650V N-Channel Super Junction MOSFETs

Panjit 650V N-Channel Super Junction MOSFETs feature a low RDS(ON) and high-speed switching in an ITO-220AB-F package. The 650V MOSFETs support an RDS(ON) of 280mΩ, 380mΩ, 600mΩ, or 900mΩ. In addition, the MOSFETs provide a 4.7A, 7.3A, 10.6A, or 13.8A current. The 100% avalanche and Rg tested Panjit 650V N-Ch Super Junction MOSFETs offer ease of use.

Resultados: 4
Seleccionar Imagen N.° de pieza
 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Configuración
If - Corriente directa
Vrrm - Tensión inversa repetitiva
Vf - Tensión directa
Ifsm - Sobrecorriente en sentido directo
Ir - Corriente inversa
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Empaquetado
Panjit Diodos Schottky de SiC 1200V SiC Schottky Barrier Diode
Hoja de datos
1.441En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247AD-2 Single 20 A 1.2 kV 1.5 V 840 A 6.3 uA - 55 C + 175 C Tube
Panjit Diodos Schottky de SiC 1200V SiC Schottky Barrier Diode
Hoja de datos
1.495En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247AD-3 Dual 10 A 1.2 kV 1.5 V 720 A 1.16 uA - 55 C + 175 C Tube
Panjit Diodos Schottky de SiC 1200V SiC Schottky Barrier Diode
Hoja de datos
1.500En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Tube
Panjit Diodos Schottky de SiC 1200V SiC Schottky Barrier Diode
Hoja de datos
1.500En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Tube