Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Trench6 N-Channel MV MOSFETs

onsemi Trench6 N-Channel MV MOSFETs are 30V, 40V, and 60V MOSFETs produced using an advanced Power Trench process that incorporates Shielded Gate technology. This process has been optimized to minimize on-state resistance and yet maintain superior switching performance with best in class soft body diode.

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Tecnología

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V HEFET

NVMFS5C404NAFT1G
onsemi
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NVMFS5C404NAFT1G

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863-NVMFS5C404NAFT1G

NRND

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V HEFET

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$8.187

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$4.166

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$3.394

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SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

40 V

378 A

570 uOhms

- 20 V, 20 V

2 V

128 nC

- 55 C

+ 175 C

3.9 W, 200 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 30V 116A 3.4MO

NVMFS4C05NWFT1G
onsemi
1: $2.296
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N.º de artículo del Fabricante
NVMFS4C05NWFT1G

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863-NVMFS4C05NWFT1G

Pedido especial de fábrica

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 30V 116A 3.4MO

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Cinta cortada

$2.296

$1.590

$1.119

$962

Envase tipo carrete

$797

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MouseReel Disponible

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SMD/SMT

SO-8FL

N-Channel

1 Channel

30 V

116 A

3.4 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

30 nC

- 55 C

+ 175 C

3.61 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 14.5 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8

NVMFD5C478NLWFT1G
onsemi
1: $2.621
978En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFD5C478NLWFT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFD5C478NLWFT1

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 14.5 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8

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Cinta cortada

$2.621

$1.702

$1.165

$928

$867

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$810

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SMD/SMT

SO-8FL-Dual-8

N-Channel

2 Channel

40 V

29 A

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- 20 V, 20 V

1.2 V

8.1 nC

- 55 C

+ 175 C

23 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 6 40V SL NFET

NVMYS2D9N04CLTWG
onsemi
1: $2.072
2.515En existencias

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NVMYS2D9N04CLTWG

N.º de artículo de Mouser
863-NVMYS2D9N04CLTWG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 6 40V SL NFET

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$2.072

$1.333

$886

$713

$599

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$559

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LFPAK-4

AEC-Q101

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40VNCH LL IN U8FL

NVTFS5C454NLTAG
onsemi
1: $1.893
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NVTFS5C454NLTAG

N.º de artículo de Mouser
863-NVTFS5C454NLTAG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40VNCH LL IN U8FL

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$1.893

$1.288

$896

$780

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$676

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SMD/SMT

WDFN-8

N-Channel

1 Channel

40 V

85 A

3.3 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

18 nC

- 55 C

+ 175 C

55 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 8.1 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8

NVMFD5C466NWFT1G
onsemi
1: $2.262
1.488En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFD5C466NWFT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFD5C466NWFT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 8.1 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8

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$2.262

$1.736

$1.254

$1.142

$982

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$932

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SMD/SMT

SO-8FL-Dual-8

N-Channel

2 Channel

40 V

49 A

8.1 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

11 nC

- 55 C

+ 175 C

38 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60 V 3.0 mOhms 150 A

NVMFS5C628NWFT1G
onsemi
1: $3.461
760En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C628NWFT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C628NWFT1

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60 V 3.0 mOhms 150 A

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$3.461

$2.598

$1.848

$1.624

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$1.333

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SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

60 V

150 A

3 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

34 nC

- 55 C

+ 175 C

110 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 5.3Ohm 68A Single N-Channel

NVMYS5D3N04CTWG
onsemi
1: $1.198
2.970En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMYS5D3N04CTWG

N.º de artículo de Mouser
863-NVMYS5D3N04CTWG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 5.3Ohm 68A Single N-Channel

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$1.198

$962

$671

$564

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$468

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SMD/SMT

LFPAK-4

N-Channel

1 Channel

40 V

71 A

5.3 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

16 nC

- 55 C

+ 175 C

50 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V SG NCH U8FL

NVTFWS005N04CTAG
onsemi
1: $1.736
1.400En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVTFWS005N04CTAG

N.º de artículo de Mouser
863-NVTFWS005N04CTAG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V SG NCH U8FL

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$1.736

$1.422

$989

$866

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$720

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Carrete: 1.500

SMD/SMT

WDFN-8

N-Channel

1 Channel

40 V

69 A

5.6 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

16 nC

- 55 C

+ 175 C

50 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN SO8FL

NVMFS5C423NLAFT1G
onsemi
1: $2.498
760En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C423NLAFT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C423NLFT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN SO8FL

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$2.498

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$1.378

$1.232

Envase tipo carrete

$1.038

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SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

40 V

150 A

1.6 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

50 nC

- 55 C

+ 175 C

83 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO

NVTFWS030N06CTAG
onsemi
1: $1.646
1.500En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVTFWS030N06CTAG

N.º de artículo de Mouser
863-NVTFWS030N06CTAG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO

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$1.646

$1.096

$772

$638

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$501

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SMD/SMT

WDFN-8

N-Channel

1 Channel

60 V

19 A

29.7 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

4.7 nC

- 55 C

+ 175 C

23 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V SG NCH U8FL

NVTFWS008N04CTAG
onsemi
1: $2.094
1.400En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVTFWS008N04CTAG

N.º de artículo de Mouser
863-NVTFWS008N04CTAG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V SG NCH U8FL

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$2.094

$1.434

$962

$758

Envase tipo carrete

$628

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MouseReel Disponible

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Mult.: 1

Carrete: 1.500

SMD/SMT

WDFN-8

N-Channel

1 Channel

40 V

48 A

8.5 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

10 nC

- 55 C

+ 175 C

38 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6-D3F 40V NFET

NVMFS5C442NWFAFT1G
onsemi
1: $2.218
1.448En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C442NWFAFT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C442NWAT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6-D3F 40V NFET

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$2.218

$1.725

$1.254

$1.118

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$934

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SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

1 Channel

40 V

140 A

1.9 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

32 nC

- 55 C

+ 175 C

83 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 0.9Ohm 322A Single N-Channel

NVMYS011N04CTWG
onsemi
1: $918
3.000En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMYS011N04CTWG

N.º de artículo de Mouser
863-NVMYS011N04CTWG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 0.9Ohm 322A Single N-Channel

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3.000En existencias

Cinta cortada

$918

$887

$628

$500

$454

Envase tipo carrete

$367

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Carrete: 3.000

SMD/SMT

LFPAK-4

N-Channel

1 Channel

40 V

35 A

12 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

7.9 nC

- 55 C

+ 175 C

28 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 30V NCH U8FL

NVTFS4C02NTAG
onsemi
1: $2.296
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N.º de artículo del Fabricante
NVTFS4C02NTAG

N.º de artículo de Mouser
863-NVTFS4C02NTAG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 30V NCH U8FL

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1.009En existencias

Cinta cortada

$2.296

$1.758

$1.445

$1.243

Envase tipo carrete

$1.067

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1.500

SMD/SMT

WDFN-8

N-Channel

1 Channel

30 V

162 A

2.25 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

20 nC

- 55 C

+ 175 C

3.2 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 30V 305A 0.9MO

NVMFS4C301NET1G
onsemi
1: $3.786
1.350En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS4C301NET1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS4C301NET1G

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onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 30V 305A 0.9MO

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$3.786

$2.464

$1.702

$1.467

Envase tipo carrete

$1.232

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Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 30V 305A 0.9MO

NVMFS4C301NWFET1G
onsemi
1: $3.853
1.350En existencias
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N.º de artículo del Fabricante
NVMFS4C301NWFET1G

N.º de artículo de Mouser
863-VMFS4C301NWFET1G

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onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 30V 305A 0.9MO

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Cinta cortada

$3.853

$2.520

$1.747

$1.512

Envase tipo carrete

$1.266

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Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN SO8FL

NVMFS5C430NLWFAFT1G-TK
onsemi
1: $2.330
1.188En existencias
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N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C430NLWFAFT1G-TK

N.º de artículo de Mouser
863-5C430NLWFAFT1GTK

Nuevo producto

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN SO8FL

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$2.330

$1.490

$1.009

$803

Envase tipo carrete

$689

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SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

40 V

200 A

1.4 mOhms

20 V

2 V

70 nC

- 55 C

+ 175 C

110 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 6 60V NFET

NVMFS5C628NLAFT1G-YE
onsemi
1: $2.610
1.200En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C628NLAFT1G-YE

N.º de artículo de Mouser
863-FS5C628NLAFT1GYE

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onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 6 60V NFET

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Cinta cortada

$2.610

$1.669

$1.142

$913

Envase tipo carrete

$781

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SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

60 V

150 A

2.4 mOhms

20 V

2 V

52 nC

- 55 C

+ 175 C

46 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 6 60V NFET

NVMFS5C673NLAFT1G-YE
onsemi
1: $1.501
1.326En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C673NLAFT1G-YE

N.º de artículo de Mouser
863-FS5C673NLAFT1GYE

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onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 6 60V NFET

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1.326En existencias

Cinta cortada

$1.501

$952

$629

$517

Envase tipo carrete

$409

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SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

60 V

50 A

9.2 mOhms

20 V

2 V

9.5 nC

- 55 C

+ 175 C

46 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V SO8FL

NVMFS5C410NLWFHT1G
onsemi
1: $3.304
1.112En existencias
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N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C410NLWFHT1G

N.º de artículo de Mouser
863-MFS5C410NLWFHT1G

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onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V SO8FL

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Cinta cortada

$3.304

$2.139

$1.478

$1.221

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$1.055

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SMD/SMT

DFNW-5

N-Channel

1 Channel

40 V

330 A

820 uOhms

20 V

2 V

143 nC

- 55 C

+ 175 C

167 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN SO8FL

NVMFS5C423NLWFHT1G
onsemi
1: $1.982
1.346En existencias
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N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C423NLWFHT1G

N.º de artículo de Mouser
863-MFS5C423NLWFHT1G

Nuevo producto

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN SO8FL

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1.346En existencias

Cinta cortada

$1.982

$1.254

$842

$665

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$572

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SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

40 V

150 A

2 mOhms

20 V

2 V

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N-Channel

1 Channel

40 V

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1.4 mOhms

20 V

2 V

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110 W

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N-Channel

1 Channel

40 V

130 A

2.5 mOhms

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2 V

50 nC

- 55 C

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL S08FL

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DFNW-5

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1 Channel

40 V

110 A

2.8 mOhms

20 V

2 V

35 nC

- 55 C

+ 175 C

68 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Trench6 N-Channel MV MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

DFN-5
DFN-5060-8
DFN-8
DFNW-5
DFNW-8
DPAK-3 (TO-252-3)
LFPAK-4
LFPAK-8
Power-33-8
Power88-8
Power-88-8
PQFN-8
PQFN-88-8
SO-8FL
SO-8FL-4
SO-8FL-Dual-8
SOIC-8
SOT-23-3
TCPAK-10
TCPAK57-10

3.6 A
6.9 A
8.2 A
13.5 A
14 A
17 A
18.8 A
19 A
20 A
21 A
21 A, 78 A
21.7 A
22 A
22.1 A
22.4 A
24 A
25 A
26 A
27 A
28 A

400 uOhms
420 uOhms
450 uOhms
480 uOhms
520 uOhms
560 uOhms
570 uOhms
620 uOhms
630 uOhms
650 uOhms
670 uOhms
680 uOhms
700 uOhms
720 uOhms
750 uOhms
760 uOhms
800 uOhms
810 uOhms
820 uOhms
850 uOhms

2.7 nC
2.9 nC
3.8 nC
4.7 nC
5 nC
5.5 nC
5.7 nC
5.8 nC
6 nC
6.3 nC
7 nC
7.3 nC
7.9 nC
7.9 nC, 43 nC
8 nC
8 nC, 18 nC
8.1 nC
9 nC
9.5 nC
9.6 nC

470 mW
1.49 W
1.52 W
1.56 W
2.3 W
2.4 W
2.51 W
2.66 W
3.1 W
3.2 W
3.5 W
3.61 W
3.7 W
3.8 W
3.8 W, 106 W
3.8 W, 110 W
3.8 W, 128 W
3.8 W, 167 W
3.84 W
3.9 W