Trench6 N-Channel MV MOSFETs

onsemi Trench6 N-Channel MV MOSFETs are 30V, 40V, and 60V MOSFETs produced using an advanced Power Trench process that incorporates Shielded Gate technology. This process has been optimized to minimize on-state resistance and yet maintain superior switching performance with best in class soft body diode.

Resultados: 451
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Calificación Nombre comercial Empaquetado
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL LFPAK
3.000Se espera el 03-04-2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT LFPAK-4 N-Channel 1 Channel 40 V 78 A 7.2 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 23 nC - 55 C + 175 C 50 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN U8FL
9.998Se espera el 25-08-2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5.000
Si SMD/SMT WDFN-8 Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Single N-Chn Pwr Mosfet 40V
8.179Se espera el 27-03-2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.500

Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 40 V 74 A 4.8 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 11 nC - 55 C + 175 C 50 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 1.2 MOHM T6 S08FL SIN
1.500Se espera el 03-04-2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 40 V 237 A 1.2 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 93 nC - 55 C + 175 C 128 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V S08FL 1En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.500

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 40 V 130 A 2 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 50 nC - 55 C + 175 C 83 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AFSM T6 40V LL U8FL WF
6.000Se espera el 15-01-2027
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.500

Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 40 V 26 A 11.5 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 8 nC - 55 C + 175 C 20 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Single N-Chn Pwr Mosfet 40V
3.000Se espera el 03-04-2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.500

Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 40 V 27 A 17.3 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 6.3 nC - 55 C + 175 C 23 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 3mOhm 133A Single N-Channel
6.000Se espera el 17-04-2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT LFPAK-4 N-Channel 1 Channel 60 V 133 A 3 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 40.7 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 30V NCH 1.6X1.6 UDFN
5.440Se espera el 31-07-2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT UDFN-6 N-Channel 1 Channel 30 V 6.9 A 18 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 8 nC - 55 C + 150 C 1.49 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) WIDE SOA
1.450Se espera el 13-03-2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.500
Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 30 V 409 A 650 uOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 147 nC - 55 C + 175 C 187 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) WIDE SOA
1.500Se espera el 02-10-2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 30 V 170 A 1.74 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 48 nC - 55 C + 175 C 87 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG
1.500Se espera el 04-05-2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 60 V 150 A 3 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 34 nC - 55 C + 175 C 110 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET U8FL 30V 75A 3.6MOHM
2.993Se espera el 02-03-2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.500

Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 30 V 75 A 3.6 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 31 nC - 55 C + 150 C 4.5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pwr MOSFET 30V 65A 4.2mOhm SGL N-CH
2.950Se espera el 13-04-2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.500

Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 30 V 67 A 4.2 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 36 nC - 55 C + 150 C 31 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 7.3 MOHM T6 S08FL SIN
1.500Se espera el 18-09-2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 40 V 49 A 8.1 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 10 nC - 55 C + 175 C 37 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 7.3mOhm 50A Single N-Channel
2.645Se espera el 17-07-2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT LFPAK-4 N-Channel 1 Channel 40 V 52 A 7.3 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 16 nC - 55 C + 175 C 38 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO
1.500Se espera el 03-04-2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.500

Si SMD/SMT WDFN-8 Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN U8FL
1.500Se espera el 10-04-2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.500

Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 40 V 107 A 3.1 mOhms 20 V 2 V 35 nC - 55 C + 175 C 68 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Single N-Chn Pwr Mosfet 40V
1.500Se espera el 02-03-2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.500

Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 40 V 74 A 4.8 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 11 nC - 55 C + 175 C 50 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 6 60V NFET
1.500Se espera el 13-11-2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.500
Si SMD/SMT SO-8FL Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET U8FL 30V 71A 4.2MOHM
1.500Se espera el 26-06-2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.500

Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 30 V 71 A 4.2 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 26 nC - 55 C + 175 C 37 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
onsemi NTTFS016N06CTAG
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO
1.500Se espera el 03-04-2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.500

Si Reel, Cut Tape
onsemi NTTFS5C680NLTAG
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL U8FL
4.472Se espera el 05-05-2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.500

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 60 V 20 A 26.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 2.9 nC - 55 C + 175 C 20 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL LFPAK 12.000Existencias en fábrica disponibles
Min.: 3.000
Mult.: 3.000
Carrete: 3.000

Si LFPAK-8 Reel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 6 40V SL NFET 6.000Existencias en fábrica disponibles
Min.: 3.000
Mult.: 3.000
Carrete: 3.000

Si LFPAK-8 Reel