Trench6 N-Channel MV MOSFETs

onsemi Trench6 N-Channel MV MOSFETs are 30V, 40V, and 60V MOSFETs produced using an advanced Power Trench process that incorporates Shielded Gate technology. This process has been optimized to minimize on-state resistance and yet maintain superior switching performance with best in class soft body diode.

Resultados: 451
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Calificación Nombre comercial Empaquetado
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 60V 289A 1.2MO Plazo de entrega no en existencias 30 Semanas
Min.: 1.500
Mult.: 1.500
Carrete: 1.500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 60 V 287 A 1.2 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 120 nC - 55 C + 175 C 200 W Enhancement Reel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL LFPAK Plazo de entrega no en existencias 36 Semanas
Min.: 3.000
Mult.: 3.000
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT LFPAK-8 N-Channel 1 Channel 40 V 330 A 820 uOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 66 nC - 55 C + 175 C 167 W Enhancement Reel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 6 40V SL NFET Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas
Min.: 3.000
Mult.: 3.000
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT LFPAK-8 N-Channel 1 Channel 40 V 300 A 920 uOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 86 nC - 55 C + 175 C 166 W Enhancement Reel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL LFPAK Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
Min.: 3.000
Mult.: 3.000
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT LFPAK-8 N-Channel 1 Channel 60 V 250 A 2.3 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 41 nC - 55 C + 175 C 3.8 W Enhancement Reel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 6 40V SL NFET Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas
Min.: 3.000
Mult.: 3.000
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT LFPAK-8 N-Channel 1 Channel 40 V 185 A 1.7 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 47 nC - 55 C + 175 C 106 W Enhancement Reel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AFSM T6 40V LL NCH Plazo de entrega no en existencias 53 Semanas
Min.: 3.000
Mult.: 3.000
Carrete: 3.000
Si SMD/SMT PQFN-88-8 N-Channel 1 Channel 40 V 553.8 A 400 uOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 163 nC - 55 C + 175 C 244 W Enhancement Reel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AFSM T6 40V SG NCH Plazo de entrega no en existencias 53 Semanas
Min.: 3.000
Mult.: 3.000
Carrete: 3.000
Si SMD/SMT DFNW-8 N-Channel 1 Channel 40 V 558 A 450 uOhms - 20 V, 20 V 4 V 251 nC - 55 C + 175 C 244 W Enhancement Reel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AFSM T6 60V SG NCH Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000
Si SMD/SMT DFNW-8 N-Channel 1 Channel 60 V 464 A 720 uOhms - 20 V, 20 V 4 V 72 nC - 55 C + 175 C 294.6 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 6 40V SL NFET Plazo de entrega no en existencias 30 Semanas
Min.: 3.000
Mult.: 3.000
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT LFPAK-4 N-Channel 1 Channel 40 V 102 A 3.3 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 23 nC - 55 C + 175 C 68 W Enhancement Reel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V S08FL DUAL Plazo de entrega no en existencias 19 Semanas
Min.: 1.500
Mult.: 1.500
Carrete: 1.500

Si SMD/SMT SO-8FL-Dual-8 N-Channel 2 Channel 60 V Enhancement AEC-Q101 Reel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 30V NCH Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Min.: 1.500
Mult.: 1.500
Carrete: 1.500
Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 30 V 51 A 5 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 18.6 nC - 55 C + 175 C 32 W Enhancement Reel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V SG NCH SO8FL HEFET Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.500
Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 40 V 353 A 800 uOhms - 20 V, 20 V 4 V 110 nC - 55 C + 175 C 179 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Min.: 1.500
Mult.: 1.500
Carrete: 1.500

Si SMD/SMT DFN-8 Reel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 6 40V SL NFET Plazo de entrega 18 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000
Si SMD/SMT LFPAK-8 N-Channel 1 Channel 40 V 235 A 1.3 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 65 nC - 55 C + 175 C 128 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG PQFN8x8 EXPANSI Plazo de entrega no en existencias 19 Semanas
Min.: 3.000
Mult.: 3.000
Carrete: 3.000
Si SMD/SMT Power-88-8 N-Channel 1 Channel 60 V 376 A 910 uOhms - 20 V, 20 V 2 V 113 nC - 55 C + 175 C 5 W, 244 W Enhancement AEC-Q101 Reel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AFSM T6 40V SG NCH Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Min.: 3.000
Mult.: 3.000
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT DFNW-8 N-Channel 1 Channel 40 V 558 A 450 uOhms - 20 V, 20 V 4 V 251 nC - 55 C + 175 C 244 W Enhancement AEC-Q101 Reel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AFSM T6 40V LL NCH Plazo de entrega no en existencias 19 Semanas
Min.: 3.000
Mult.: 3.000
Carrete: 3.000
Si SMD/SMT DFNW-8 N-Channel 1 Channel 40 V 433 A 630 uOhms - 20 V, 20 V 1 V 205 nC - 55 C + 175 C 205 W Enhancement AEC-Q101 Reel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 30V 1.15MO Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.500
Si SMD/SMT SO-8FL N-Channel 1 Channel 30 V 241 A 1.15 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 82 nC - 55 C + 175 C 115 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V SL LFPAK Plazo de entrega no en existencias 19 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT LFPAK-8 Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL LFPAK Plazo de entrega no en existencias 19 Semanas
Min.: 3.000
Mult.: 3.000
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT LFPAK-8 Reel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL LFPAK Plazo de entrega no en existencias 21 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si LFPAK-8 AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET U8FL 30V 55A 5.9MOHM Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Min.: 5.000
Mult.: 5.000
Carrete: 5.000

Si SMD/SMT WDFN-8 AEC-Q101 Reel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Single N-Channel Power MOSFET 30V, 40A, 9.4mohm Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas
Min.: 5.000
Mult.: 5.000
Carrete: 5.000
Si SMD/SMT WDFN-8 AEC-Q101 Reel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 30V NCH Plazo de entrega no en existencias 53 Semanas

Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 30 V 51 A 5 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 18.6 nC - 55 C + 175 C 32 W Enhancement Reel
onsemi NTMFS016N06CT1G
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.500

Si Reel, Cut Tape