Trench6 N-Channel MV MOSFETs

onsemi Trench6 N-Channel MV MOSFETs are 30V, 40V, and 60V MOSFETs produced using an advanced Power Trench process that incorporates Shielded Gate technology. This process has been optimized to minimize on-state resistance and yet maintain superior switching performance with best in class soft body diode.

Resultados: 451
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Calificación Nombre comercial Empaquetado
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 30V 52A 5.8MOH 3.358En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 30 V 52 A 4.6 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 22.2 nC - 55 C + 150 C 25.5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 30V 46A 6.96MO 5.169En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 30 V 46 A 5.8 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 18.6 nC - 55 C + 150 C 23.6 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 30V 38A 9.1MOH 3.099En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 30 V 38 A 9.1 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 15.2 nC - 55 C + 150 C 5.32 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 30V 1.15MO 2.352En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 30 V 230 A 1.15 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 82 nC - 55 C + 150 C 96 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 30V 52A 5.8MOH 1.498En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.500

Si SMD/SMT SO-8FL N-Channel 1 Channel 30 V 52 A 4.6 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 22.2 nC - 55 C + 150 C 25.5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6D3F 40V NFET 89En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5.000
Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 40 V 300 A 920 uOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 86 nC - 55 C + 175 C 166 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 2.0 MOHM T6 SO8FL SINGLE 230En existencias
2.375Se espera el 10-04-2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 40 V 150 A 3 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 50 nC - 55 C + 175 C 83 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 40V 150A 4.994En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5.000

Si SMD/SMT SO-8FL-4 Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6D3F 40V NFET 1.498En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 40 V 235 A 1.1 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 65 nC - 55 C + 175 C 128 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6D3F 40V NFET 1.008En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 40 V 140 A 1.9 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 32 nC - 55 C + 175 C 83 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6D3F 40V NFET 4.500En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5.000
Si SMD/SMT SO-8FL-4 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 40V 110A 1.315En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 40 V 110 A 2.8 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 35 nC - 55 C + 175 C 3.7 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN SO8 133En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 40 V 87 A 6 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 18 nC - 55 C + 175 C 55 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN SO8 3.683En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.500

Si SMD/SMT SO-8FL N-Channel 1 Channel 40 V 78 A 7.2 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 23 nC - 55 C + 175 C 50 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 60V 289A 1.2MO 12.141En existencias
9.000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.500
Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 60 V 287 A 1.2 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 120 nC - 55 C + 175 C 200 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 6 60V NFET 1.327En existencias
4.500Se espera el 25-09-2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 60 V 150 A 2.4 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 52 nC - 55 C + 175 C 3.7 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG 1.001En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.500

Si SO-8FL-4 Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL IN 5X6 DUALCOOL 143En existencias
6.000Se espera el 15-05-2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT DFN-8 N-Channel 1 Channel 60 V 235 A 1.5 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 91 nC - 55 C + 175 C 166 W Enhancement Dual Cool Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 1.55 mOhm 185A Single N-Channel 3.000En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000
Si SMD/SMT LFPAK-8 N-Channel 1 Channel 40 V 200 A 2.2 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 70 nC - 55 C + 175 C 110 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 2.5mOhms 150A Single N-Channel 2.923En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT LFPAK-8 N-Channel 1 Channel 60 V 31 A 3.3 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 24 nC, 52 nC - 55 C + 175 C 113 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG PQFN8x8 EXPANSI 848En existencias
6.000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000
Si SMD/SMT Power-88-8 N-Channel 1 Channel 60 V 398.2 A 810 uOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 165 nC - 55 C + 175 C 244 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL LFPAK 2.995En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000
Si SMD/SMT LFPAK-4 N-Channel 1 Channel 40 V 38 A 10.3 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 7.3 nC - 55 C + 175 C 28 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 26A 21Ohm 1.073En existencias
3.000Se espera el 20-03-2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT LFPAK-4 N-Channel 1 Channel 60 V 27 A 21 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 5 nC - 55 C + 175 C 28 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 3.0mOhms 133A Single N-Channel 2.902En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT LFPAK-4 N-Channel 1 Channel 60 V 133 A 3 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 18.4 nC, 40.7 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL LFPAK 2.815En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT LFPAK-4 N-Channel 1 Channel 60 V 100 A 4 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 34 nC - 55 C + 175 C 79 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel