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MCAC1D1N03YL-TP

Name: Micro Commercial Components (MCC) MCAC1D1N03YL-TP
Brand: Micro Commercial Components (MCC)
SKU: 833-MCAC1D1N03YL-TP
Price: 2403 CLP
Availability: InStock

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Mouser N.º:

833-MCAC1D1N03YL-TP

Fabricante N.º:

MCAC1D1N03YL-TP

Fabricante:

Micro Commercial Components (MCC)

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL MOSFET,DFN5060

Ciclo de vida:

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Hoja de datos:

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	$2.403	$2.403
	$1.664	$16.640
	$1.280	$128.000
	$1.123	$561.500
	$1.004	$1.004.000
	$966	$2.415.000
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 5000)
	$940	$4.700.000

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Micro Commercial Components (MCC)
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	DFN-5060-8
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	30 V
Id - Corriente de drenaje continua:	240 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	1.7 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	1.8 V
Qg - Carga de puerta:	114 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	104 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	Micro Commercial Components (MCC)
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	54 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	42 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	5000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	82 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	17 ns

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MCAC1D1N03YL-TP Hoja de datos (PDF)

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET de canal N de nivel lógico de 30 V a 60 V MCACx

Los MOSFET de canal N de nivel lógico de 30 V a 60 V MCACx de Micro Commercial Components (MCC) cuentan con tecnología MOSFET tipo trinchera de puerta dividida (SGT). Estos MOSFET ofrecen beneficios exclusivos para los ingenieros que buscan conducirlos directamente por MCU a través de puertos de entrada/salida. Los MOSFET MCACx funcionan a un rango máximo de voltaje de umbral de puerta de 1.2 V a 2.5 V y a un rango de resistencia térmica máxima de unión a carcasa de 1.2 °C/W a 1.6 °C/W. Estos MOSFET resuelven desafíos de diseño, a la vez que mejoran la operación y la eficiencia en una gama de aplicaciones. Los MOSFET MCACx ofrecen bajos valores _RDS(on) de 1.1 mΩ a 2.7 mΩ para minimizar las pérdidas. Estos MOSFET cumplen con las normas RoHS y se incluyen en un paquete DFN5060 de alta potencia que garantiza la idoneidad para las necesidades de diseño compacto. Las aplicaciones típicas incluyen sistemas de administración de baterías, controles de iluminación, controles de motores, convertidores CC-CC y conmutadores de baja tensión.