Resonant Wireless Charging - Consumer Applications

Infineon Technologies Resonant Wireless Charging - Consumer Applications takes the lead in fast switching in power transfer topologies. With excellent figure of merit (FOM) for gate charge times, RDS(on) and Coss, these charging solutions enable 6.78MHz inverter designs. Advanced power MOSFET technology addresses frequency switching implementations, especially in the 30-10V areas for class D inverter designs and in the 150-250V voltage class for class E inverter designs.

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
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Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V 15.2A PG-TSDSON-8 OptiMOS 3
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Infineon Technologies Microcontroladores de 32 bits - MCU XMC1000
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Infineon Technologies Microcontroladores de 32 bits - MCU XMC1000
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Infineon Technologies Microcontroladores de 32 bits - MCU XMC1000
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Infineon Technologies Controladores de puertas LOW SIDE DRIVERS
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Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 7A TSDSON-8 OptiMOS 3
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Infineon Technologies Microcontroladores de 32 bits - MCU XMC1000
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Infineon Technologies Microcontroladores de 32 bits - MCU XMC1000
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Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 60V 2.7A 92mOhm 2.5nC Qg
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Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DIFFERENTIATED MOSFETS
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Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V
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Infineon Technologies Reguladores de tensión LDO LW Drop VOLT REGLTR 3.3/5V 30mA
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Infineon Technologies Microcontroladores de 32 bits - MCU XMC1000
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Infineon Technologies Controladores de puertas LOW SIDE DRIVERS
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Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 7A TSDSON-8 OptiMOS 3
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Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 250V 5A TDSON-8 OptiMOS 3
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10.000Se espera el 08-10-2026
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Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 21A TSDSON-8 OptiMOS 3
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Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 21A TSDSON-8 OptiMOS 3
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Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 13A TSDSON-8 OptiMOS 3
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Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 15.2A TDSON-8 OptiMOS 3
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Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 1 N-CH HEXFET 2.8nC
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Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 30V 5.2A 28mOhm 3.6nC Qg
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Infineon Technologies Controladores de puertas LOW SIDE DRIVERS
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Infineon Technologies Microcontroladores de 32 bits - MCU XMC1000
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Infineon Technologies XMC4108Q48K64BAXUMA1
Infineon Technologies Microcontroladores de 32 bits - MCU XMC4000
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