Trench6 N-Channel MV MOSFETs

onsemi Trench6 N-Channel MV MOSFETs are 30V, 40V, and 60V MOSFETs produced using an advanced Power Trench process that incorporates Shielded Gate technology. This process has been optimized to minimize on-state resistance and yet maintain superior switching performance with best in class soft body diode.

Resultados: 451
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Calificación Nombre comercial Empaquetado
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AFSM T6 40V LL U8FL 3.000En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.500

Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 40 V 41 A 7.4 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 12 nC - 55 C + 175 C 30 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AFSM T6 40V LL U8FL WF 567En existencias
1.500Se espera el 04-12-2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.500

Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 40 V 41 A 7.4 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 12 nC - 55 C + 175 C 30 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V NCH LL U8FL 1.790En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.500
Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 60 V 70 A 5.6 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 20 nC - 55 C + 175 C 63 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V NCH LL U8FL WF 248En existencias
1.500Se espera el 06-04-2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.500
Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 60 V 70 A 5.6 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 20 nC - 55 C + 175 C 63 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V NCH LL U8FL WF 1.219En existencias
1.500Se espera el 12-06-2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.500
Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 60 V 50 A 8.1 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 9.5 nC - 55 C + 175 C 46 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 2.4 Ohm 136A Single N-Channel 940En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.500

Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 40 V 136 A 2.4 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 34 nC - 55 C + 175 C 85 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Single N-Chn Pwr Mosfet 40V 1.159En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.500

Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 40 V 103 A 3.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 23 nC - 55 C + 175 C 69 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO 1.500En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.500

Si SMD/SMT WDFN-8 Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL S08FL DS 48En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.500
Si SMD/SMT SO-8FL-Dual-8 N-Channel 2 Channel 40 V 36 A 9.2 mOhms, 9.2 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 9 nC - 55 C + 175 C 24 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL S08FL DS 179En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.500
Si SMD/SMT SO-8FL-Dual-8 N-Channel 2 Channel 60 V 26 A 23 mOhms, 23 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 5 nC - 55 C + 175 C 19 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 30V 116A 3.4MO 1.416En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 30 V 116 A 3.4 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 30 nC - 55 C + 175 C 3.61 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN SO8FL 1.735En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.500
Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 40 V 37 A 8.6 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 7.3 nC - 55 C + 175 C 28 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V S08FL 447En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.500

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 60 V 93 A 3.8 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 33.7 nC - 55 C + 175 C 79 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 2.4 mOhm 155A Single N-Channel 40En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT LFPAK-8 N-Channel 1 Channel 60 V 31 A 2.4 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 52 nC - 55 C + 175 C 113 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET U8FL 30V 75A 3.6MOHM 50En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.500

Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 30 V 102 A 3.6 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 31 nC - 55 C + 175 C 68 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET U8FL 30V 40A 9.4MOHM 794En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.500

Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 30 V 40 A 9.4 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 15.2 nC - 55 C + 175 C 26 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET U8FL 30V 27A 17MOHM 967En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.500

Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 30 V 22.1 A 17 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 10.3 nC - 55 C + 175 C 14.3 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AFSM T6 60V LL U8FL WF 968En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.500
Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 60 V 20 A 22 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 2.9 nC - 55 C + 175 C 20 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO 1.500En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pwr MOSFET 30V 38A 9.4mOhm SGL N-CH 8En existencias
10.500Se espera el 13-04-2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.500

Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 30 V 38 A 9.4 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 15.2 nC - 55 C + 150 C 21.5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL S08FL DS
7.500Se espera el 02-03-2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.500

Si SMD/SMT SO-8FL-Dual-8 N-Channel 2 Channel 60 V 111 A 3.5 mOhms, 3.5 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 37 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 71A N-Channel Single Power MOSFET
8.353En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5.000

Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 60 V 71 A 8.8 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 20 nC - 55 C + 175 C 61 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL PQFN8*8 EXPANSION
5.998Se espera el 09-06-2027
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT Power-88-8 N-Channel 1 Channel 60 V 398.2 A 810 uOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 165 nC - 55 C + 175 C 244 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL LFPAK
3.000Se espera el 27-03-2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT LFPAK-4 N-Channel 1 Channel 40 V 258 A 1.2 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 52 nC - 55 C + 175 C 134 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 6 40V SL NFET
3.000Se espera el 11-05-2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000
Si SMD/SMT LFPAK-4 N-Channel 1 Channel 40 V 110 A 2.8 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 35 nC - 55 C + 175 C 68 W Enhancement Reel, Cut Tape