Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -30A -60V 68W 3950pF 0.0218
TJ30S06M3L(T6L1,NQ
Toshiba
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N.º de artículo de Mouser 757-TJ30S06M3LT6L1NQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -30A -60V 68W 3950pF 0.0218
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Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
P-Channel
1 Channel
60 V
30 A
21.8 mOhms
- 20 V, 10 V
3 V
80 nC
- 55 C
+ 175 C
68 W
Enhancement
AEC-Q100
U-MOSVI
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -60A -60V 100W 7760pF 0.0112
TJ60S06M3L(T6L1,NQ
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -60A -60V 100W 7760pF 0.0112
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Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
P-Channel
1 Channel
60 V
60 A
11.2 mOhms
- 20 V, 10 V
2 V
156 nC
- 55 C
+ 175 C
100 W
Enhancement
AEC-Q100
U-MOSVI
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -8A -60V 27W 890pF 0.104
TJ8S06M3L(T6L1,NQ)
Toshiba
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N.º de artículo de Mouser 757-TJ8S06M3LT6L1NQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -8A -60V 27W 890pF 0.104
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Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
P-Channel
1 Channel
60 V
8 A
104 mOhms
- 20 V, 10 V
2 V
19 nC
- 55 C
+ 175 C
27 W
Enhancement
AEC-Q100
U-MOSVI
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOSVIII 60V 3.3m max(VGS=10V) DPAK
TK90S06N1L,LQ
Toshiba
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N.º de artículo de Mouser 757-TK90S06N1LLQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOSVIII 60V 3.3m max(VGS=10V) DPAK
218 En existencias
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Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
60 V
90 A
5.2 mOhms
- 20 V, 20 V
1.5 V
81 nC
- 55 C
+ 175 C
100 W
Enhancement
AEC-Q101
U-MOSVIII-H
Reel, Cut Tape, MouseReel
Chile