Infineon GaN FETs

Resultados: 87
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Nombre comercial
Infineon Technologies GaN FETs CoolGaN Transistor 120 V G3 in PQFN 3x5, 2.7 mohm 8.919En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5.000

SMD/SMT 1 Channel 120 V 71 A 3.7 mOhms 6.5 V 2.9 V 13 nC - 40 C + 150 C 45 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies GaN FETs LEGACY GAN SYSTEMS 3.193En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

SMD/SMT PDFN-6 N-Channel 1 Channel 650 V 11 A 150 mOhms - 10 V, + 7 V 1.5 V 2 nC - 40 C + 150 C Enhancement
Infineon Technologies GaN FETs LEGACY GAN SYSTEMS 1.206En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 650 V 15 A 130 mOhms - 10 V, + 7 V 2.6 V 3.3 nC - 55 C + 150 C Enhancement GaNPX
Infineon Technologies GaN FETs LEGACY GAN SYSTEMS 2.113En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

SMD/SMT PDFN-6 N-Channel 1 Channel 650 V 11 A 150 mOhms - 10 V, + 7 V 1.5 V 2 nC - 40 C + 150 C Enhancement
Infineon Technologies GaN FETs LEGACY GAN SYSTEMS 2.699En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 250

SMD/SMT PDFN-6 N-Channel 1 Channel 650 V 11 A 150 mOhms - 10 V, + 7 V 1.5 V 2 nC - 40 C + 150 C Enhancement
Infineon Technologies GaN FETs CoolGaN Transistor 100 V G3 in PQFN 3x3, 5 mohm 3.840En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5.000

SMD/SMT 1 Channel 100 V 38 A 7 mOhms 6.5 V 2.9 V 6.1 nC - 40 C + 150 C 23 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies GaN FETs CoolGaN Transistor 100 V G3 in PQFN 3x3, 9.4 mohm 3.399En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5.000

SMD/SMT 1 Channel 100 V 23 A 11 mOhms 6.5 V 2.9 V 3.4 nC - 40 C + 150 C 15 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies GaN FETs CoolGaN Transistor 60 V G3 in PQFN 3x5, 1.3 mohm 3.577En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5.000

SMD/SMT 1 Channel 60 V 99 A 1.9 mOhms 6.5 V 2.9 V 13 nC - 40 C + 150 C 45 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies GaN FETs CoolGaN Transistor 80 V G3 in PQFN 3x5, 1.8 mohm 6.355En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5.000

SMD/SMT 1 Channel 80 V 86 A 2.5 mOhms 6.5 V 2.9 V 12 nC - 40 C + 150 C 45 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies GaN FETs CoolGaN Transistor 700 V G5 1.792En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2.500

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 700 V - 10 V 1.6 V 1.9 nC - 40 C + 150 C 29 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies GaN FETs Two 140 mohm / 650 V GaN transistors in half-bridge configuration 2.392En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

SMD/SMT QFN-32 N-Channel 2 Channel 650 V 170 mOhms 1.6 V 1.8 nC - 55 C + 150 C
Infineon Technologies GaN FETs CoolGaN Transistor 650 V G5 2.022En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 22 A 70 mOhms - 10 V 1.6 V 4.7 nC - 55 C + 150 C 111 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies GaN FETs CoolGaN Transistor 650 V G5 2.304En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 18 A 100 mOhms - 10 V 1.6 V 25 nC - 55 C + 150 C 81 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies GaN FETs CoolGaN Transistor 650 V G5 2.388En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 16 A 140 mOhms - 10 V 1.6 V 2.4 nC - 55 C + 150 C 59 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies GaN FETs CoolGaN Transistor 650 V G5 2.263En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 13 A 170 mOhms - 10 V 1.6 V 1.8 nC - 55 C + 150 C 47 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies GaN FETs CoolGaN Transistor 700 V G5 4.888En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5.000

SMD/SMT PG-TSON-8 HEMT 1 Channel 700 V 13 A 170 mOhms 1.6 V 1.8 nC - 40 C + 150 C 47 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies GaN FETs CoolGaN Transistor 700 V G5 5.130En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5.000

SMD/SMT PG-TSON-8 HEMT 1 Channel 700 V 9.2 A 240 mOhms - 10 V 1.6 V 1.26 nC - 40 C + 150 C 34 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies GaN FETs CoolGaN Transistor 700 V G5 1.924En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2.500

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 700 V 240 mOhms - 10 V 1.6 V 1.3 nC - 40 C + 150 C 21 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies GaN FETs CoolGaN Transistor 700 V G5 1.924En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2.500

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 700 V 330 mOhms - 10 V 1.6 V 1 nC - 40 C + 150 C 18 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies GaN FETs CoolGaN Transistor 700 V G5 1.096En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2.500

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 700 V 600 mOhms - 10 V 1.6 V 0.53 nC - 40 C + 150 C 11 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies GaN FETs MV GAN DISCRETES 2.250En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5.000

SMD/SMT PG-VSON-4 HEMT 1 Channel 100 V 23 A - 4 V, + 5.5 V 2.9 V 3.4 nC - 40 C + 150 C 15 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies GaN FETs MV GAN DISCRETES 5.415En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5.000

SMD/SMT PG-VSON-6 HEMT 1 Channel 100 V 76 A 3.3 mOhms - 4 V, + 5.5 V 2.9 V 11 nC - 40 C + 150 C 45 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies GaN FETs MV GAN DISCRETES 1.225En existencias
10.000Se espera el 23-02-2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5.000

SMD/SMT PG-TSON-6 HEMT 1 Channel 100 V 76 A 3.3 mOhms - 4 V, + 5.5 V 2.9 V 11 nC - 40 C + 150 C 45 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies GaN FETs CoolGaN Transistor 650 V G5 2.535En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

SMD/SMT PG-LSON-8 HEMT 1 Channel 650 V 20 A 70 mOhms - 10 V 1.2 V 4.7 nC - 55 C + 150 C 91 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies GaN FETs CoolGaN Transistor 650 V G5 2.832En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

SMD/SMT PG-LSON-8 HEMT 1 Channel 650 V 18 A 100 mOhms - 10 V 1.2 V 3.3 nC - 55 C + 150 C 68 W Enhancement CoolGaN