Semiconductores discretos

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Diodos de Conmutación de Señal Baja High-speed switching USM IO-0.1A, VR-80V

1SS302A,LF
Toshiba
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1SS302A,LF

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757-1SS302ALF

Toshiba

Diodos de Conmutación de Señal Baja High-speed switching USM IO-0.1A, VR-80V

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SOT-323-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -40A -40V 68W 4140pF 0.0091

TJ40S04M3L(T6L1,NQ
Toshiba
1: $2.216
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TJ40S04M3L(T6L1,NQ

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757-TJ40S04M3LT6L1NQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -40A -40V 68W 4140pF 0.0091

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DPAK-3 (TO-252-3)

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40W 1MHz Automotive; AEC-Q101

TK15S04N1L,LQ
Toshiba
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TK15S04N1L,LQ

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40W 1MHz Automotive; AEC-Q101

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$2.147

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$932

$742

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DPAK-3 (TO-252-3)

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID -3.5A, -60V VDSS

SSM3J351R,LF
Toshiba
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SSM3J351R,LF

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757-SSM3J351RLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID -3.5A, -60V VDSS

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SOT-23F-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID: -2A, VDSS: -60V

SSM3J356R,LF
Toshiba
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SSM3J356R,LF

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757-SSM3J356RLF

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID: -2A, VDSS: -60V

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$161

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SSM3K2615R,LF
Toshiba
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SSM3K2615R,LF

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SOT-23F-3

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SSM3K318R,LF
Toshiba
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SSM3K318R,LF

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757-SSM3K318RLF

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal Mosfet

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$333

$214

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) U-MOSVIII-H 60V 6A 9.3nC MOSFET

SSM3K341R,LF
Toshiba
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SSM3K341R,LF

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757-SSM3K341RLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) U-MOSVIII-H 60V 6A 9.3nC MOSFET

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SSM3K361R,LF
Toshiba
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SSM3K361R,LF

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SOT-23F-3

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SSM3K341TU,LF
Toshiba
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SSM3K341TU,LF

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757-SSM3K341TULF

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SMD/SMT

UFM-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=3.5A VDSS=100V

SSM3K361TU,LF
Toshiba
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SSM3K361TU,LF

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757-SSM3K361TULF

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SMD/SMT

UFM-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=.8A VDSS=20V

SSM3K62TU,LF
Toshiba
1: $532
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SSM3K62TU,LF

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SMD/SMT

UFM-3

Diodos de Conmutación de Señal Baja Switching diode SNG Low leak current

1SS307E,L3F
Toshiba
1: $148
17.729En existencias
24.000Se espera el 25-06-2026

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1SS307E,L3F

N.º de artículo de Mouser
757-1SS307EL3F

Toshiba

Diodos de Conmutación de Señal Baja Switching diode SNG Low leak current

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$148

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$45,3

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SMD/SMT

SOD-523-2

Diodos de Conmutación de Señal Baja IFM=300mA Automotive; AEC-Q

1SS403,H3F
Toshiba
1: $236
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1SS403,H3F

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757-1SS403H3F

Toshiba

Diodos de Conmutación de Señal Baja IFM=300mA Automotive; AEC-Q

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$169

$105

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$56,1

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Diodes - General Purpose, Power, Switching

SMD/SMT

SOD-323

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-3.9A

SSM3J377R,LF
Toshiba
1: $335
8.377En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM3J377R,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3J377RLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-3.9A

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$335

$208

$131

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$68,9

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SMD/SMT

SOT-23F-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-6A

SSM3J378R,LF
Toshiba
1: $394
5.790En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM3J378R,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3J378RLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-6A

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5.790En existencias

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$394

$244

$154

$115

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$82,7

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MOSFETs

SMD/SMT

SOT-23F-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel Mosfet

SSM3K337R,LF
Toshiba
1: $689
9.271En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM3K337R,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K337RLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel Mosfet

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$689

$428

$279

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$169

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MOSFETs

SMD/SMT

SOT-23-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=4A VDSS=30V

SSM3K376R,LF
Toshiba
1: $354
17.760En existencias
42.000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
SSM3K376R,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K376RLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=4A VDSS=30V

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17.760En existencias

42.000En pedido

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$354

$216

$136

$101

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$71,9

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MOSFETs

SMD/SMT

SOT-23F-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=.65A VDSS=60V

SSM6N357R,LF
Toshiba
1: $650
1.106En existencias
12.000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
SSM6N357R,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6N357RLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=.65A VDSS=60V

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1.106En existencias

12.000En pedido

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$650

$401

$257

$196

Envase tipo carrete

$143

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MOSFETs

SMD/SMT

TSOP-6

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -20A -40V 41W 1850pF 0.0222

TJ20S04M3L(T6L1,NQ
Toshiba
1: $1.851
291En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TJ20S04M3L(T6L1,NQ

N.º de artículo de Mouser
757-TJ20S04M3LT6L1NQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -20A -40V 41W 1850pF 0.0222

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291En existencias

Cinta cortada

$1.851

$1.182

$793

$628

$581

Envase tipo carrete

$542

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Carrete: 2.000

MOSFETs

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOSVIII 40V 4.3m max(VGS=10V) DPAK

TK65S04N1L,LQ
Toshiba
1: $2.688
100En existencias
2.000Se espera el 29-05-2026

N.º de artículo del Fabricante
TK65S04N1L,LQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK65S04N1LLQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOSVIII 40V 4.3m max(VGS=10V) DPAK

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100En existencias

2.000Se espera el 29-05-2026

Cinta cortada

$2.688

$1.743

$1.201

$971

$930

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$906

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MOSFETs

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN VCEO 80V VCE 1.5 Ic 4A hFE 2000 min

2SD1223(TE16L1,NQ)
Toshiba
1: $1.408
12.000Se espera el 23-07-2026

N.º de artículo del Fabricante
2SD1223(TE16L1,NQ)

N.º de artículo de Mouser
757-2SD1223TE16L1NQ

Toshiba

Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN VCEO 80V VCE 1.5 Ic 4A hFE 2000 min

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12.000Se espera el 23-07-2026

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$1.408

$890

$592

$463

Envase tipo carrete

$374

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Mult.: 1

Carrete: 2.000

BJTs - Bipolar Transistors

SMD/SMT

TO-252-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=2A VDSS=34V

SSM3H137TU,LF
Toshiba
1: $689
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
SSM3H137TU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3H137TULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=2A VDSS=34V

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Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas

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$689

$425

$274

$208

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$155

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MOSFETs

SMD/SMT

UFM-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 20A 40V 38W 820pF 0.014

TK20S04K3L(T6L1,NQ
Toshiba
2.000: $492
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK20S04K3L(T6L1,NQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK20S04K3LT6L1NQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 20A 40V 38W 820pF 0.014

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$492

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Mult.: 2.000

Carrete: 2.000

MOSFETs

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

Diodos de Conmutación de Señal Baja Vr=200V If=0.1A Automotive; AEC-Q

1SS403TPH3F
Toshiba
6.000: $75,8
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
1SS403TPH3F

N.º de artículo de Mouser
757-1SS403(TPH3,F)

Toshiba

Diodos de Conmutación de Señal Baja Vr=200V If=0.1A Automotive; AEC-Q

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No en existencias

Cinta cortada

$75,8

$70,9

$65

MouseReel Disponible

Min.: 6.000
Mult.: 6.000

Carrete: 3.000

Diodes - General Purpose, Power, Switching

SMD/SMT

USC-2

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