuperMESH 15A
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1.901En existencias
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 400 V 15 A 250 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 65 nC - 55 C + 150 C 35 W Enhancement SuperMESH Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.098 Ohm 29 A MDmesh M5
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1.225En existencias
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 18.3 A 110 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 62.5 nC - 55 C + 150 C 190 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V 1 Ohm 9A Zener MDmesh K5
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1.554En existencias
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 950 V 9 A 1.25 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 13 nC - 55 C + 150 C 90 W Enhancement MDmesh Tube

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 900 Volt 11 Amp Zener SuperMESH
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1.002En existencias
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Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 900 V 11 A 880 mOhms - 30 V, 30 V 4.5 V 113 nC - 55 C + 150 C 230 W Enhancement SuperMESH Tube

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 950V 0.41Ohm typ. 12A MDmesh K5
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1.444En existencias
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Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 950 V 12 A 410 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 40 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement SuperMESH Tube

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 20 Amp
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882En existencias
Min.: 1
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Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 290 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 54 nC - 65 C + 150 C 192 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 85 mOhm typ., 30 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-247 package
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2.974En existencias
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Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 30 A 85 mOhms - 25 V, 25 V 3.25 V 44.3 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement MDmesh Tube

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 42 mOhm typ., 60 A MDmesh DM2 Power MOSFET in
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508En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 60 A 50 mOhms - 25 V, 25 V 4 V 27 nC - 55 C + 150 C 446 W Enhancement AEC-Q101 MDmesh Tube

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 900 Volt 6 Amp Zener SuperMESH
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943En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 900 V 5.8 A 2 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 46.5 nC - 55 C + 150 C 140 W Enhancement SuperMESH Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 75V 3.5mOhm N-Channel
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1.698En existencias
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Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 75 V 120 A 4 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 85 nC - 55 C + 175 C 330 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.135 Ohm typ., 22 A MDmesh M2 Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) in D2PAK package
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1.893En existencias
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Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 22 A 150 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 36 nC - 55 C + 150 C 170 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 102 mOhm typ., 28 A MDmesh DM6 Power MOSFET in
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816En existencias
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Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 18 A 115 mOhms - 25 V, 25 V 4.75 V 46 nC - 55 C + 150 C 223 W Enhancement AEC-Q101 MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 600 V, 70 mOhm typ., 36 A MDmesh DM6 Power MOSFET in
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1.000En existencias
Min.: 1
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Carrete: 1.000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 36 A 80 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 55 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement AEC-Q101 MDmesh Reel, Cut Tape
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch 60V 0.15Ohm 10A STripFET VI DeepGat
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12.297En existencias
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Carrete: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 60 V 10 A 160 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 6.4 nC - 55 C + 175 C 35 W Enhancement STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.198 Ohm 15 A MDmesh M5
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1.377En existencias
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Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 650 V 15 A 198 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 31 nC - 55 C + 150 C 110 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 800V-3.8ohms Zener SuperMESH 2.5A
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3.422En existencias
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Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 800 V 2.5 A 4.5 Ohms - 30 V, 30 V 4.5 V 19 nC - 55 C + 150 C 70 W Enhancement SuperMESH Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 4 Amp Zener SuperMESH
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2.390En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 4 A 2 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 26 nC - 55 C + 150 C 70 W Enhancement SuperMESH Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 950V 2Ohm typ 3.5A Zener-protected
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4.380En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 950 V 3.5 A 2 Ohms - 30 V, 30 V 4 V 12.5 nC - 55 C + 150 C 70 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1050 V, 1 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) in TO-220FP package
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1.090En existencias
Min.: 1
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 1.05 kV 6 A 1 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 21.5 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 0.162 Ohm 17A MDmesh II PWR
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930En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 17 A 190 mOhms - 25 V, 25 V 2 V 45 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100 V 2.1 mOhm 180 A STripFET
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1.254En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 1.000

Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 100 V 180 A 2.3 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 180 nC - 55 C + 175 C 315 W Enhancement STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.350 Ohm typ., 8 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6
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3.243En existencias
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Carrete: 3.000

Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8 N-Channel 1 Channel 600 V 8 A 350 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 19 nC - 55 C + 150 C 52 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 70 mOhm typ., 31 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV
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1.983En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT PowerFLAT-8x8-5 N-Channel 1 Channel 600 V 31 A 80 mOhms - 25 V, 25 V 3.25 V 57 nC - 55 C + 150 C 189 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 18A Mosfet PowerFLAT STripFET V
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4.461En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8 N-Channel 1 Channel 40 V 18 A 6.1 mOhms - 22 V, 22 V 1 V 13 nC - 55 C + 175 C 72 W Enhancement AEC-Q100 STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel