Electrical Vehicle DC Fast Chargers

DC charging stations are designed to convert the electrical grid’s AC power into DC power that can then be fed directly into a vehicle’s battery system for fast charging – in 30 minutes or less. Because the conversion from AC to DC power is being done in the charging station, these units can provide higher levels of power (50kW to 350kW and beyond) to the vehicle compared to AC charging stations. Working with tens to hundreds of kilowatts of power, efficient conversion, reliability of the system, and user safety are critical.

Tipos de Semiconductores discretos
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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Tipo de producto
Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Littelfuse SCR Sensing
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3.085En existencias
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SCRs SMD/SMT DO-214AB-2

Littelfuse SCR Sen SCR 800V .8A 200 uA
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17.070En existencias
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SCRs SMD/SMT SOT-223-3
Littelfuse SCR 6A 1000V
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2.499En existencias
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Carrete: 2.500

SCRs SMD/SMT DPAK-2 (TO-252-2)
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 250V 30A N-CH HIPER
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547En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT TO-263-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 175V 150A
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295En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 170 Amps 100V 0.009 Rds
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368En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 200V 220A N-CH X3CLASS
Hoja de datos
180En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Trench HiperFET Power MOSFET
Hoja de datos
299En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 88 Amps 300V 0.04 Rds
Hoja de datos
244En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 82 Amps 300V 0.026 Ohm Rds
Hoja de datos
355En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 250V 30A N-CH X3CLASS
Hoja de datos
661En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT TO-252-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 650V 80A N-CH X2CLASS
Hoja de datos
239En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
IXYS IGBTs 650V/234A TRENCH IGBT GENX4 XPT
Hoja de datos
265En existencias
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247AD-3

IXYS IGBTs GenX3 600V XPT IGBTs
Hoja de datos
311En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3

IXYS IGBTs XPT 600V IGBT GenX3 XPT IGBTs
Hoja de datos
577En existencias
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IGBT Transistors Si Through Hole
IXYS IGBTs 650V/160A TRENCH IGBT GENX4 XPT
Hoja de datos
920En existencias
Min.: 1
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247AD-3
IXYS IGBTs TO263 1200V 20A XPT
Hoja de datos
374En existencias
Min.: 1
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IGBT Transistors Si SMD/SMT TO-263HV-3
IXYS IGBTs TO247 1700V 10A IGBT
Hoja de datos
255En existencias
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
Littelfuse SCR 8A 800V
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3.243En existencias
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Carrete: 2.500

SCRs SMD/SMT DPAK-2 (TO-252-2)
Littelfuse SCR SCR 800V 35A Iso
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421En existencias
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SCRs Through Hole SMTO-218
Littelfuse SCR SCR 800V 65A Iso
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459En existencias
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SCRs Through Hole SMTO-218

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 850V Ultra Junction X-Class Pwr MOSFET
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297En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250V/80A Ultra Junct ion X3-Class MOSFET
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396En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 26 Amps 1200V
Hoja de datos
265En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-264-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 32 Amps 1000V 0.32 Rds
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333En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-264-3