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TSM Serie Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 19

Filtros aplicados:

Serie = TSM

Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Empaquetado

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 28A, Single N-Channel Power MOSFET

TSM280NB06LCR RLG
Taiwan Semiconductor
1: $829
8.422En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TSM280NB06LCR RLG

N.º de artículo de Mouser
821-TSM280NB06LCRRLG

Taiwan Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 28A, Single N-Channel Power MOSFET

Hoja de datos

8.422En existencias

Cinta cortada

$829

$691

$478

$405

Envase tipo carrete

$310

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2.500

SMD/SMT

PDFN-56-8

N-Channel

1 Channel

60 V

28 A

28 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

18 nC

- 55 C

+ 175 C

56 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 121A, Single N-Channel Power MOSFET

TSM033NB04CR RLG
Taiwan Semiconductor
1: $1.859
3.886En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TSM033NB04CR RLG

N.º de artículo de Mouser
821-TSM033NB04CRRLG

Taiwan Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 121A, Single N-Channel Power MOSFET

Hoja de datos

3.886En existencias

Cinta cortada

$1.859

$1.277

$886

$749

Envase tipo carrete

$633

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2.500

SMD/SMT

PDFN56-8

N-Channel

1 Channel

40 V

121 A

3.3 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

77 nC

- 55 C

+ 175 C

107 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 54A, Single N-Channel Power MOSFET

TSM110NB04LCR RLG
Taiwan Semiconductor
1: $661
8.207En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TSM110NB04LCR RLG

N.º de artículo de Mouser
821-TSM110NB04LCRRLG

Taiwan Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 54A, Single N-Channel Power MOSFET

Hoja de datos

8.207En existencias

Cinta cortada

$661

$576

$399

$382

Envase tipo carrete

$304

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
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Carrete: 2.500

SMD/SMT

PDFN56-8

N-Channel

1 Channel

40 V

54 A

11 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

23 nC

- 55 C

+ 175 C

68 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V, 124A, Single N-Channel Power MOSFET

TSM036N03PQ56 RLG
Taiwan Semiconductor
1: $1.243
1.846En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TSM036N03PQ56 RLG

N.º de artículo de Mouser
821-TSM036N03PQ56RLG

Taiwan Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V, 124A, Single N-Channel Power MOSFET

Hoja de datos

1.846En existencias

Cinta cortada

$1.243

$840

$584

$510

Envase tipo carrete

$480

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
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Carrete: 2.500

SMD/SMT

PDFN-56-8

N-Channel

1 Channel

30 V

124 A

3.6 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

50 nC

- 55 C

+ 150 C

83 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 35A, Single N-Channel Power MOSFET

TSM220NB06CR RLG
Taiwan Semiconductor
1: $728
808En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TSM220NB06CR RLG

N.º de artículo de Mouser
821-TSM220NB06CRRLG

Taiwan Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 35A, Single N-Channel Power MOSFET

Hoja de datos

808En existencias

Cinta cortada

$728

$625

$456

$413

Envase tipo carrete

$316

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
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Carrete: 2.500

SMD/SMT

PDFN56-8

N-Channel

1 Channel

60 V

35 A

22 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

23 nC

- 55 C

+ 175 C

68 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 161A, Single N-Channel Power MOSFET

TSM025NB04CR RLG
Taiwan Semiconductor
5.000: $766
Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
TSM025NB04CR RLG

N.º de artículo de Mouser
821-TSM025NB04CRRLG

Taiwan Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 161A, Single N-Channel Power MOSFET

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas

Cinta cortada

$766

Presupuesto

Min.: 5.000
Mult.: 2.500

Carrete: 2.500

SMD/SMT

PDFN56-8

N-Channel

1 Channel

40 V

161 A

2.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

113 nC

- 55 C

+ 175 C

136 W

Enhancement

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 161A, Single N-Channel Power MOSFET

TSM025NB04LCR RLG
Taiwan Semiconductor
5.000: $766
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
TSM025NB04LCR RLG

N.º de artículo de Mouser
821-TSM025NB04LCRRLG

Taiwan Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 161A, Single N-Channel Power MOSFET

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

Cinta cortada

$766

Min.: 5.000
Mult.: 2.500

Carrete: 2.500

SMD/SMT

PDFN56-8

N-Channel

1 Channel

40 V

161 A

2.5 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

112 nC

- 55 C

+ 175 C

136 W

Enhancement

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 121A, Single N-Channel Power MOSFET

TSM033NB04LCR RLG
Taiwan Semiconductor
5.000: $595
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
TSM033NB04LCR RLG

N.º de artículo de Mouser
821-TSM033NB04LCRRLG

Taiwan Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 121A, Single N-Channel Power MOSFET

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

Cinta cortada

$595

Min.: 5.000
Mult.: 2.500

Carrete: 2.500

SMD/SMT

PDFN56-8

N-Channel

1 Channel

40 V

121 A

3.3 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

79 nC

- 55 C

+ 175 C

107 W

Enhancement

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 104A, Single N-Channel Power MOSFET

TSM045NB06CR RLG
Taiwan Semiconductor
5.000: $766
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
TSM045NB06CR RLG

N.º de artículo de Mouser
821-TSM045NB06CRRLG

Taiwan Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 104A, Single N-Channel Power MOSFET

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas

Cinta cortada

$766

Min.: 5.000
Mult.: 2.500

Carrete: 2.500

SMD/SMT

PDFN56-8

N-Channel

1 Channel

60 V

104 A

5 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

104 nC

- 55 C

+ 175 C

136 W

Enhancement

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 107A, Single N-Channel Power MOSFET

TSM048NB06LCR RLG
Taiwan Semiconductor
5.000: $766
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
TSM048NB06LCR RLG

N.º de artículo de Mouser
821-TSM048NB06LCRRLG

Taiwan Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 107A, Single N-Channel Power MOSFET

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas

Cinta cortada

$766

Min.: 5.000
Mult.: 2.500

Carrete: 2.500

SMD/SMT

PDFN56-8

N-Channel

1 Channel

60 V

107 A

4.8 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

105 nC

- 55 C

+ 175 C

136 W

Enhancement

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 75A, Single N-Channel Power MOSFET

TSM070NB04CR RLG
Taiwan Semiconductor
5.000: $389
Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
TSM070NB04CR RLG

N.º de artículo de Mouser
821-TSM070NB04CRRLG

Taiwan Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 75A, Single N-Channel Power MOSFET

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas

Cinta cortada

$389

$380

Min.: 5.000
Mult.: 2.500

Carrete: 2.500

SMD/SMT

PDFN56-8

N-Channel

1 Channel

40 V

75 A

7 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

40 nC

- 55 C

+ 175 C

83 W

Enhancement

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 75A, Single N-Channel Power MOSFET

TSM070NB04LCR RLG
Taiwan Semiconductor
5.000: $389
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
TSM070NB04LCR RLG

N.º de artículo de Mouser
821-TSM070NB04LCRRLG

Taiwan Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 75A, Single N-Channel Power MOSFET

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas

Cinta cortada

$389

$380

Min.: 5.000
Mult.: 2.500

Carrete: 2.500

SMD/SMT

PDFN56-8

N-Channel

1 Channel

40 V

75 A

7 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

39 nC

- 55 C

+ 175 C

83 W

Enhancement

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 54A, Single N-Channel Power MOSFET

TSM110NB04CR RLG
Taiwan Semiconductor
5.000: $315
Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
TSM110NB04CR RLG

N.º de artículo de Mouser
821-TSM110NB04CRRLG

Taiwan Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 54A, Single N-Channel Power MOSFET

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas

Cinta cortada

$315

$298

Min.: 5.000
Mult.: 2.500

Carrete: 2.500

SMD/SMT

PDFN56-8

N-Channel

1 Channel

40 V

54 A

11 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

23 nC

- 55 C

+ 175 C

68 W

Enhancement

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 51A, Single N-Channel Power MOSFET

TSM130NB06CR RLG
Taiwan Semiconductor
5.000: $389
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
TSM130NB06CR RLG

N.º de artículo de Mouser
821-TSM130NB06CRRLG

Taiwan Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 51A, Single N-Channel Power MOSFET

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

Cinta cortada

$389

$380

Min.: 5.000
Mult.: 2.500

Carrete: 2.500

SMD/SMT

PDFN56-8

N-Channel

1 Channel

60 V

51 A

13 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

36 nC

- 55 C

+ 175 C

83 W

Enhancement

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 51A, Single N-Channel Power MOSFET

TSM130NB06LCR RLG
Taiwan Semiconductor
180.000: $380
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
TSM130NB06LCR RLG

N.º de artículo de Mouser
821-TSM130NB06LCRRLG

Taiwan Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 51A, Single N-Channel Power MOSFET

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

Cinta cortada

$380

Min.: 180.000
Mult.: 2.500

Carrete: 2.500

SMD/SMT

PDFN56-8

N-Channel

1 Channel

60 V

51 A

13 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

37 nC

- 55 C

+ 175 C

83 W

Enhancement

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 41A, Single N-Channel Power MOSFET

TSM150NB04CR RLG
Taiwan Semiconductor
1: $1.277
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
TSM150NB04CR RLG

N.º de artículo de Mouser
821-TSM150NB04CRRLG

Taiwan Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 41A, Single N-Channel Power MOSFET

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

Cinta cortada

$1.277

$797

$516

$405

Envase tipo carrete

$326

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2.500

SMD/SMT

PDFN56-8

N-Channel

1 Channel

40 V

41 A

15 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

19 nC

- 55 C

+ 175 C

56 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 41A, Single N-Channel Power MOSFET

TSM150NB04LCR RLG
Taiwan Semiconductor
1: $1.277
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
TSM150NB04LCR RLG

N.º de artículo de Mouser
821-TSM150NB04LCRRLG

Taiwan Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 41A, Single N-Channel Power MOSFET

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas

Cinta cortada

$1.277

$797

$524

$405

Envase tipo carrete

$326

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2.500

SMD/SMT

PDFN56-8

N-Channel

1 Channel

40 V

41 A

15 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

18 nC

- 55 C

+ 175 C

56 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 35A, Single N-Channel Power MOSFET

TSM220NB06LCR RLG
Taiwan Semiconductor
5.000: $312
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
TSM220NB06LCR RLG

N.º de artículo de Mouser
821-TSM220NB06LCRRLG

Taiwan Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 35A, Single N-Channel Power MOSFET

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas

Cinta cortada

$312

$298

Min.: 5.000
Mult.: 2.500

Carrete: 2.500

SMD/SMT

PDFN56-8

N-Channel

1 Channel

60 V

35 A

22 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

23 nC

- 55 C

+ 175 C

68 W

Enhancement

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 27A, Single N-Channel Power MOSFET

TSM300NB06CR RLG
Taiwan Semiconductor
1: $1.277
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
TSM300NB06CR RLG

N.º de artículo de Mouser
821-TSM300NB06CRRLG

Taiwan Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 27A, Single N-Channel Power MOSFET

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

Cinta cortada

$1.277

$797

$524

$405

Envase tipo carrete

$326

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2.500

SMD/SMT

PDFN56-8

N-Channel

1 Channel

60 V

27 A

30 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

18 nC

- 55 C

+ 175 C

56 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

TSM Serie Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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