Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 9

Filtros aplicados:

Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Nombre comercial

Empaquetado

Restablecer todos

Buscar dentro de los resultados

En existencias

Normalmente en existencia

Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V StrongIRFET Power Mosfet

IRFH7545TRPBF
Infineon Technologies
1: $1.841
3.402En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRFH7545TRPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRFH7545TRPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V StrongIRFET Power Mosfet

Obtenga más información

Hoja de datos

3.402En existencias

Cinta cortada

$1.841

$1.063

$788

$624

Ver

Envase tipo carrete

$542

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 4.000

SMD/SMT

PQFN-8

N-Channel

1 Channel

60 V

85 A

6 mOhms

- 20 V, 20 V

3.7 V

73 nC

- 55 C

+ 150 C

83 W

Enhancement

StrongIRFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MV POWER MOS

IPT029N08N5ATMA1
Infineon Technologies
1: $4.835
2.157En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPT029N08N5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT029N08N5ATMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MV POWER MOS

Obtenga más información

Hoja de datos

2.157En existencias

Cinta cortada

$4.835

$3.210

$2.422

$2.216

$2.009

Envase tipo carrete

$2.009

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2.000

SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

1 Channel

80 V

169 A

2.9 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

87 nC

- 55 C

+ 175 C

167 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 180A D2PAK-2

IPB017N10N5ATMA1
Infineon Technologies
1: $6.145
26.685En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB017N10N5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB017N10N5ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 180A D2PAK-2

Obtenga más información

Hoja de datos

26.685En existencias

Cinta cortada

$6.145

$4.126

$2.984

$2.974

Envase tipo carrete

$2.777

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1.000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

100 V

180 A

1.7 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

168 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

IPT007N06NATMA1
Infineon Technologies
1: $6.942
9.159En existencias
8.000Se espera el 21-05-2026

N.º de artículo del Fabricante
IPT007N06NATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT007N06NATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

Obtenga más información

Hoja de datos

9.159En existencias

8.000Se espera el 21-05-2026

Cinta cortada

$6.942

$4.697

$3.506

$3.309

Envase tipo carrete

$3.269

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2.000

SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

1 Channel

60 V

300 A

750 uOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

216 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 300A HSOF-8

IPT015N10N5ATMA1
Infineon Technologies
1: $5.199
11.841En existencias
8.000Se espera el 02-03-2026

N.º de artículo del Fabricante
IPT015N10N5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT015N10N5ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 300A HSOF-8

Obtenga más información

Hoja de datos

11.841En existencias

8.000Se espera el 02-03-2026

Cinta cortada

$5.199

$3.466

$2.481

$2.373

Envase tipo carrete

$2.216

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2.000

SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

1 Channel

100 V

300 A

1.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

169 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

IPB048N15N5ATMA1
Infineon Technologies
1: $5.327
1.070En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB048N15N5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB048N15N5ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

Obtenga más información

Hoja de datos

1.070En existencias

Cinta cortada

$5.327

$3.555

$2.541

$2.452

Envase tipo carrete

$2.294

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1.000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

150 V

120 A

3.7 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

100 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A TDSON-8

BSC039N06NSATMA1
Infineon Technologies
1: $2.275
5.007En existencias
15.000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
BSC039N06NSATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC039N06NSATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A TDSON-8

Obtenga más información

Hoja de datos

5.007En existencias

15.000En pedido

Cinta cortada

$2.275

$1.457

$995

$794

$770

Envase tipo carrete

$720

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5.000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

60 V

100 A

3.9 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

27 nC

- 55 C

+ 150 C

69 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 100A D2PAK-2 OptiMOS 3

IPB042N10N3GATMA1
Infineon Technologies
1: $2.659
2.091En existencias
2.000Se espera el 09-03-2026

N.º de artículo del Fabricante
IPB042N10N3GATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB042N10N3GATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 100A D2PAK-2 OptiMOS 3

Obtenga más información

Hoja de datos

2.091En existencias

2.000Se espera el 09-03-2026

Cinta cortada

$2.659

$1.723

$1.182

$956

Envase tipo carrete

$893

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1.000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

100 A

4.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

88 nC

- 55 C

+ 175 C

214 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 60V 293A 2.1mOhm 200nC Qg

IRFS3006TRL7PP
Infineon Technologies
1: $5.002
1.213En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IRFS3006TRL7PP

N.º de artículo de Mouser
942-IRFS3006TRL7PP

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 60V 293A 2.1mOhm 200nC Qg

Obtenga más información

Hoja de datos

1.213En existencias

Cinta cortada

$5.002

$3.545

$2.541

$2.285

Envase tipo carrete

$2.285

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 800

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

60 V

293 A

1.5 mOhms

- 20 V, 20 V

1.8 V

200 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte