Trench6 N-Channel MV MOSFETs

onsemi Trench6 N-Channel MV MOSFETs are 30V, 40V, and 60V MOSFETs produced using an advanced Power Trench process that incorporates Shielded Gate technology. This process has been optimized to minimize on-state resistance and yet maintain superior switching performance with best in class soft body diode.

Resultados: 451
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Calificación Nombre comercial Empaquetado
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V SL DPAK 549En existencias
2.500Se espera el 14-04-2026
Min.: 1
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Carrete: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 40 V 59 A 4.8 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 20 nC - 55 C + 175 C 40 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V DPAK EXP 1.674En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 40 V 45 A 7.7 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 20 nC - 55 C + 175 C 30 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL DPAK 104En existencias
2.500Se espera el 28-08-2026
Min.: 1
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Carrete: 2.500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 60 V 49 A 7.4 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 18.7 nC - 55 C + 175 C 44 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO 962En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.500

Si SMD/SMT DFN-8 Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO 1.490En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.500

Si SMD/SMT SO-8FL-Dual-8 Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL S08FL DS 190En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.500
Si SMD/SMT SO-8FL-Dual-8 N-Channel 2 Channel 40 V 84 A 3.9 mOhms, 3.9 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 23 nC - 55 C + 175 C 50 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 8.1 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8 1.287En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.500

Si SMD/SMT SO-8FL-Dual-8 N-Channel 2 Channel 40 V 49 A 8.1 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 11 nC - 55 C + 175 C 38 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 11.7 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8 1.200En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.500

Si SMD/SMT SO-8FL-Dual-8 N-Channel 2 Channel 40 V 36 A 11.7 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 8 nC - 55 C + 175 C 28 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 14.5 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8 859En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.500

Si SMD/SMT SO-8FL-Dual-8 N-Channel 2 Channel 40 V 29 A 14.5 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 8.1 nC - 55 C + 175 C 23 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 17 MOHM T6 SO-8FL DUAL DFN-8 99En existencias
1.500Se espera el 03-04-2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.500

Si SMD/SMT SO-8FL-Dual-8 N-Channel 2 Channel 40 V 27 A 17 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 6.3 nC - 55 C + 175 C 23 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 17 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8 820En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.500

Si SMD/SMT SO-8FL-Dual-8 N-Channel 2 Channel 40 V 27 A 17 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 6.3 nC - 55 C + 175 C 23 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V S08FL DUAL 535En existencias
1.500Se espera el 03-04-2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.500

Si SMD/SMT SO-8FL-Dual-8 N-Channel 2 Channel 60 V 68 A 6.5 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 21.3 nC - 55 C + 175 C 57.5 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL S08FL DS 1.242En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.500
Si SMD/SMT SO-8FL-Dual-8 N-Channel 2 Channel 60 V 49 A 9.8 mOhms, 9.8 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 12.3 nC - 55 C + 175 C 45 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL S08FL DS 3En existencias
1.500Se espera el 10-04-2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.500

Si SMD/SMT SO-8FL-Dual-8 N-Channel 2 Channel 60 V 42 A 11.7 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 10 nC - 55 C + 175 C 37 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL S08FL DS 962En existencias
6.000Se espera el 01-05-2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.500

Si SMD/SMT SO-8FL-Dual-8 N-Channel 2 Channel 60 V 26 A 23 mOhms, 23 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 5 nC - 55 C + 175 C 19 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG HIGHER RDS 592En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 60 V 25 A 22 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 5.7 nC - 55 C + 175 C 28 W Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V HEFET 61En existencias
1.500Se espera el 29-05-2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.500
Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 40 V 370 A 520 uOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 181 nC - 55 C + 175 C 200 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6-D3F 40V NFET 1.430En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.500
Si SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 40 V 300 A 760 uOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 86 nC - 55 C + 175 C 3.9 W, 166 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V SG 749En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 40 V 268 A 1.1 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 82 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN SO8FL 739En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.500
Si SMD/SMT SO-8FL N-Channel 1 Channel 40 V 200 A 1.2 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 70 nC - 55 C + 175 C 3.8 W, 110 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6-D3F 40V NFET 240En existencias
1.500Se espera el 31-07-2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.500
Si SO-8FL N-Channel 1 Channel 40 V 102 A 2.7 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 23 nC - 55 C + 175 C 68 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN U8FL 454En existencias
1.500Se espera el 05-06-2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.500
Si SMD/SMT SO-8FL N-Channel 1 Channel 40 V 87 A 3.1 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 18 nC - 55 C + 175 C 55 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN SO8FL 1.485En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.500
Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 40 V 21 A, 78 A 3.7 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 23 nC - 55 C + 175 C 50 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 7 MOHM T8 S08FL SINGL 1.715En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 40 V 52 A 7.3 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 16 nC - 55 C + 175 C 37 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 7 MOHM T8 S08FL SINGL 1.410En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.500
Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 40 V 52 A 7.3 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 16 nC - 55 C + 175 C 37 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel