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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 1.354

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Fabricante = STMicroelectronics

Tecnología

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Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 0.062 Ohm typ., 4.5 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 3

STL4N10F7
STMicroelectronics
1: $965
923En existencias

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STL4N10F7

N.º de artículo de Mouser
511-STL4N10F7

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 0.062 Ohm typ., 4.5 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 3

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923En existencias

Cinta cortada

$965

$602

$392

$302

Envase tipo carrete

$230

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Mult.: 1

Carrete: 3.000

SMD/SMT

PowerFLAT-3.3x3.3-8

N-Channel

1 Channel

100 V

4.5 A

70 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

7.8 nC

- 55 C

+ 150 C

2.9 W

Enhancement

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade dual N-channel, 40 V, 7.0 mOhm typ., 40 A, STripFET F7 Power M

STL64DN4F7AG
STMicroelectronics
1: $2.127
654En existencias

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STL64DN4F7AG

N.º de artículo de Mouser
511-STL64DN4F7AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade dual N-channel, 40 V, 7.0 mOhm typ., 40 A, STripFET F7 Power M

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654En existencias

Cinta cortada

$2.127

$1.369

$942

$799

Envase tipo carrete

$581

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Mult.: 1

Carrete: 3.000

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 600 V, 70 mOhm typ., 36 A MDmesh DM6 Power MOSFET in

STHU47N60DM6AG
STMicroelectronics
1: $6.401
59En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STHU47N60DM6AG

N.º de artículo de Mouser
511-STHU47N60DM6AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 600 V, 70 mOhm typ., 36 A MDmesh DM6 Power MOSFET in

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59En existencias

Cinta cortada

$6.401

$4.510

$3.250

Envase tipo carrete

$3.112

$3.003

$2.954

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 600

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

600 V

36 A

80 Ohms

- 25 V, 25 V

4.75 V

55 nC

- 55 C

+ 150 C

250 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade dual N-channel 40 V, 9 mOhm typ., 18 A STripFET F7 Power MOSFET

STL52DN4LF7AG
STMicroelectronics
1: $1.704
2.805En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL52DN4LF7AG

N.º de artículo de Mouser
511-STL52DN4LF7AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade dual N-channel 40 V, 9 mOhm typ., 18 A STripFET F7 Power MOSFET

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2.805En existencias

Cinta cortada

$1.704

$1.083

$723

$593

Envase tipo carrete

$450

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3.000

SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-4

N-Channel

2 Channel

40 V

18 A

16 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

9.4 nC

- 55 C

+ 175 C

65 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.55 Ohm typ. 7.5A

STB10N60M2
STMicroelectronics
1: $2.393
1.075En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB10N60M2

N.º de artículo de Mouser
511-STB10N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.55 Ohm typ. 7.5A

Hoja de datos

1.075En existencias

Cinta cortada

$2.393

$1.546

$1.054

$855

Envase tipo carrete

$719

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1.000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

650 V

7.5 A

600 mOhms

- 25 V, 25 V

4 V

13.5 nC

- 55 C

+ 150 C

85 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100 Volt 35 Amp

STB30NF10T4
STMicroelectronics
1: $1.989
1.412En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB30NF10T4

N.º de artículo de Mouser
511-STB30NF10

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100 Volt 35 Amp

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1.412En existencias

Cinta cortada

$1.989

$1.270

$857

$680

Envase tipo carrete

$555

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1.000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

35 A

38 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

55 nC

- 55 C

+ 175 C

115 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 230 mOhm typ., 13 A MDmesh M6 Power MOSFET in a DPAK package

STD18N60M6
STMicroelectronics
1: $2.186
1.632En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD18N60M6

N.º de artículo de Mouser
511-STD18N60M6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 230 mOhm typ., 13 A MDmesh M6 Power MOSFET in a DPAK package

Hoja de datos

1.632En existencias

Cinta cortada

$2.186

$1.398

$965

$772

Envase tipo carrete

$599

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2.500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

13 A

280 mOhms

- 25 V, 25 V

3.25 V

16.8 nC

- 55 C

+ 150 C

110 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100 Volt 25 Amp

STD20NF10T4
STMicroelectronics
1: $1.556
1.981En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD20NF10T4

N.º de artículo de Mouser
511-STD20NF10

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100 Volt 25 Amp

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1.981En existencias

Cinta cortada

$1.556

$977

$648

$512

Envase tipo carrete

$392

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2.500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

25 A

38 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

55 nC

- 55 C

+ 175 C

85 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 V 1.6 Ohm 3.3 A MDmesh II

STD3NM60N
STMicroelectronics
1: $1.723
2.222En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD3NM60N

N.º de artículo de Mouser
511-STD3NM60N

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 V 1.6 Ohm 3.3 A MDmesh II

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2.222En existencias

Cinta cortada

$1.723

$1.093

$735

$582

Envase tipo carrete

$452

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2.500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

2.5 A

1.8 Ohms

- 25 V, 25 V

2 V

9.5 nC

- 55 C

+ 150 C

50 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 1.06Ohm 4.5A MDmesh M2

STD6N60M2
STMicroelectronics
1: $1.960
2.265En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD6N60M2

N.º de artículo de Mouser
511-STD6N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 1.06Ohm 4.5A MDmesh M2

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2.265En existencias

Cinta cortada

$1.960

$1.251

$848

$719

Envase tipo carrete

$541

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2.500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

4.5 A

1.06 Ohms

- 25 V, 25 V

3 V

8 nC

- 55 C

+ 150 C

60 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 30 V, 2 mOhm typ., 80 A, STripFET H6 Power MOSFET in DPAK package

STD80N3LL
STMicroelectronics
1: $926
2.977En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD80N3LL

N.º de artículo de Mouser
511-STD80N3LL

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 30 V, 2 mOhm typ., 80 A, STripFET H6 Power MOSFET in DPAK package

Hoja de datos

2.977En existencias

Cinta cortada

$926

$652

$477

$396

Envase tipo carrete

$334

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2.500

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

30 V

80 A

5.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

18 nC

- 55 C

+ 175 C

75 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 140 mOhm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP packag

STF26N60M2
STMicroelectronics
1: $3.358
981En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF26N60M2

N.º de artículo de Mouser
511-STF26N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 140 mOhm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP packag

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981En existencias

$3.358

$1.694

$1.526

$1.241

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Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

20 A

165 mOhms

- 25 V, 25 V

2 V

- 55 C

+ 150 C

30 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650 V 0.160 Ohm 18 A MDmesh(TM) M5

STI20N65M5
STMicroelectronics
1: $3.791
958En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STI20N65M5

N.º de artículo de Mouser
511-STI20N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650 V 0.160 Ohm 18 A MDmesh(TM) M5

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958En existencias

$3.791

$1.832

$1.507

$1.369

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Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-262-3

N-Channel

1 Channel

650 V

18 A

160 mOhms

- 25 V, 25 V

4 V

36 nC

- 55 C

+ 150 C

130 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 330 mOhm typ., 7 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 HV

STL13N60M6
STMicroelectronics
1: $2.560
2.800En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL13N60M6

N.º de artículo de Mouser
511-STL13N60M6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 330 mOhm typ., 7 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 HV

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2.800En existencias

Cinta cortada

$2.560

$1.635

$1.113

$910

Envase tipo carrete

$716

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3.000

SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-4

N-Channel

1 Channel

600 V

7 A

415 mOhms

- 25 V, 25 V

3.25 V

13 nC

- 55 C

+ 150 C

52 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 550V 0.066Ohm 31A MDmesh M5

STL36N55M5
STMicroelectronics
1: $5.839
2.984En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL36N55M5

N.º de artículo de Mouser
511-STL36N55M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 550V 0.066Ohm 31A MDmesh M5

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Hoja de datos

2.984En existencias

Cinta cortada

$5.839

$4.224

$3.062

Envase tipo carrete

$2.491

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3.000

SMD/SMT

PowerFLAT-8x8-5

N-Channel

1 Channel

550 V

22.5 A

90 mOhms

- 25 V, 25 V

4 V

62 nC

- 55 C

+ 150 C

150 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 0.020Ohm 10A STripFET VII

STL40N10F7
STMicroelectronics
1: $2.068
2.086En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL40N10F7

N.º de artículo de Mouser
511-STL40N10F7

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 0.020Ohm 10A STripFET VII

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Hoja de datos

2.086En existencias

Cinta cortada

$2.068

$1.320

$910

$725

Envase tipo carrete

$561

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3.000

SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-8

N-Channel

1 Channel

100 V

20 A

24 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

14 nC

- 55 C

+ 175 C

5 W

Enhancement

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.175 Ohm typ. 18A MDmesh DM2

STP24N60DM2
STMicroelectronics
1: $3.771
855En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP24N60DM2

N.º de artículo de Mouser
511-STP24N60DM2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.175 Ohm typ. 18A MDmesh DM2

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855En existencias

$3.771

$1.497

$1.477

$1.457

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Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

18 A

200 mOhms

- 25 V, 25 V

4 V

29 nC

- 55 C

+ 150 C

150 W

Enhancement

FDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 1.06Ohm 4.5A MDmesh M2

STP6N60M2
STMicroelectronics
1: $2.038
1.797En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP6N60M2

N.º de artículo de Mouser
511-STP6N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 1.06Ohm 4.5A MDmesh M2

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Hoja de datos

1.797En existencias

$2.038

$759

$755

$642

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Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

4.5 A

1.06 Ohms

- 25 V, 25 V

3 V

8 nC

- 55 C

+ 150 C

60 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 700V-1ohm Zener SuperMESH 7.5A

STP9NK70ZFP
STMicroelectronics
1: $4.175
488En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP9NK70ZFP

N.º de artículo de Mouser
511-STP9NK70ZFP

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 700V-1ohm Zener SuperMESH 7.5A

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488En existencias

$4.175

$1.960

$1.832

$1.635

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Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

700 V

7.5 A

1.2 Ohms

- 30 V, 30 V

3.75 V

48 nC

- 55 C

+ 150 C

35 W

Enhancement

SuperMESH

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V Mdmesh 8A

STU10NM60N
STMicroelectronics
1: $3.850
2.998En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STU10NM60N

N.º de artículo de Mouser
511-STU10NM60N

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V Mdmesh 8A

Hoja de datos

2.998En existencias

$3.850

$2.521

$1.851

$1.644

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Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-251-3

N-Channel

1 Channel

600 V

8 A

530 mOhms

- 25 V, 25 V

2 V

19 nC

- 55 C

+ 150 C

70 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 0.60 Ohm typ., 8 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package

STW8N90K5
STMicroelectronics
1: $4.274
661En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW8N90K5

N.º de artículo de Mouser
511-STW8N90K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 0.60 Ohm typ., 8 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package

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Hoja de datos

661En existencias

$4.274

$2.393

$1.654

$1.536

$1.507

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

900 V

8 A

680 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

11 nC

- 55 C

+ 150 C

130 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1050 V, 0.110 Ohm typ., 46 A MDmesh DK5 Power MOSFET in a Max247 packa

STY50N105DK5
STMicroelectronics
1: $26.942
439En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STY50N105DK5

N.º de artículo de Mouser
511-STY50N105DK5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1050 V, 0.110 Ohm typ., 46 A MDmesh DK5 Power MOSFET in a Max247 packa

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Hoja de datos

439En existencias

$26.942

$17.390

$16.563

$16.553

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

Max247-3

N-Channel

1 Channel

1.05 kV

44 A

100 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

175 nC

- 55 C

+ 150 C

625 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 0.246 ohm 12 A MDmesh II

STB14NM50N
STMicroelectronics
1: $4.815
667En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB14NM50N

N.º de artículo de Mouser
511-STB14NM50N

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 0.246 ohm 12 A MDmesh II

Hoja de datos

667En existencias

Cinta cortada

$4.815

$3.200

$2.275

$2.147

Envase tipo carrete

$1.753

$1.743

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1.000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

500 V

12 A

900 mOhms

- 25 V, 25 V

4 V

42 nC

- 55 C

+ 150 C

90 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 20 Amp

STB20NM50T4
STMicroelectronics
1: $5.938
967En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB20NM50T4

N.º de artículo de Mouser
511-STB20NM50

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 20 Amp

Hoja de datos

967En existencias

Cinta cortada

$5.938

$4.067

$2.934

Envase tipo carrete

$2.373

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1.000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

500 V

20 A

250 mOhms

- 30 V, 30 V

- 65 C

+ 150 C

192 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET N-CH 650V

STB30N65M5
STMicroelectronics
1: $6.863
1.000En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB30N65M5

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511-STB30N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET N-CH 650V

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Hoja de datos

1.000En existencias

Cinta cortada

$6.863

$4.638

$3.447

$3.437

Envase tipo carrete

$2.806

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1.000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

650 V

22 A

125 mOhms

- 25 V, 25 V

4 V

64 nC

- 55 C

+ 150 C

140 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

ACEPACK SMIT-9
D2PAK-3 (TO-263-3)
DPAK-3 (TO-252-3)
H2PAK-2
H2PAK-3
H2PAK-6
H2PAK-7
HU3PAK-7
I2PAK-3
IPAK-3
ISOTOP-4
Max247-3
PowerFLAT-2x2-6
PowerFLAT-3.3x3.3-8
PowerFLAT-3.3x3.3-HV-8
PowerFLAT-4
PowerFLAT-5
PowerFLAT-5x5-12
PowerFLAT-5x6-4
PowerFLAT5x6-8

20 V
24 V
30 V
33 V
40 V
45 V
55 V
60 V
65 V
68 V
70 V
75 V
80 V
100 V
120 V
150 V
200 V
250 V
300 V
330 V

250 mA
300 mA
400 mA
430 mA
500 mA
600 mA
1 A
1.2 A
1.4 A
1.5 A
1.8 A
1.85 A
2 A
2.1 A
2.2 A
2.3 A
2.4 A
2.5 A
2.6 A
2.7 A

800 uOhms
1 mOhms
1.1 mOhms
1.15 mOhms
1.2 mOhms
1.27 mOhms
1.3 mOhms
1.6 mOhms
1.68 mOhms
1.7 mOhms
2 mOhms
2.1 mOhms
2.15 mOhms
2.2 mOhms
2.3 mOhms
2.4 mOhms
2.5 mOhms
2.6 mOhms
2.7 mOhms
2.8 mOhms

600 mV
700 mV
800 mV
1 V
1.5 V
1.7 V
2 V
2.25 V
2.3 V
2.5 V
3 V
3.2 V
3.25 V
3.5 V
3.75 V
3.8 V
4 V
4.2 V
4.5 V
4.75 V

900 pC
2.63 nC
3 nC
3.4 nC
3.6 nC
3.7 nC
4 nC
4.5 nC
4.6 nC
4.8 nC
4.9 nC
5 nC
5.3 nC
5.4 nC
5.7 nC
6 nC
6.2 nC
6.4 nC
6.5 nC
6.9 nC

321 mW
350 mW
1.6 W
2 W
2.4 W
2.5 W
2.6 W
2.7 W
2.8 W
2.9 W
3 W
3.1 W
3.2 W
3.3 W
4.8 W
5 W
6 W
20 W
21 W
22 W