Semiconductores discretos

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Diodos de Conmutación de Señal Baja High-speed switching USM IO-0.1A, VR-80V

1SS302A,LF
Toshiba
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1SS302A,LF

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757-1SS302ALF

Toshiba

Diodos de Conmutación de Señal Baja High-speed switching USM IO-0.1A, VR-80V

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$215

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SOT-323-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -40A -40V 68W 4140pF 0.0091

TJ40S04M3L(T6L1,NQ
Toshiba
1: $2.464
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TJ40S04M3L(T6L1,NQ

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757-TJ40S04M3LT6L1NQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -40A -40V 68W 4140pF 0.0091

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$2.464

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DPAK-3 (TO-252-3)

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40W 1MHz Automotive; AEC-Q101

TK15S04N1L,LQ
Toshiba
1: $2.382
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TK15S04N1L,LQ

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757-TK15S04N1LLQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40W 1MHz Automotive; AEC-Q101

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$2.382

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOSVIII 40V 4.3m max(VGS=10V) DPAK

TK65S04N1L,LQ
Toshiba
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TK65S04N1L,LQ

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757-TK65S04N1LLQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOSVIII 40V 4.3m max(VGS=10V) DPAK

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$2.986

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID -3.5A, -60V VDSS

SSM3J351R,LF
Toshiba
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126.000Se espera el 12-06-2026

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SSM3J351R,LF

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757-SSM3J351RLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID -3.5A, -60V VDSS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID: -2A, VDSS: -60V

SSM3J356R,LF
Toshiba
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SSM3J356R,LF

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID: -2A, VDSS: -60V

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$180

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SOT-23F-3

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SSM3K2615R,LF
Toshiba
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SSM3K2615R,LF

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SSM3K318R,LF
Toshiba
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SSM3K318R,LF

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SSM3K341R,LF
Toshiba
1: $767
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SSM3K341R,LF

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757-SSM3K341RLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) U-MOSVIII-H 60V 6A 9.3nC MOSFET

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SSM3K361R,LF
Toshiba
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SSM3K361R,LF

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757-SSM3K361RLF

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SMD/SMT

SOT-23F-3

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SSM3J377R,LF
Toshiba
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SSM3J377R,LF

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757-SSM3J377RLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-3.9A

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SSM3J378R,LF
Toshiba
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SSM3J378R,LF

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757-SSM3J378RLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-6A

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$440

$271

$171

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SMD/SMT

SOT-23F-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=3.5A VDSS=100V

SSM3K361TU,LF
Toshiba
1: $787
5.127En existencias

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SSM3K361TU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K361TULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=3.5A VDSS=100V

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$787

$487

$314

$238

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$183

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SMD/SMT

UFM-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=4A VDSS=30V

SSM3K376R,LF
Toshiba
1: $389
75.044En existencias
15.000Se espera el 08-06-2026

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SSM3K376R,LF

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757-SSM3K376RLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=4A VDSS=30V

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$389

$240

$151

$112

Envase tipo carrete

$82,8

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: 3.000

MOSFETs

SMD/SMT

SOT-23F-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=.8A VDSS=20V

SSM3K62TU,LF
Toshiba
1: $583
6.744En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM3K62TU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K62TULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=.8A VDSS=20V

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$583

$361

$230

$173

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$156

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: 3.000

MOSFETs

SMD/SMT

UFM-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel Mosfet

SSM3K337R,LF
Toshiba
1: $777
2.506En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM3K337R,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K337RLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel Mosfet

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$777

$483

$311

$236

Envase tipo carrete

$203

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Mult.: 1

: 3.000

MOSFETs

SMD/SMT

SOT-23-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=.65A VDSS=60V

SSM6N357R,LF
Toshiba
1: $879
5.903En existencias
15.000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
SSM6N357R,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6N357RLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=.65A VDSS=60V

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5.903En existencias

15.000En pedido

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$879

$538

$345

$262

Envase tipo carrete

$166

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Mult.: 1

: 3.000

MOSFETs

SMD/SMT

TSOP-6

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -20A -40V 41W 1850pF 0.0222

TJ20S04M3L(T6L1,NQ
Toshiba
1: $2.055
281En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TJ20S04M3L(T6L1,NQ

N.º de artículo de Mouser
757-TJ20S04M3LT6L1NQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -20A -40V 41W 1850pF 0.0222

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281En existencias

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$2.055

$1.309

$880

$697

Envase tipo carrete

$582

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: 2.000

MOSFETs

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

Diodos de Conmutación de Señal Baja Switching diode SNG Low leak current

1SS307E,L3F
Toshiba
1: $184
104.000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
1SS307E,L3F

N.º de artículo de Mouser
757-1SS307EL3F

Toshiba

Diodos de Conmutación de Señal Baja Switching diode SNG Low leak current

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104.000En pedido

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$184

$112

$69,5

$51,1

Envase tipo carrete

$24,5

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: 8.000

Diodes - General Purpose, Power, Switching

SMD/SMT

SOD-523-2

Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN VCEO 80V VCE 1.5 Ic 4A hFE 2000 min

2SD1223(TE16L1,NQ)
Toshiba
1: $1.554
12.000Se espera el 17-07-2026

N.º de artículo del Fabricante
2SD1223(TE16L1,NQ)

N.º de artículo de Mouser
757-2SD1223TE16L1NQ

Toshiba

Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN VCEO 80V VCE 1.5 Ic 4A hFE 2000 min

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12.000Se espera el 17-07-2026

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$1.554

$981

$651

$509

Envase tipo carrete

$425

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Mult.: 1

: 2.000

BJTs - Bipolar Transistors

SMD/SMT

TO-252-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=6A VDSS=60V

SSM3K341TU,LF
Toshiba
1: $757
4.969En pedido

N.º de artículo del Fabricante
SSM3K341TU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K341TULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=6A VDSS=60V

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4.969En pedido

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$757

$465

$300

$227

Envase tipo carrete

$174

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Mult.: 1

: 3.000

MOSFETs

SMD/SMT

UFM-3

Diodos de Conmutación de Señal Baja IFM=300mA Automotive; AEC-Q

1SS403,H3F
Toshiba
1: $297
15.033Se espera el 08-06-2026

N.º de artículo del Fabricante
1SS403,H3F

N.º de artículo de Mouser
757-1SS403H3F

Toshiba

Diodos de Conmutación de Señal Baja IFM=300mA Automotive; AEC-Q

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15.033Se espera el 08-06-2026

Cinta cortada

$297

$189

$119

$87,9

Envase tipo carrete

$63,4

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Min.: 1
Mult.: 1

: 3.000

Diodes - General Purpose, Power, Switching

SMD/SMT

SOD-323

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=2A VDSS=34V

SSM3H137TU,LF
Toshiba
1: $767
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM3H137TU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3H137TULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=2A VDSS=34V

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No en existencias

Cinta cortada

$767

$472

$304

$231

Envase tipo carrete

$177

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Mult.: 1

: 3.000

MOSFETs

SMD/SMT

UFM-3

Diodos de Conmutación de Señal Baja Vr=200V If=0.1A Automotive; AEC-Q

1SS403TPH3F
Toshiba
6.000: $108
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
1SS403TPH3F

N.º de artículo de Mouser
757-1SS403(TPH3,F)

Toshiba

Diodos de Conmutación de Señal Baja Vr=200V If=0.1A Automotive; AEC-Q

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$108

$96,1

$71,6

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Mult.: 6.000

: 3.000

Diodes - General Purpose, Power, Switching

SMD/SMT

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