Electrical Vehicle DC Fast Chargers

DC charging stations are designed to convert the electrical grid’s AC power into DC power that can then be fed directly into a vehicle’s battery system for fast charging – in 30 minutes or less. Because the conversion from AC to DC power is being done in the charging station, these units can provide higher levels of power (50kW to 350kW and beyond) to the vehicle compared to AC charging stations. Working with tens to hundreds of kilowatts of power, efficient conversion, reliability of the system, and user safety are critical.

Tipos de Semiconductores discretos
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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Tipo de producto
Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
IXYS IGBTs XPT IGBT C3-Class 1200V/105A
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452En existencias
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247AD-3
IXYS IGBTs GenX3 1200V XPT IGBT
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578En existencias
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-220-3
Littelfuse SCR 200V 4A
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6.442En existencias
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SCRs Through Hole TO-225-3
Littelfuse SCR 8A 800V
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3.243En existencias
MouseReel Disponible
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Carrete: 2.500

SCRs SMD/SMT DPAK-2 (TO-252-2)
Littelfuse SCR SCR 800V 35A Iso
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421En existencias
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SCRs Through Hole SMTO-218
Littelfuse SCR SCR 800V 65A Iso
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459En existencias
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SCRs Through Hole SMTO-218

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 850V Ultra Junction X-Class Pwr MOSFET
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297En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250V/80A Ultra Junct ion X3-Class MOSFET
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396En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 26 Amps 1200V
Hoja de datos
265En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-264-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 32 Amps 1000V 0.32 Rds
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333En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-264-3
IXYS Módulos MOSFET 650V/108A Ultra Junction X2-Class
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254En existencias
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MOSFET Modules Si Screw Mount SOT-227-4
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 16A
Hoja de datos
1.727En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET 650V/22A Ultra Junction X2
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739En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PLUS247 250V 240A N-CH X3CLASS
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239En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-PLUS-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V Enh FET 200Vdgr 300A 4mOhm
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260En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-PLUS-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 64A 0.095Ohm PolarP3 Power MOSFET
Hoja de datos
267En existencias
Min.: 1
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 78A 0.068Ohm PolarP3 Power MOSFET
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172En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS IGBTs 650V/310A TRENCH IGBT GENX4 XPT
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214En existencias
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
IXYS IGBTs XPT 1200V IGBT GenX4 XPT IGBT
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327En existencias
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247AD-3
IXYS IGBTs XPT 1200V IGBT GenX6 XPT IGBT
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328En existencias
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247AD-3
IXYS IGBTs XPT 1200V IGBT GenX3 XPT IGBT
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400En existencias
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IGBT Transistors Si Screw Mount SOT-227B-4
IXYS IGBTs 650V/130A XPT C3-Class TO-220
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581En existencias
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-220-3
IXYS IGBTs 1700V/108A High Voltage XPT IGBT
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79En existencias
870Se espera el 07-05-2026
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-PLUS-3

Littelfuse SCR SENSITIVE GATE SCR
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6.844En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.000

SCRs SMD/SMT SOT-223
Littelfuse SCR SCR 600V 35A Iso
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1.511En existencias
Min.: 1
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SCRs Through Hole SMTO-218