CoolSiC™ 400V G2 Silicon Carbide MOSFETs

Infineon Technologies CoolSiC™ 400V G2 Silicon Carbide MOSFETs are ideally suited for hard- and resonant-switching topologies. The Infineon 400V CoolSiC MOSFETs were specially developed for use in the AC/DC stage of AI server Power Supply Units (PSUs) and are also ideal for applications such as solar and energy storage systems. CoolSiC MOSFETs are built on a state-of-the-art trench semiconductor process optimized to allow for both the lowest losses in the application and the highest reliability in operation.

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Tipo de producto
Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET
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1.440En existencias
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MOSFETs SiC SMD/SMT HDSOP-16 N-Channel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET
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225En existencias
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MOSFETs SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET
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376En existencias
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MOSFETs SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET
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1.352En existencias
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MOSFETs SiC SMD/SMT HDSOP-16 N-Channel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET
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1.388En existencias
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MOSFETs SiC SMD/SMT HDSOP-16 N-Channel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET
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213En existencias
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MOSFETs SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
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681En existencias
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SiC MOSFETS SiC SMD/SMT TO-263-7 N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
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1.276En existencias
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SiC MOSFETS SiC SMD/SMT HSOF-8 N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
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736En existencias
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SiC MOSFETS SiC SMD/SMT N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
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943En existencias
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SiC MOSFETS SiC SMD/SMT TO-263-7 N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
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968En existencias
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SiC MOSFETS SiC SMD/SMT TO-263-7 N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
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879En existencias
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SiC MOSFETS SiC SMD/SMT TO-263-7 N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
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996En existencias
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SiC MOSFETS SiC SMD/SMT HSOF-8 N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
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1.382En existencias
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SiC MOSFETS SiC SMD/SMT HSOF-8 N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
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1.950En existencias
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SiC MOSFETS SiC SMD/SMT HSOF-8 N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
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1.850En existencias
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SiC MOSFETS SiC SMD/SMT HSOF-8 N-Channel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET
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1.800Se espera el 19-03-2026
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MOSFETs SiC SMD/SMT HDSOP-16 N-Channel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET
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1.800Se espera el 19-03-2026
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MOSFETs SiC SMD/SMT HDSOP-16 N-Channel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET
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239Se espera el 19-03-2026
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MOSFETs SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET
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240Se espera el 19-03-2026
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MOSFETs SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET
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236Se espera el 19-03-2026
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MOSFETs SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET
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240Se espera el 30-04-2026
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MOSFETs SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET
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240Se espera el 19-03-2026
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MOSFETs SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET
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240Se espera el 19-03-2026
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MOSFETs SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET
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240Se espera el 20-08-2026
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MOSFETs SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel