Trench6 N-Channel MV MOSFETs

onsemi Trench6 N-Channel MV MOSFETs are 30V, 40V, and 60V MOSFETs produced using an advanced Power Trench process that incorporates Shielded Gate technology. This process has been optimized to minimize on-state resistance and yet maintain superior switching performance with best in class soft body diode.

Resultados: 451
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Nombre comercial
Empaquetado
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AFSM T6 60V LL U8FL
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25.263En existencias
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Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 60 V 109 A 4.2 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 27 nC - 55 C + 175 C 114 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL S08FL DS
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10.990En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 1.500

Si SMD/SMT SO-8FL-Dual-8 N-Channel 2 Channel 60 V 111 A 3.5 mOhms, 3.5 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 37 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V HEFET
Hoja de datos
1.350En existencias
Min.: 1
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Carrete: 1.500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 40 V 378 A 700 uOhms 20 V 4 V 128 nC - 55 C + 175 C 200 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 60V
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1.657En existencias
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Min.: 1
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Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 60 V 250 A 1.13 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 91 nC - 55 C + 175 C 3.8 W, 167 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Single N-Chn Pwr Mosfet 40V
Hoja de datos
2.900En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 1.500

Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 40 V 77 A 4.9 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 18 nC - 55 C + 175 C 55 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40VNCH LL IN U8FL
Hoja de datos
3.708En existencias
Min.: 1
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Carrete: 1.500

Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 40 V 107 A 2.6 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 35 nC - 55 C + 175 C 68 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AFSM T6 40V LL U8FL
Hoja de datos
2.805En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.500
Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 40 V 51 A 6.1 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 16 nC - 55 C + 175 C 38 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 60V 235A 1.5MO
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1.548En existencias
Min.: 1
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Carrete: 1.500

Si SO-8FL-4 Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 40V 150A
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4.994En existencias
Min.: 1
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Carrete: 5.000

Si SMD/SMT SO-8FL-4 Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 60V 289A 1.2MO
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8.163En existencias
9.000En pedido
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.500
Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 60 V 287 A 1.2 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 120 nC - 55 C + 175 C 200 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 60V 219A 1.8MO
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2.391En existencias
3.000Se espera el 11-12-2026
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Min.: 1
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Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 60 V 235 A 1.5 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 91 nC - 55 C + 175 C 3.8 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 6 60V NFET
Hoja de datos
2.629En existencias
Min.: 1
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Carrete: 5.000

Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 60 V 150 A 2.4 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 52 nC - 55 C + 175 C 3.7 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SO8FL
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7.600En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 1.500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 60 V 100 A 3.3 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 34 nC - 55 C + 175 C 79 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 60V 92A 4.5MOH
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3.411En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 1.500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 60 V 89 A 4.7 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 15.7 nC - 55 C + 150 C 66 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 40V 68A 6.7MOH
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52.954En existencias
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Carrete: 1.500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 60 V 71 A 8.8 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 20 nC - 55 C + 175 C 61 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T6 LL IN 5X6 DUALCOOL
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2.839En existencias
6.000Se espera el 03-04-2026
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Min.: 1
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Carrete: 3.000

Si SMD/SMT DFN-8 N-Channel 1 Channel 40 V 313 A 850 uOhms - 20 V, 20 V 2 V 61 nC - 55 C + 150 C 167 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL LFPAK
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1.570En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 3.000
Si SMD/SMT LFPAK-8 N-Channel 1 Channel 60 V 262 A 1.3 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 103 nC - 55 C + 175 C 180 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 2.5mOhms 150A Single N-Channel
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2.923En existencias
Min.: 1
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Carrete: 3.000

Si SMD/SMT LFPAK-8 N-Channel 1 Channel 60 V 31 A 3.3 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 24 nC, 52 nC - 55 C + 175 C 113 W Enhancement Reel, Cut Tape

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL PQFN8*8 EXPANSION
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4.626En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 3.000
Si SMD/SMT Power-88-8 N-Channel 1 Channel 40 V 554.5 A 420 uOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 265 nC - 55 C + 175 C 245.4 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AFSM T6 60V LL NCH
Hoja de datos
2.050En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000
Si SMD/SMT PQFN-88-8 N-Channel 1 Channel 60 V 477 A 680 uOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 225 nC - 55 C + 175 C 294.6 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL LFPAK
Hoja de datos
2.995En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000
Si SMD/SMT LFPAK-4 N-Channel 1 Channel 40 V 38 A 10.3 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 7.3 nC - 55 C + 175 C 28 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 3.0mOhms 133A Single N-Channel
Hoja de datos
2.902En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT LFPAK-4 N-Channel 1 Channel 60 V 133 A 3 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 18.4 nC, 40.7 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL LFPAK
Hoja de datos
2.801En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT LFPAK-4 N-Channel 1 Channel 60 V 100 A 4 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 34 nC - 55 C + 175 C 79 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20 V SANYO T6 NCH IN
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106.984En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 20 V 3.6 A 24 mOhms - 8 V, 8 V 450 mV 17.8 nC - 55 C + 150 C 1.56 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V NCH LL IN U8FL
Hoja de datos
2.793En existencias
34.500Se espera el 10-04-2026
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.500

Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 60 V 70 A 9.1 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 20 nC - 55 C + 175 C 63 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel