Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 60V 289A 1.2MO
NTMFS5C604NLT1G-UIL3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 60V 289A 1.2MO
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SMD/SMT
DFN-5
N-Channel
1 Channel
60 V
287 A
1.2 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
120 nC
- 55 C
+ 175 C
200 W
Enhancement
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL LFPAK
NTMJS0D9N04CLTWG
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SMD/SMT
LFPAK-8
N-Channel
1 Channel
40 V
330 A
820 uOhms
- 20 V, 20 V
1.2 V
66 nC
- 55 C
+ 175 C
167 W
Enhancement
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 6 40V SL NFET
NTMJS1D0N04CTWG
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SMD/SMT
LFPAK-8
N-Channel
1 Channel
40 V
300 A
920 uOhms
- 20 V, 20 V
2.5 V
86 nC
- 55 C
+ 175 C
166 W
Enhancement
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL LFPAK
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SMD/SMT
LFPAK-8
N-Channel
1 Channel
60 V
250 A
2.3 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
41 nC
- 55 C
+ 175 C
3.8 W
Enhancement
Reel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 6 40V SL NFET
NTMJS1D7N04CTWG
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 6 40V SL NFET
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SMD/SMT
LFPAK-8
N-Channel
1 Channel
40 V
185 A
1.7 mOhms
- 20 V, 20 V
3.5 V
47 nC
- 55 C
+ 175 C
106 W
Enhancement
Reel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AFSM T6 40V LL NCH
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AFSM T6 40V LL NCH
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SMD/SMT
PQFN-88-8
N-Channel
1 Channel
40 V
553.8 A
400 uOhms
- 20 V, 20 V
2.5 V
163 nC
- 55 C
+ 175 C
244 W
Enhancement
Reel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AFSM T6 40V SG NCH
NTMTS0D4N04CTXG
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AFSM T6 40V SG NCH
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SMD/SMT
DFNW-8
N-Channel
1 Channel
40 V
558 A
450 uOhms
- 20 V, 20 V
4 V
251 nC
- 55 C
+ 175 C
244 W
Enhancement
Reel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AFSM T6 60V SG NCH
NTMTS0D7N06CTXG
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AFSM T6 60V SG NCH
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$4.717
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Si
SMD/SMT
DFNW-8
N-Channel
1 Channel
60 V
464 A
720 uOhms
- 20 V, 20 V
4 V
72 nC
- 55 C
+ 175 C
294.6 W
Enhancement
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 6 40V SL NFET
NTMYS3D5N04CTWG
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863-NTMYS3D5N04CTWG
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 6 40V SL NFET
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SMD/SMT
LFPAK-4
N-Channel
1 Channel
40 V
102 A
3.3 mOhms
- 20 V, 20 V
2.5 V
23 nC
- 55 C
+ 175 C
68 W
Enhancement
Reel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V S08FL DUAL
NVMFD5C668NLWFT1G
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V S08FL DUAL
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SMD/SMT
SO-8FL-Dual-8
N-Channel
2 Channel
60 V
Enhancement
AEC-Q101
Reel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 30V NCH
NVMFS4C310NWFT1G
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N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS4C310NWFT1G
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 30V NCH
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
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Si
SMD/SMT
SO-8FL-4
N-Channel
1 Channel
30 V
51 A
5 mOhms
- 20 V, 20 V
1.3 V
18.6 nC
- 55 C
+ 175 C
32 W
Enhancement
Reel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V SG NCH SO8FL HEFET
NVMFS5C406NT1G
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1:
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Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas
N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C406NT1G
onsemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V SG NCH SO8FL HEFET
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas
1
$5.249
10
$3.643
100
$2.669
500
$2.600
1.000
$2.373
1.500
$2.117
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Min.: 1
Mult.: 1
Si
SMD/SMT
SO-8FL-4
N-Channel
1 Channel
40 V
353 A
800 uOhms
- 20 V, 20 V
4 V
110 nC
- 55 C
+ 175 C
179 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO
NVMFWD016N06CT1G
onsemi
1.500:
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Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
N.º de artículo de Mouser
863-NVMFWD016N06CT1G
onsemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
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Si
SMD/SMT
DFN-8
Reel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 6 40V SL NFET
NVMJS1D3N04CTWG
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1:
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Plazo de entrega 18 Semanas
N.º de artículo de Mouser
863-NVMJS1D3N04CTWG
onsemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 6 40V SL NFET
Plazo de entrega 18 Semanas
1
$2.826
10
$1.832
100
$1.270
500
$1.044
1.000
$1.024
3.000
$849
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Min.: 1
Mult.: 1
Si
SMD/SMT
LFPAK-8
N-Channel
1 Channel
40 V
235 A
1.3 mOhms
- 20 V, 20 V
3.5 V
65 nC
- 55 C
+ 175 C
128 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG PQFN8x8 EXPANSI
NVMTS001N06CTXG
onsemi
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Plazo de entrega no en existencias 19 Semanas
N.º de artículo de Mouser
863-NVMTS001N06CTXG
onsemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG PQFN8x8 EXPANSI
Plazo de entrega no en existencias 19 Semanas
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Min.: 3.000
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Si
SMD/SMT
Power-88-8
N-Channel
1 Channel
60 V
376 A
910 uOhms
- 20 V, 20 V
2 V
113 nC
- 55 C
+ 175 C
5 W, 244 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AFSM T6 40V SG NCH
NVMTS0D4N04CTXG
onsemi
3.000:
$5.317
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
N.º de artículo de Mouser
863-NVMTS0D4N04CTXG
onsemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AFSM T6 40V SG NCH
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Comprar
Min.: 3.000
Mult.: 3.000
Detalles
Si
SMD/SMT
DFNW-8
N-Channel
1 Channel
40 V
558 A
450 uOhms
- 20 V, 20 V
4 V
251 nC
- 55 C
+ 175 C
244 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AFSM T6 40V LL NCH
NVMTS0D7N04CLTXG
onsemi
3.000:
$5.613
Plazo de entrega no en existencias 19 Semanas
N.º de artículo de Mouser
863-NVMTS0D7N04CLTXG
onsemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AFSM T6 40V LL NCH
Plazo de entrega no en existencias 19 Semanas
Comprar
Min.: 3.000
Mult.: 3.000
Si
SMD/SMT
DFNW-8
N-Channel
1 Channel
40 V
433 A
630 uOhms
- 20 V, 20 V
1 V
205 nC
- 55 C
+ 175 C
205 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 30V 1.15MO
NVMFS4C302NWFT1G
onsemi
1:
$3.663
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas
NRND
N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS4C302NWFT1G
NRND
onsemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 30V 1.15MO
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas
1
$3.663
10
$2.403
100
$1.684
500
$1.477
1.500
$1.211
3.000
Ver
1.000
$1.408
3.000
$1.201
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Si
SMD/SMT
SO-8FL
N-Channel
1 Channel
30 V
241 A
1.15 mOhms
- 20 V, 20 V
1.3 V
82 nC
- 55 C
+ 175 C
115 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V SL LFPAK
NVMJS0D9N04CTWG
onsemi
1:
$3.752
Plazo de entrega no en existencias 19 Semanas
NRND
N.º de artículo de Mouser
863-NVMJS0D9N04CTWG
NRND
onsemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V SL LFPAK
Plazo de entrega no en existencias 19 Semanas
1
$3.752
10
$2.462
100
$1.812
500
$1.605
1.000
$1.379
3.000
$1.290
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
LFPAK-8
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL LFPAK
NVMJS1D4N06CLTWG
onsemi
3.000:
$1.251
Plazo de entrega no en existencias 19 Semanas
NRND
N.º de artículo de Mouser
863-NVMJS1D4N06CLTWG
NRND
onsemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL LFPAK
Plazo de entrega no en existencias 19 Semanas
Comprar
Min.: 3.000
Mult.: 3.000
Detalles
Si
SMD/SMT
LFPAK-8
Reel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL LFPAK
NVMJS1D6N06CLTWG
onsemi
1:
$3.486
Plazo de entrega no en existencias 21 Semanas
NRND
N.º de artículo de Mouser
863-NVMJS1D6N06CLTWG
NRND
onsemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL LFPAK
Plazo de entrega no en existencias 21 Semanas
1
$3.486
10
$2.275
100
$1.595
500
$1.388
1.000
$1.379
3.000
$1.123
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
LFPAK-8
AEC-Q101
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET U8FL 30V 55A 5.9MOHM
NVTFS4C08NTWG
onsemi
5.000:
$454
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
NRND
N.º de artículo de Mouser
863-NVTFS4C08NTWG
NRND
onsemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET U8FL 30V 55A 5.9MOHM
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Comprar
Min.: 5.000
Mult.: 5.000
Detalles
Si
SMD/SMT
WDFN-8
AEC-Q101
Reel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Single N-Channel Power MOSFET 30V, 40A, 9.4mohm
NVTFS4C13NTWG
onsemi
5.000:
$378
Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas
NRND
N.º de artículo de Mouser
863-NVTFS4C13NTWG
NRND
onsemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Single N-Channel Power MOSFET 30V, 40A, 9.4mohm
Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas
Comprar
Min.: 5.000
Mult.: 5.000
Si
SMD/SMT
WDFN-8
AEC-Q101
Reel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 30V NCH
NVMFS4C310NT1G
onsemi
Plazo de entrega no en existencias 53 Semanas
Pedido especial de fábrica
N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS4C310NT1G
Pedido especial de fábrica
onsemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 30V NCH
Plazo de entrega no en existencias 53 Semanas
Detalles
Si
SMD/SMT
SO-8FL-4
N-Channel
1 Channel
30 V
51 A
5 mOhms
- 20 V, 20 V
1.3 V
18.6 nC
- 55 C
+ 175 C
32 W
Enhancement
Reel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO
onsemi NTMFS016N06CT1G
NTMFS016N06CT1G
onsemi
1:
$847
Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas
N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS016N06CT1G
onsemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO
Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas
1
$847
10
$524
100
$340
500
$260
1.500
$191
3.000
Ver
1.000
$239
3.000
$173
9.000
$166
24.000
$159
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
Reel, Cut Tape