Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 12

Filtros aplicados:

Paquete / Cubierta

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Dp - Disipación de potencia

Calificación

Nombre comercial

Empaquetado

Restablecer todos

Buscar dentro de los resultados

En existencias

Normalmente en existencia

Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET

IPG20N10S4L35ATMA1
Infineon Technologies
1: $1.901
24.518En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPG20N10S4L35ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPG20N10S4L35ATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

24.518En existencias

Cinta cortada

$1.901

$1.211

$820

$651

Ver

Envase tipo carrete

$566

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5.000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

2 Channel

100 V

20 A

29 mOhms, 29 mOhms

- 16 V, 16 V

1.1 V

17.4 nC

- 55 C

+ 175 C

43 W

Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET

IPG20N04S412AATMA1
Infineon Technologies
1: $1.635
16.413En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPG20N04S412AATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPG20N04S412AATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

16.413En existencias

Cinta cortada

$1.635

$1.034

$692

$546

Ver

Envase tipo carrete

$456

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5.000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

2 Channel

40 V

20 A

12.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

18 nC

- 55 C

+ 175 C

41 W

Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL_55/60V

IPG20N06S4L11AATMA1
Infineon Technologies
1: $2.344
2.710En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPG20N06S4L11AATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPG20N06S4L11AAT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL_55/60V

Obtenga más información

Hoja de datos

2.710En existencias

Cinta cortada

$2.344

$1.507

$1.034

$820

Ver

Envase tipo carrete

$749

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5.000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

2 Channel

60 V

20 A

11.2 mOhms

- 16 V, 16 V

1.2 V

53 nC

- 55 C

+ 175 C

65 W

Enhancement

AEC-Q101

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

IPG20N10S4L35AATMA1
Infineon Technologies
1: $1.950
4.978En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPG20N10S4L35AATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-20N10S4L35AATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

Obtenga más información

Hoja de datos

4.978En existencias

Cinta cortada

$1.950

$1.251

$839

$666

Ver

Envase tipo carrete

$582

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5.000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

2 Channel

100 V

20 A

45 mOhms

- 16 V, 16 V

1.1 V

17.4 nC

- 55 C

+ 175 C

43 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

IPG20N10S4L-22A
Infineon Technologies
1: $2.393
4.857En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPG20N10S4L-22A

N.º de artículo de Mouser
726-IPG20N10S4L-22A

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

Obtenga más información

Hoja de datos

4.857En existencias

Cinta cortada

$2.393

$1.536

$1.044

$869

Ver

Envase tipo carrete

$751

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5.000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

2 Channel

100 V

20 A

20 mOhms, 20 mOhms

- 16 V, 16 V

1.1 V

27 nC

- 55 C

+ 175 C

60 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IPZ40N04S5L4R8ATMA1
Infineon Technologies
1: $1.251
6.469En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPZ40N04S5L4R8ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPZ40N04S5L4R8AT

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

Obtenga más información

Hoja de datos

6.469En existencias

Cinta cortada

$1.251

$779

$520

$405

$339

Envase tipo carrete

$316

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5.000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

40 A

4.8 mOhms

- 16 V, 16 V

1.6 V

29 nC

- 55 C

+ 175 C

48 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IPZ40N04S5L7R4ATMA1
Infineon Technologies
1: $1.152
10.416En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPZ40N04S5L7R4ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPZ40N04S5L7R4AT

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

Obtenga más información

Hoja de datos

10.416En existencias

Cinta cortada

$1.152

$702

$461

$357

$295

Envase tipo carrete

$271

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5.000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

40 A

7.4 mOhms

- 16 V, 16 V

1.6 V

17 nC

- 55 C

+ 175 C

34 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2

IPG20N04S4-12
Infineon Technologies
1: $1.595
9.144En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPG20N04S4-12

N.º de artículo de Mouser
726-IPG20N04S4-12

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2

Obtenga más información

Hoja de datos

9.144En existencias

Cinta cortada

$1.595

$1.044

$686

$553

Ver

Envase tipo carrete

$439

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5.000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

2 Channel

40 V

20 A

12.2 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

18 nC

- 55 C

+ 175 C

41 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET

IPG20N10S4L-22
Infineon Technologies
1: $2.344
6.269En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPG20N10S4L-22

N.º de artículo de Mouser
726-IPG20N10S4L-22

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

6.269En existencias

Cinta cortada

$2.344

$1.497

$1.024

$849

$787

Envase tipo carrete

$736

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5.000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

2 Channel

100 V

20 A

20 mOhms, 20 mOhms

- 16 V, 16 V

1.1 V

27 nC

- 55 C

+ 175 C

60 W

Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET

IPG20N10S4L22ATMA1
Infineon Technologies
1: $2.304
3.054En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPG20N10S4L22ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPG20N10S4L22ATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

3.054En existencias

Cinta cortada

$2.304

$1.487

$1.004

$807

$788

Envase tipo carrete

$736

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5.000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

2 Channel

100 V

20 A

20 mOhms, 20 mOhms

- 16 V, 16 V

1.1 V

27 nC

- 55 C

+ 175 C

60 W

Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

IPG20N10S4L22AATMA1
Infineon Technologies
1: $2.344
1.921En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPG20N10S4L22AATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-20N10S4L22AATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

Obtenga más información

Hoja de datos

1.921En existencias

Cinta cortada

$2.344

$1.507

$1.034

$822

$805

Envase tipo carrete

$751

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5.000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

2 Channel

100 V

20 A

20 mOhms, 20 mOhms

- 16 V, 16 V

1.1 V

27 nC

- 55 C

+ 175 C

60 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET

IPG20N10S4L-35
Infineon Technologies
1: $1.901
1.583En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPG20N10S4L-35

N.º de artículo de Mouser
726-IPG20N10S4L-35

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

1.583En existencias

Cinta cortada

$1.901

$1.221

$840

$712

$606

Envase tipo carrete

$566

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5.000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

2 Channel

100 V

20 A

35 mOhms

- 16 V, 16 V

1.1 V

13.4 nC

- 55 C

+ 175 C

43 W

Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte