Trench6 N-Channel MV MOSFETs

onsemi Trench6 N-Channel MV MOSFETs are 30V, 40V, and 60V MOSFETs produced using an advanced Power Trench process that incorporates Shielded Gate technology. This process has been optimized to minimize on-state resistance and yet maintain superior switching performance with best in class soft body diode.

Resultados: 452
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Nombre comercial
Empaquetado
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET U8FL 30V 40A 9.4MOHM
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1.200En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 1.500

Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 30 V 40 A 9.4 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 15.2 nC - 55 C + 175 C 26 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V SG
Hoja de datos
1.168En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 40 V 268 A 1.1 mOhms 20 V 4 V 82 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6-D3F 40V NFET
Hoja de datos
1.200En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.500

Si SMD/SMT DFNW-5 N-Channel 1 Channel 40 V 102 A 3.3 mOhms 20 V 3.5 V 23 nC - 55 C + 175 C 68 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6D3F 40V NFET
Hoja de datos
8En existencias
4.500Se espera el 02-03-2026
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 40 V 300 A 760 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 86 nC - 55 C + 175 C 166 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Chnl Pwr Trench MOSFET
Hoja de datos
120En existencias
3.000Se espera el 03-04-2026
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT Power-33-8 N-Channel 1 Channel 60 V 13.5 A 6.5 mOhms - 20 V, 20 V 1.7 V 45 nC - 55 C + 150 C 2.3 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 30V POWER CLIP 2
Hoja de datos
37En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000
Si SMD/SMT WDFN-6 N-Channel 1 Channel 30 V 18.8 A 4.38 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 8 nC, 18 nC - 55 C + 150 C 2.4 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 30V NCH 1.6X1.6 UDFN
Hoja de datos
2.604En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT UDFN-6 N-Channel 1 Channel 30 V 8.2 A 13 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 5 nC - 55 C + 150 C 1.52 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO
Hoja de datos
1.498En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.500

Si SO-8FL-Dual-8 Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO
Hoja de datos
1.100En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.500

Si SMD/SMT SO-8FL-Dual-8 Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL S08FL DS
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1.400En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.500
Si SMD/SMT SO-8FL-Dual-8 N-Channel 2 Channel 40 V 52 A 7.4 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 16 nC - 55 C + 175 C 40 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 8.1 MOHM T6 S08FL DUAL
Hoja de datos
1.500En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.500

Si SMD/SMT SO-8FL-Dual-8 N-Channel 2 Channel 40 V 49 A 8.1 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 11 nC - 55 C + 175 C 38 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL S08FL DS
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274En existencias
4.500Se espera el 25-08-2026
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.500

Si SMD/SMT SO-8FL-Dual-8 N-Channel 2 Channel 60 V 42 A 14.4 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 10 nC - 55 C + 175 C 37 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO
Hoja de datos
1.500En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) WIDE SOA
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519En existencias
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Min.: 1
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Si SMD/SMT DFN-5 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) WIDE SOA
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945En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 1.500
Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 30 V 298 A 900 uOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 131.4 nC - 55 C + 175 C 144 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 6 30V NCH
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1.491En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 30 V 136 A 1.7 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 45.2 nC - 55 C + 150 C 3.1 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 6 30V NCH
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2.676En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.500
Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 30 V 78 A 2.8 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 30 nC - 55 C + 150 C 6.6 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 6 30V NCH
Hoja de datos
2.170En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 1.500
Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 30 V 69 A 3.41 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 26 nC - 55 C + 150 C 6.4 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 6 30V NCH
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1.490En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 1.500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 30 V 52 A 4.73 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 22.2 nC - 55 C + 150 C 6 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 6 30V NCH
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8.232En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 1.500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 30 V 46 A 4.9 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 18.6 nC - 55 C + 150 C 23.6 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 30V 138A 2.1MO
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1.232En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.500
Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 30 V 136 A 1.5 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 45.2 nC - 55 C + 150 C 64 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 30V 52A 5.8MOH
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145En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 1.500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 30 V 52 A 5.8 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 18.2 nC - 55 C + 150 C 2.51 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 30V 52A 5.8MOH
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3.358En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 30 V 52 A 4.6 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 22.2 nC - 55 C + 150 C 25.5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 30V 46A 6.96MO
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669En existencias
4.500Se espera el 20-02-2026
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 30 V 46 A 5.8 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 18.6 nC - 55 C + 150 C 23.6 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 30V 38A 9.1MOH
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3.099En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 30 V 38 A 9.1 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 15.2 nC - 55 C + 150 C 5.32 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel