Electrical Vehicle DC Fast Chargers

DC charging stations are designed to convert the electrical grid’s AC power into DC power that can then be fed directly into a vehicle’s battery system for fast charging – in 30 minutes or less. Because the conversion from AC to DC power is being done in the charging station, these units can provide higher levels of power (50kW to 350kW and beyond) to the vehicle compared to AC charging stations. Working with tens to hundreds of kilowatts of power, efficient conversion, reliability of the system, and user safety are critical.

Tipos de Semiconductores discretos

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Resultados: 2.183
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Tipo de producto Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta
Littelfuse SCR 25A High Temp Thyristor 982En existencias
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SCRs Through Hole TO-220-2
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 300V 56A N-CH X3CLASS 794En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT TO-263-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 250V 120A N-CH X3CLASS 1.067En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) tbd Amps 500V 0.06 Ohms Rds 209En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-264-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds 326En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3)
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1000V 26A TO-268HV Power MOSFET 140En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT TO-268-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 60A 0.1Ohm PolarP3 Power MOSFET 268En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3)

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 80A 298En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO264 650V 120A N-CH X2CLASS 410En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
IXYS IGBTs XPT 600V IGBT 300A 250En existencias
50Se espera el 07-07-2026
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IGBT Transistors Si Through Hole
IXYS IGBTs XPT IGBT C3-Class 1200V/160A; Copack 260En existencias
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-264-3
IXYS IGBTs 1700V/108A High Voltage XPT IGBT 335En existencias
Min.: 1
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247AD-3
IXYS IGBTs TO268 1200V 85A XPT 475En existencias
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IGBT Transistors Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3)
Littelfuse SCR 1000V 12A 130En existencias
Min.: 1
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SCRs Through Hole TO-220-2
Littelfuse SCR 600V 8A Sensing 308En existencias
Min.: 1
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SCRs TO-220-2
Littelfuse SCR 25A 1000V 238En existencias
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Mult.: 1
Carrete: 500

SCRs SMD/SMT SMTO-263-2
Littelfuse SCR 600V 16A Sensing 589En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SCRs TO-220-2
Littelfuse SCR 400V 25A 885En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
SCRs TO-220-2
Littelfuse SCR 1000V 16A SCR TO220 976En existencias
Min.: 1
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SCRs TO-220-2
Littelfuse Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 400W 400V 5% Uni-Directional 7.293En existencias
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Carrete: 5.000

SMA (DO-214AC)
Littelfuse SCR THY 12A 50V SCR 938En existencias
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Carrete: 1.000

SCRs Through Hole TO-220-3
Littelfuse SCR 200V 8A 1.090En existencias
Min.: 1
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Carrete: 1.000

SCRs Through Hole TO-220-3
Littelfuse Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 400W 8V 5% Uni-Directional 13.251En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5.000

SMA (DO-214AC)
Littelfuse SCR 400V 8A 1.678En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SCRs Through Hole TO-220-3
Littelfuse SCR SCR 400V 40A TO220 482En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SCRs Through Hole TO-220-2