48V DC/DC Converters

Vishay 48V DC/DC Converters are used in the products that need to remain 12V battery load while 48V battery is used in the vehicles. These converters can bring down 48V-12V, so the converter is a significant application for future cars. Different topologies are made possible with these devices like multiphase coupled and non-coupled inductors. Vishay offers a broad portfolio of solutions with standard devices like MOSFETs, diodes, resistors, capacitors, inductors, and customized magnetic solutions.

Resultados: 131
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Calificación Nombre comercial Empaquetado
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 60V (D-S) 87.588En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT TSOP-6 P-Channel 1 Channel 60 V 5.3 A 95 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 15.3 nC - 55 C + 175 C 5 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Channel 30V AEC-Q101 Qualified 138.198En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT TSOP-6 P-Channel 1 Channel 30 V 6.8 A 35 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 14 nC - 55 C + 175 C 5 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 20Vds 12Vgs AEC-Q101 Qualified 8.406En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT TSOP-6 N-Channel, P-Channel 2 Channel 20 V 3.57 A, 2.5 A 49 mOhms, 140 mOhms - 12 V, 12 V 600 mV, 1.5 V 2.5 nC, 3.5 nC - 55 C + 175 C 1.67 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 20-V (D-S) 175C MOSFET 8.674En existencias
12.000Se espera el 23-03-2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 20 V 6 A 30 mOhms - 8 V, 8 V 600 mV 4.95 nC - 55 C + 175 C 2 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 20-V (D-S) 175C MOSFET 3.843En existencias
6.000Se espera el 19-02-2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 20 V 3.2 A 115 mOhms - 12 V, 12 V 1 V 3.4 nC - 55 C + 175 C 2 W Enhancement Reel, Cut Tape
Vishay Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET 3.246En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si Reel, Cut Tape

Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Channel 20V AEC-Q101 Qualified 9.749En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 20 V 3.9 A 120 mOhms - 8 V, 8 V 1.5 V 5 nC - 55 C + 175 C 3 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds; +/-8V Vgs SOT-23; 4A Id 32.464En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 60 V 2 A 240 mOhms - 8 V, 8 V 460 mV 2.5 nC - 55 C + 175 C 3 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified 8.465En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT TSOP-6 N-Channel 1 Channel 40 V 8 A 26 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 12.7 nC - 55 C + 175 C 5 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 8A 3.9W AEC-Q101 Qualified 3.105En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2.500

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 40 V 8 A 13.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 30 nC - 55 C + 175 C 3.9 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N/P CHANNEL 30V 8.186En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2.500

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel, P-Channel 2 Channel 30 V 7.3 A, 5.3 A 21 mOhms, 56 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 5.9 nC, 7.9 nC - 55 C + 175 C 3.3 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-CHANNEL 30 V 3.508En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2.500

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 30 V 8 A 13 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 30 nC - 55 C + 175 C 4.4 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFE 20.910En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2.500

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 60 V 7 A 82.9 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 14.3 nC - 55 C + 175 C 4 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DUAL P-CHANNEL 30V 2.270En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2.500

Si SMD/SMT SOIC-8 P-Channel 2 Channel 30 V 7.5 A 28 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 30 nC - 55 C + 175 C 3.3 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET 4.284En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT PowerPAK1212-8 P-Channel 1 Channel 60 V 16 A 90 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 25.5 nC - 55 C + 175 C 53 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET 6.798En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 60 V 1.7 A 335 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 5.5 nC - 55 C + 175 C 2 W Enhancement Reel, Cut Tape

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET 5.279En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT TSOP-6 N-Channel 1 Channel 30 V 7.8 A 35 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 6.2 nC - 55 C + 175 C 4 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DUAL P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFE 5.827En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si Reel, Cut Tape
Vishay Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 150-V (D-S) 175C MOSFET 2.400En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2.500

Si Reel, Cut Tape

Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 60V (D-S) 30.953En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 60 V 2.3 A 150 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 3.5 nC - 55 C + 175 C 2 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Channel 12V AEC-Q101 Qualified 50.310En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 12 V 5 A 50 mOhms - 8 V, 8 V 450 mV 9 nC - 55 C + 175 C 2 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified 57.837En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 60 V 2.8 A 177 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 9 nC - 55 C + 175 C 2 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified 38.612En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 100 V 1.6 A 300 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 2.3 nC - 55 C + 175 C 2 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 40V (D-S) 27.128En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT TSOP-6 P-Channel 1 Channel 40 V 6.9 A 48 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 7.5 nC - 55 C + 175 C 5 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified 14.476En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT TSOP-6 P-Channel 1 Channel 40 V 6.9 A 48 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 7.5 nC - 55 C + 175 C 5 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel