Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

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Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

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.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V 15.2A PG-TSDSON-8 OptiMOS 3

BSZ900N20NS3 G
Infineon Technologies
1: $1.989
16.837En existencias

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BSZ900N20NS3 G

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726-BSZ900N20NS3G

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V 15.2A PG-TSDSON-8 OptiMOS 3

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$1.989

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$877

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SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

200 V

15.2 A

90 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

8.7 nC

- 55 C

+ 150 C

62.5 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 7A TSDSON-8 OptiMOS 3

BSZ22DN20NS3 G
Infineon Technologies
1: $1.595
2.776En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSZ22DN20NS3 G

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726-BSZ22DN20NS3G

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 7A TSDSON-8 OptiMOS 3

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Cinta cortada

$1.595

$1.014

$676

$553

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SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

200 V

7 A

194 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

5.6 nC

- 55 C

+ 150 C

34 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 60V 2.7A 92mOhm 2.5nC Qg

IRLML0060TRPBF
Infineon Technologies
1: $571
142.749En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRLML0060TRPBF

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942-IRLML0060TRPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 60V 2.7A 92mOhm 2.5nC Qg

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$571

$350

$224

$168

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$123

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SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

60 V

2.7 A

116 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

2.5 nC

- 55 C

+ 150 C

1.25 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DIFFERENTIATED MOSFETS

IRL100HS121
Infineon Technologies
1: $1.103
7.955En existencias
8.000Se espera el 14-04-2026

N.º de artículo del Fabricante
IRL100HS121

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726-IRL100HS121

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DIFFERENTIATED MOSFETS

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$1.103

$688

$452

$350

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SMD/SMT

PQFN 2x2 (DFN2020)

N-Channel

1 Channel

100 V

5.1 A

34 mOhms

- 20 V, 20 V

1.1 V

3.7 nC

- 55 C

+ 175 C

11.5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

IRL80HS120
Infineon Technologies
1: $1.418
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IRL80HS120

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726-IRL80HS120

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

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$1.418

$894

$594

$465

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SMD/SMT

PQFN 2x2 (DFN2020)

N-Channel

1 Channel

80 V

12.5 A

25 mOhms

- 20 V, 20 V

1.1 V

7 nC

- 55 C

+ 175 C

11.5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 7A TSDSON-8 OptiMOS 3

BSZ22DN20NS3GATMA1
Infineon Technologies
1: $1.585
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BSZ22DN20NS3GATMA1

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726-BSZ22DN20NS3GATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 7A TSDSON-8 OptiMOS 3

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$1.585

$1.014

$673

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SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

200 V

7 A

194 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

5.6 nC

- 55 C

+ 150 C

34 W

Enhancement

OptiMOS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 250V 5A TDSON-8 OptiMOS 3

BSZ42DN25NS3GATMA1
Infineon Technologies
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BSZ42DN25NS3GATMA1

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$756

$598

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Mult.: 1

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SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

250 V

5 A

371 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

5.5 nC

- 55 C

+ 150 C

33.8 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 21A TSDSON-8 OptiMOS 3

BSZ520N15NS3 G
Infineon Technologies
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BSZ520N15NS3 G

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726-BSZ520N15NS3G

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$915

$776

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$616

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Mult.: 1

Carrete: 5.000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

150 V

21 A

42 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

12 nC

- 55 C

+ 150 C

57 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 21A TSDSON-8 OptiMOS 3

BSZ520N15NS3GATMA1
Infineon Technologies
1: $2.029
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10.000En pedido

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BSZ520N15NS3GATMA1

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726-BSZ520N15NS3GATM

Infineon Technologies

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$2.029

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$877

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SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

150 V

21 A

52 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

8.7 nC

- 55 C

+ 150 C

57 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 13A TSDSON-8 OptiMOS 3

BSZ900N15NS3 G
Infineon Technologies
1: $1.910
2.990En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSZ900N15NS3 G

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ900N15NS3G

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 13A TSDSON-8 OptiMOS 3

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$1.910

$1.221

$808

$663

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$527

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SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

150 V

13 A

74 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

7 nC

- 55 C

+ 150 C

38 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 15.2A TDSON-8 OptiMOS 3

BSZ900N20NS3GATMA1
Infineon Technologies
1: $1.969
16.560En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSZ900N20NS3GATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ900N20NS3GATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 15.2A TDSON-8 OptiMOS 3

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$1.969

$1.260

$849

$675

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$591

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5.000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

200 V

15.2 A

77 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

11.6 nC

- 55 C

+ 150 C

62.5 W

Enhancement

OptiMOS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 1 N-CH HEXFET 2.8nC

IRLHS6376TRPBF
Infineon Technologies
1: $827
8.186En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRLHS6376TRPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRLHS6376TRPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 1 N-CH HEXFET 2.8nC

Hoja de datos

8.186En existencias

Cinta cortada

$827

$492

$335

$256

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Envase tipo carrete

$178

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 4.000

SMD/SMT

PQFN 2x2 (DFN2020)

N-Channel

2 Channel

30 V

3.6 A

63 mOhms

- 12 V, 12 V

1.8 V

2.8 nC

- 55 C

+ 150 C

1.5 W

Enhancement

StrongIRFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 30V 5.2A 28mOhm 3.6nC Qg

IRLML0030TRPBF
Infineon Technologies
1: $492
161.075En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRLML0030TRPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRLML0030TRPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 30V 5.2A 28mOhm 3.6nC Qg

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Hoja de datos

161.075En existencias

Cinta cortada

$492

$291

$194

$146

Envase tipo carrete

$106

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3.000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

30 V

5.3 A

27 mOhms

- 20 V, 20 V

1.3 V

2.6 nC

- 55 C

+ 150 C

1.3 W

Enhancement

HEXFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 40V 3.6A 56mOhm 2.6nC Qg

IRLML0040TRPBF
Infineon Technologies
1: $463
556En existencias
119.150En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IRLML0040TRPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRLML0040TRPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 40V 3.6A 56mOhm 2.6nC Qg

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Hoja de datos

556En existencias

119.150En pedido

Cinta cortada

$463

$283

$179

$134

Envase tipo carrete

$97,5

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3.000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

40 V

3.6 A

78 mOhms

- 16 V, 16 V

1 V

2.6 nC

- 55 C

+ 150 C

1.3 W

Enhancement

HEXFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 250V 5A TDSON-8 OptiMOS 3

BSZ42DN25NS3 G
Infineon Technologies
1: $1.851
1.670En existencias
5.000Se espera el 20-08-2026

N.º de artículo del Fabricante
BSZ42DN25NS3 G

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ42DN25NS3G

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 250V 5A TDSON-8 OptiMOS 3

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1.670En existencias

5.000Se espera el 20-08-2026

Cinta cortada

$1.851

$1.182

$784

$642

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Envase tipo carrete

$510

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5.000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

250 V

5 A

371 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

5.5 nC

- 55 C

+ 150 C

33.8 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 13A TSDSON-8 OptiMOS 3

BSZ900N15NS3GATMA1
Infineon Technologies
1: $1.812
10.000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
BSZ900N15NS3GATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ900N15NS3GATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 13A TSDSON-8 OptiMOS 3

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10.000En pedido

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$1.812

$1.132

$775

$613

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5.000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

150 V

13 A

74 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

7 nC

- 55 C

+ 150 C

38 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

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