Electrical Vehicle DC Fast Chargers

DC charging stations are designed to convert the electrical grid’s AC power into DC power that can then be fed directly into a vehicle’s battery system for fast charging – in 30 minutes or less. Because the conversion from AC to DC power is being done in the charging station, these units can provide higher levels of power (50kW to 350kW and beyond) to the vehicle compared to AC charging stations. Working with tens to hundreds of kilowatts of power, efficient conversion, reliability of the system, and user safety are critical.

Tipos de Semiconductores discretos

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Resultados: 2.115
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Tipo de producto Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta
Littelfuse SCR 8A 800V Std TO-251 V-PAK 750En existencias
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SCRs Through Hole TO-251-3
IXYS IGBTs IXYH55N120C4H1 629En existencias
Min.: 1
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 10 Amps 800V 1.1 Rds 8.843En existencias
Min.: 1
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MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET 1.138En existencias
Min.: 1
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
IXYS IGBTs TO247 1200V 85A XPT 1.352En existencias
Min.: 1
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
IXYS Módulos MOSFET 650V/145A Ultra Junction X2-Class 862En existencias
Min.: 1
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MOSFET Modules Si Screw Mount SOT-227-4
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250V/170A Ultra Junc tion X3-Class MOSFE 1.693En existencias
Min.: 1
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MOSFETs Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3)
IXYS IGBTs 1700V/108A High Voltage XPT IGBT 936En existencias
Min.: 1
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-PLUS-3
IXYS Diodos de Conmutación de Señal Baja Sonic Fast Recovery Diode 11.587En existencias
Min.: 1
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Diodes - General Purpose, Power, Switching Through Hole TO-220-2
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 64A 0.095Ohm PolarP3 Power MOSFET 1.634En existencias
Min.: 1
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MOSFETs Si Through Hole TO-264-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 200V 72A N-CH X3CLASS 3.503En existencias
Min.: 1
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode 1.488En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-264-3
IXYS Diodos de Conmutación de Señal Baja 40 Amps 1800V 4.826En existencias
Min.: 1
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Diodes - General Purpose, Power, Switching Through Hole TO-247AD
Littelfuse SCR 400V 10A Sensing 1.866En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SCRs TO-220-2
Littelfuse SCR 600V 25A 973En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SCRs TO-220-2
Littelfuse SCR 55A 800V 739En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 500

SCRs SMD/SMT SMTO-263-2
Littelfuse SCR 400V 25A 2.580En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000

SCRs Through Hole TO-220-3
Littelfuse SCR 25A 400V 926En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 500

SCRs SMD/SMT SMTO-263-2
Littelfuse SCR 1000V 40A SCR TO220 1.872En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SCRs TO-220-2
Littelfuse SCR 600V 25A 803En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000

SCRs Through Hole TO-220-3
IXYS IGBTs 650V, 100A, XPT Gen5 C5 IGBT in TO-247AD 70En existencias
300Se espera el 27-01-2027
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
IXYS IGBTs 650V, 55A, XPT Gen5 B5 IGBT in TO-263 77En existencias
300Se espera el 27-01-2027
Min.: 1
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IGBT Transistors Si SMD/SMT TO-263-2L
IXYS IGBTs 650V, 50A, XPT Gen5 C5 IGBT in TO-263 61En existencias
300Se espera el 27-01-2027
Min.: 1
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IGBT Transistors Si SMD/SMT TO-263AB-2
Littelfuse SCR 400V 20A 5.291En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SCRs TO-220-2
Littelfuse SCR 20A High Temp Thyristor 869En existencias
Min.: 1
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SCRs Through Hole TO-220-2